맞춤기술찾기
이전대상기술
반도체 광소자 및 그 제조 방법
- 기술번호 : KST2014037005
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 반도체 광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 제조된 적어도 하나의 반도체 구조물과, 상기 적어도 하나의 반도체 구조물 상부 또는 반도체 구조물 사이에 성장된 반도체 박막과, 상기 반도체 구조물 상부에 성장된 반도체 박막에 형성된 제 1 전극부와, 상기 기판 상부 또는 하부에 형성된 제 2 전극부를 포함하는 것으로서, 박막형과 나노막대형 반도체 광소자의 우수한 특성을 유지하면서도 간단한 공정으로 생산이 가능한 고효율의 반도체 광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/12 (2006.01.01) H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/0328 (2006.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) |
| CPC | H01L 31/125(2013.01) H01L 31/125(2013.01) H01L 31/125(2013.01) H01L 31/125(2013.01) H01L 31/125(2013.01) H01L 31/125(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020100102068 (2010.10.19) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1263286-0000 (2013.05.06) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0117592 (2011.10.27) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20130510) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020100036893 | 2010.04.21
|
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.10.19) |
| 심사청구항수 | 22 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이규철 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
| 2 | 홍영준 | 대한민국 | 경기도 화성시 |
| 3 | 이철호 | 대한민국 | 서울특별시 동작구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인유아이피 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초대로**길**, ***호(서초동, 강남역리가스퀘어) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.10.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0675445-84 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.09.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0563432-23 |
| 4 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2011.11.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0942031-16 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.01.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0002675-41 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.01.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0076503-75 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.02.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0168367-31 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.02.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0168368-87 |
| 9 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2012.08.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0472980-54 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2012.09.17 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0749387-61 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.09.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0749389-52 |
| 12 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.10.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0617539-44 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.12.17 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-1046777-43 |
| 14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.12.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1046776-08 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 16 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2013.04.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0233379-74 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 발광소자(LEDs) 또는 광 발전소자(Solar Cells)로서,개구부를 포함하는 성장 마스크와 절연체 중 어느 하나로 코팅된 기판;상기 기판의 개구부에 성장된 반도체 나노막대, 반도체 나노피라미드 및 반도체 나노튜브 중 어느 하나를 포함하는 적어도 하나의 반도체 구조물;상기 반도체 구조물 외주면에 동심배열로 형성된 이종구조 또는 양자우물구조;상기 이종구조 또는 양자우물구조가 포함된 나노막대 또는 나노튜브와 반대되는 전도성 타입의 반도체 박막;상기 반도체 박막 상부에 증착된 제 1 전극부; 및상기 기판 상부 또는 하부에 형성된 제 2 전극부를 포함하고, 상기 적어도 하나의 반도체 구조물은, 나노막대 또는 나노튜브 중 적어도 어느 하나의 형상을 갖고, 상기 제1 전극부는 나노막대 또는 나노튜브의 상부에 개구부가 형성된 그물 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 나노막대 또는 나노튜브의 직경은 1㎚ ~ 500㎚이고, 길이는 10㎚ ~ 1000㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 나노막대 또는 나노튜브는 상기 반도체 박막과 서로 반대 타입의 반도체인 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 나노막대 또는 나노튜브의 다수 수송자는 전자이고, 상기 반도체 박막의 다수 수송자는 정공인 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 나노막대 또는 나노튜브의 다수 수송자는 정공이고, 상기 반도체 박막의 다수 수송자는 전자인 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 반도체 구조물은,Si, Ge, SiC, III-V족 화합물 (III-As, III-P, III-N, III-Sb), II-VI족 화합물 (II-O, II-S, II-Se), 산화물, 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 반도체 구조물은,Si, C, Ge, Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 1종 이상의 이종물질이 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 반도체 구조물은,상기 기판에 수직 또는 일방향으로 배열되는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 반도체 구조물과 상기 반도체 박막 사이에 동심배열의 이종구조 또는 양자우물구조 중 적어도 어느 하나가 삽입된 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서,상기 이종구조 또는 양자우물구조는 Si, Ge, SiC, III-V족 화합물(III-As, III-P, III-N, III-Sb), II-VI족 화합물(II-O, II-S, II-Se), 산화물, 질화물 중 적어도 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진 단일층 구조로 된 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 12 |
