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1) 유도결합 플라즈마 스퍼터링 장치의 반응 챔버 내에 기판을 로딩하고 몰리브덴-구리 복합체를 음극에 장착하는 단계; 및2) 상기 반응 챔버 내부로 질소 가스와 플라즈마 가스를 공급하고, 유도결합 플라즈마 장치를 이용하여 플라즈마를 발생시켜 상기 기판 위에 몰리브덴-질소/구리(Mo-N/Cu) 박막을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유도결합 플라즈마 스퍼터링 방법을 이용한 몰리브덴-질소/구리(Mo-N/Cu) 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1)은 ICP 200W의 Ar 플라즈마 분위기에서 기판에 -100V의 DC 바이어스를 인가하여 기판 표면의 불순물을 제거하는 전처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유도결합 플라즈마 스퍼터링 방법을 이용한 몰리브덴-질소/구리(Mo-N/Cu) 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 유도결합 플라즈마 스퍼터링 장치의 유도결합 플라즈마(ICP) 파워는 1 내지 400W 인 것을 특징으로 하는, 유도결합 플라즈마 스퍼터링 방법을 이용한 몰리브덴-질소/구리(Mo-N/Cu) 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 유도결합 플라즈마 스퍼터링 장치의 DC 파워는 250 내지 400W 인 것을 특징으로 하는, 유도결합 플라즈마 스퍼터링 방법을 이용한 몰리브덴-질소/구리(Mo-N/Cu) 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 유도결합 플라즈마 스퍼터링 장치의 내부 압력은 10mTorr 내지 20mTorr인 것을 특징으로 하는, 유도결합 플라즈마 스퍼터링 방법을 이용한 몰리브덴-질소/구리(Mo-N/Cu) 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 질소 가스의 유량은 1 내지 2
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제1항에 있어서, 몰리브덴-구리 복합체는 구리 함량이 1 내지 30 중량%인 것을 특징으로 하는, 유도결합 플라즈마 스퍼터링 방법을 이용한 몰리브덴-질소/구리(Mo-N/Cu) 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 몰리브덴-구리 복합체는 구리 함량이 5 내지 20 중량%인 것을 특징으로 하는, 유도결합 플라즈마 스퍼터링 방법을 이용한 몰리브덴-질소/구리(Mo-N/Cu) 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 Si 기판 또는 태핏(tappet)인 것을 특징으로 하는, 유도결합 플라즈마 스퍼터링 방법을 이용한 몰리브덴-질소/구리(Mo-N/Cu) 박막의 제조방법
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 몰리브덴-질소/구리(Mo-N/Cu) 박막
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