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3Ｄ 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2014040354
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명은 D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제 1 절연막 상에 제 1 전극 및 제 2 절연막을 적어도 한층 이상 교대로 증착하는 단계; 상기 제 2 절연막 상에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 금속 산화막 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) |
| CPC | H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110021034 (2011.03.09) |
| 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0103040 (2012.09.19) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 거절 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.03.09) |
| 심사청구항수 | 16 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 손현철 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 2 | 고대홍 | 대한민국 | 경기도 고양시 일산서구 |
| 3 | 김종기 | 대한민국 | 서울특별시 은평구 |
| 4 | 이두성 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인지명 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 남부순환로**** 차우빌딩*층 |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 최종권리자 정보가 없습니다 | |||
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.03.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0171510-12 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.01.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0009456-10 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.05.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0309710-65 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.07.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0607968-92 |
| 7 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2012.10.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0653192-38 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 반도체 기판 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계;상기 제 1 절연막 상에 제 1 전극 및 제 2 절연막을 적어도 한층 이상 교대로 증착하는 단계;상기 제 2 절연막 상에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 금속 산화막 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연막은, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 중 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은,Al, W, Cu, Pt, TiN, TaN, Ti, Ta, Pt 및 이들의 조합으로 이루어진 군, Si, WSix, NiSix, CoSix 또는 TiSix에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 절연막은, SiO2인 것을 특징으로 하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 절연막을 증착하는 단계에서, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 절연막을 패터닝 및 식각하는 단계;를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화막은, TiO2, Ta2O5, ZrO2 또는 HfO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법 |
| 7 |
7 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 금속 산화막은, 물리적 기상 증착법(Physical Vapordeposition: PVD), 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition: CVD), 스퍼터링(Sputtering), 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition: PLD), 증발법(Thermal Evaporation), 전자빔 증발법(Electron Beam Evaporation), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition: ALD) 및 분자선 에피택시 증착법(Molecular Beam Epitaxy: MBE) 중 어느 하나를 이용하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법 |
| 8 |
8 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 금속 산화막은, 2㎚ 내지 100㎚의 두께를 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법 |
| 9 |
9 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 금속 산화막은, 상기 제 2 절연막의 상부, 교대로 증착되어 패터닝 및 식각된 후의 상기 제 1 전극 및 제 2 절연막의 측면 및 패터닝 및 식각된 후의 상기 제 1 절연막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서, 상기 금속 산화막을 형성하는 단계 이후에, 상기 반도체 기판에 대해 열처리를 수행하는 단계;를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 열처리는 100℃ 내지 1000℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극은, Al, W, Cu, Pt, TiN, TaN, Ti, Ta, Pt 및 이들의 조합으로 이루어진 군과 Si, WSix, NiSix, CoSix 또는 TiSix에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법 |
| 13 |
13 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극은, 상기 금속 산화막 상에 전극 물질로 사용될 제 2 전도막을 증착하고 패팅닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 금속 산화막 상에 제 2 전극을 형성하는 단계 이후에, 상기 금속 산화막 및 상기 제 2 절연막을 식각하여 상기 제 1 전극을 노출시키는 컨택홀을 형성하는 단계;를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 제조방법 |
| 15 |
15 반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 형성된 제 1 절연막;상기 제 1 절연막 상에 형성된 제 1 전극 및 제 2 절연막;상기 제 2 절연막 상에 형성된 금속 산화막; 상기 금속 산화막 상에 형성된 제 2 전극;으로 구성되되, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 절연막은 적어도 한 층 이상 교대로 증착되어 형성된 것을 특징으로 하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 절연막은, 패터닝 및 식각되고, 상기 금속 산화막은, 상기 제 2 절연막의 상부, 교대로 증착되어 패터닝 및 식각된 후의 상기 제 1 전극 및 제 2 절연막의 측면 및 패터닝 및 식각된 후의 상기 제 1 절연막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 3D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.03.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0171510-12 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.01.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0009456-10 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2012.05.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0309710-65 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.07.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0607968-92 |
| 7 | 거절결정서 | 2012.10.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0653192-38 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 기술번호 | KST2014040354 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 연세대학교 |
| 기술명 | 3Ｄ 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 및 그 제조방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 D 적층 구조를 이용한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제 1 절연막 상에 제 1 전극 및 제 2 절연막을 적어도 한층 이상 교대로 증착하는 단계; 상기 제 2 절연막 상에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 금속 산화막 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 메모리 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이선스 |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345165039 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2005 |
| 연구과제명 | 휴먼트로닉스정보소재사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 연세대학교 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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