12 제 10항에 있어서,상기 이종구조 또는 양자우물구조는 Si, Ge, SiC, III-V족 화합물(III-As, III-P, III-N, III-Sb), II-VI족 화합물(II-O, II-S, II-Se), 산화물, 질화물 중 적어도 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진 다층 구조로 된 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 13 |
13 제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 이종구조 또는 양자우물구조는 Si, C, Ge, Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 1종 이상의 이종물질이 추가로 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 14 |
14 제 1 항에 있어서,상기 반도체 박막은 Si, Ge, SiC, III-V족 화합물(III-As, III-P, III-N, III-Sb), II-VI족 화합물(II-O, II-S, II-Se), 산화물, 질화물 중 적어도 어느 하나 또는 이들의 조합으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 15 |
15 제 14 항에 있어서, 상기 반도체 박막은 Si, C, Ge, Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 1종 이상의 이종물질이 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 16 |
16 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 유리, 석영, 사파이어, 인튬-주석 산화물(ITO), 금속, Si, Ge, SiC, III-V족 화합물(III-As, III-P, III-N, III-Sb), II-VI족 화합물 (II-O, II-S, II-Se), 산화물, 질화물 중 적어도 어느 하나 또는 이들의 조합으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 17 |
17 제 16 항에 있어서,상기 기판은 Si, C, Ge, Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Na, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 1종 이상의 이종물질이 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 18 |
18 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극부와 제 2 전극부는 In, Li, Be, B, C, Na, Mg, Al, K, Ca, Ag, Au, Fe, Co, Ni, Cd, Cu, Y, V, W, Zn, Ta, Ng, Se, As, Cr, Nb, Sb, Sn, Pt, Pb, Pd, Zr, Hf, Sr, U, Ru, Mo 중 적어도 어느 하나 또는 이들의 합금 또는 그 산화물 및 질화물 중에서 선택된 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 19 |
19 제 1 항 또는 제 18 항에 있어서,상기 제 1 전극부와 제 2 전극부는,금속전극 또는 투명전극으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 20 |
20 제 19 항에 있어서,상기 금속전극은 하나 이상의 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 21 |
21 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극부는 단일층 또는 다층의 적층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 22 |
22 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극부는 기판 내지는 기판이 제거된 후 노출된 나노막대 또는 나노튜브에 형성된 금속전극 또는 투명전극 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 23 |
23 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극부는 In, Li, Be, B, C, Na, Mg, Al, K, Ca, Ag, Au, Fe, Co, Ni, Cd, Cu, Y, V, W, Zn, Ta, Ng, Se, As, Cr, Nb, Sb, Sn, Pt, Pb, Pd, Zr, Hf, Sr, U, Ru, Mo 중 적어도 어느 하나 또는 이들의 합금 또는 그 산화물 및 질화물 중에서 선택된 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자 |
| 24 |
24 삭제 |
| 25 |
25 삭제 |
| 26 |
26 삭제 |
| 27 |
27 삭제 |
| 28 |
28 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1263286-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20101019 출원 번호 : 1020100102068 공고 연월일 : 20130510 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130405 청구범위의 항수 : 22 유별 : H01L 33/04 발명의 명칭 : 반도체 광소자 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 451,500 원 | 2013년 05월 06일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2016년 01월 28일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2017년 04월 21일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 262,000 원 | 2018년 04월 25일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 468,000 원 | 2019년 05월 08일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 468,000 원 | 2020년 05월 07일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.10.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0675445-84 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 3 | 의견제출통지서 | 2011.09.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0563432-23 |
| 4 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2011.11.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0942031-16 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.01.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0002675-41 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.01.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0076503-75 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.02.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0168367-31 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.02.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0168368-87 |
