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저항변화메모리 소자의 특성 분석 방법 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2014040162
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 저항변화메모리 소자의 특성 분석 방법과 특성 향상 방법을 제공하고자 한 것이다.본 발명에 따르면, 저항변화메모리 소자의 동작특성의 양호/불량의 정도를 전압 인가 및 전압 스윕이 아닌 X-선 조사에 따른 흡수스펙트럼 분석을 통해 알아낼 수 있는 저항변화메모리 소자 특성 분석 방법이 제공될 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 저항변화메모리 소자의 동작 특성을 신뢰성 있게 향상시키기 위하여 셋/리셋 동작을 주도하는 산화물 박막에 대해 산소 공급하에 300 ℃ 이상에서 어닐링 하여 산화물 박막 내에 있을 수 있는 결함을 제거하며, 그에 따라 윈도우 폭을 넓힘과 동시에 고신뢰도 동작 특성을 갖는 저항변화메모리 소자를 제작할 수 있다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01)
CPC H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01)
출원번호/일자 1020100055519 (2010.06.11)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1161505-0000 (2012.06.25)
공개번호/일자 10-2011-0135664 (2011.12.19) 문서열기
공고번호/일자 (20120629) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.11)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조만호 대한민국 서울특별시 용산구
2 임동혁 대한민국 인천광역시 서구
3 송진호 대한민국 인천광역시 부평구
4 정광식 대한민국 경상북도 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주은희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** 선릉엘지에클라트 B-***(아이디어로특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0377075-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0053122-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0419939-70
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0729935-89
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0729981-79
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0173782-30
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
저항변화메모리 소자에 X-선을 조사하여 흡수스펙트럼을 얻고,흡수스펙트럼의 프리에지(pre-edge) 피크 유무로부터 저항변화메모리 소자 내의 결함 유무를 판단하는 것을 특징으로 하는 저항변화메모리 소자 특성 분석 방법
2 2
제1항에 있어서, 저항변화메모리 소자에 X-선을 조사하여 흡수스펙트럼을 얻고,흡수스펙트럼의 제1 피크에 Jahn-Teller 효과(effect)를 적용하여 나타낸 가우시안 피크(Gaussian peak)의 강도(intensity) 변화를 추가적으로 관찰하여 저항변화메모리 소자 내의 결함 유무를 판단하는 것을 특징으로 하는 저항변화메모리 소자 특성 분석 방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.