| 9 | 거절결정서 | 2012.08.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0472980-54 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2012.09.17 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0749387-61 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.09.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0749389-52 |
| 12 | 의견제출통지서 | 2012.10.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0617539-44 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.12.17 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-1046777-43 |
| 14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.12.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1046776-08 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 16 | 등록결정서 | 2013.04.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0233379-74 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 기술번호 | KST2014037005 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 서울대학교 |
| 기술명 | 반도체 광소자 및 그 제조 방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 반도체 광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 제조된 적어도 하나의 반도체 구조물과, 상기 적어도 하나의 반도체 구조물 상부 또는 반도체 구조물 사이에 성장된 반도체 박막과, 상기 반도체 구조물 상부에 성장된 반도체 박막에 형성된 제 1 전극부와, 상기 기판 상부 또는 하부에 형성된 제 2 전극부를 포함하는 것으로서, 박막형과 나노막대형 반도체 광소자의 우수한 특성을 유지하면서도 간단한 공정으로 생산이 가능한 고효율의 반도체 광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스 |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345171396 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2004-0046410 |
| 연구과제명 | 반도체 나노막대 연구단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200406~201305 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
| [1020130016393] | 나노 구조체 및 이를 포함하는 나노 디바이스 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020100103904] | 태양전지 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020100102068] | 반도체 광소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020100102068] | 반도체 광소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
중요키워드
| [KST2020000553][서울대학교] | 도전성 나노 구조 및 이를 이용 하는 제조 방법, 광합성 방법. | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2015137434][서울대학교] | 양자점 다층 박막을 포함한 전기발광소자 | 새창보기 |
| [KST2019008333][서울대학교] | 양자점 발광 다이오드 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2020004825][서울대학교] | 양자점 발광 소자 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2017014674][서울대학교] | 발광소자 및 발광소자의 제조방법(LIGHT-EMITTING DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DEVICE) | 새창보기 |
| [KST2015135628][서울대학교] | 발광 소자 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015136957][서울대학교] | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2021007129][서울대학교] | LED 소자 및 그 제조방법과, LED 소자를 포함하는 디스플레이 장치 | 새창보기 |
| [KST2019011543][서울대학교] | 양자점 전사 인쇄 방법 | 새창보기 |
| [KST2014037251][서울대학교] | 발광소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015135906][서울대학교] | 발광 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015135367][서울대학교] | 양자점 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2021010861][서울대학교] | 포토트랜지스터 및 이를 포함하는 이미징 장치 | 새창보기 |
| [KST2014053124][서울대학교] | 반도체 광소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2024000095][서울대학교] | 마이크로 LED 제조방법 및 이 방법이 적용된 디스플레이 장치의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014037260][서울대학교] | 반도체 소자용 기판, 이를 이용한 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법 | 새창보기 |
| [KST2015160454][서울대학교] | 모스 전계 효과 트랜지스터 및 광 다이오드가 일체화된 광전자 반도체 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014053114][서울대학교] | 간접 밴드갭 반도체를 이용한 전기발광소자 | 새창보기 |
| [KST2020016613][서울대학교] | 전자 장치 및 스탬핑과 자기장 정렬을 이용한 전자 소자의 전사 방법 | 새창보기 |
| [KST2015137224][서울대학교] | 무촉매 그래핀 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2022009545][서울대학교] | 반도체 구조체 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015136882][서울대학교] | Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체 | 새창보기 |
| [KST2015135127][서울대학교] | 이중 게이트로 조절되는 다이오드 구조를 이용한 발광소자 | 새창보기 |
| [KST2019012917][서울대학교] | 수명이 향상된 양자점 발광 다이오드 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014037250][서울대학교] | 발광소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2023010768][서울대학교] | 박막 제조방법 및 이를 이용한 박막 | 새창보기 |
| [KST2017010249][서울대학교] | 발광 소자 및 이의 제조 방법(LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2015136022][서울대학교] | 나노입자를 포함하는 전자소자의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2018010352][서울대학교] | 안정성이 향상된 페로브스카이트 태양전지 | 새창보기 |
| [KST2015137621][서울대학교] | 나노 구조체 및 이를 포함한 소자 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|