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터치스크린 패널 및 이를 구비한 전자영동 표시 장치

  • 기술번호 : KST2014040465
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 외부광의 세기가 변하더라도 위치를 인식하는 인식률이 저하되지 않는 터치스크린 패널 및 이를 이용한 전자영동 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 터치스크린 패널은 외부 적외선 광원이 입력된 위치를 감지하는 터치스크린 패널로서, 적외선을 감지하여 제1 위치 정보를 출력하는 적외선 센싱 화소와 외부광을 감지하여 제2 위치 정보를 출력하는 외부광 센싱 화소가 교번적으로 배치된다.
Int. CL G06F 3/042 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020100022094 (2010.03.12)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1088113-0000 (2011.11.23)
공개번호/일자 10-2011-0103006 (2011.09.20) 문서열기
공고번호/일자 (20111202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.12)
심사청구항수 33

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 박수형 대한민국 경상북도 경주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0156946-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0036771-86
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0242244-51
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0463666-30
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0463633-34
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0626614-47
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
외부 적외선 광원이 입력된 위치를 감지하는 터치스크린 패널에 있어서,적외선을 감지하여 제1 위치 정보를 출력하는 적외선 센싱 화소와 외부광을 감지하여 제2 위치 정보를 출력하는 외부광 센싱 화소가 교번적으로 배치되도록,제1 센싱 출력 배선과 제2 센싱 출력 배선이 교번적으로 형성되어 있는 기판;상기 기판 상에 형성되며, 입사되는 적외선의 변화를 감지하여 적외선 감지신호를 발생하는 제1 센싱 트랜지스터;상기 기판 상에 형성되며, 상기 제1 센싱 트랜지스터와 연결되어 상기 적외선 감지신호로부터 제1 위치 정보를 상기 제1 센싱 출력 배선으로 출력하는 제1 출력 스위칭 트랜지스터;상기 기판 상에 형성되며, 입사되는 외부광의 변화를 감지하여 외부광 감지신호를 발생하는 제2 센싱 트랜지스터; 및상기 기판 상에 형성되며, 상기 제2 센싱 트랜지스터와 연결되어 상기 외부광 감지신호로부터 제2 위치 정보를 상기 제2 센싱 출력 배선으로 출력하는 제2 출력 스위칭 트랜지스터;를 포함하며,상기 적외선 센싱 화소는 상기 제1 센싱 트랜지스터와 제1 출력 스위칭 트랜지스터를 포함하여 이루어지고, 상기 외부광 센싱 화소는 상기 제2 센싱 트랜지스터와 제2 출력 스위칭 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
3 3
제2항에 있어서,상기 적외선 센싱 화소는,일단이 상기 제1 센싱 트랜지스터와 연결되고 타단이 오프 전압 배선과 연결되어, 상기 제1 센싱 트랜지스터에 적외선이 입사될 때 발생하는 누설전류에 의한 전하가 저장되는 제1 센싱 커패시터를 더 구비하고,상기 외부광 센싱 화소는,일단이 상기 제2 센싱 트랜지스터와 연결되고 타단이 오프 전압 배선과 연결되어, 상기 제2 센싱 트랜지스터에 외부광이 입사될 때 발생하는 누설전류에 의한 전하가 저장되는 제2 센싱 커패시터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
4 4
제3항에 있어서,상기 적외선 센싱 화소는, 위치 정보 출력 후, 상기 제1 센싱 커패시터를 초기화하는 제1 리셋 트랜지스터를 더 구비하고,상기 외부광 센싱 화소는,위치 정보 출력 후, 상기 제2 센싱 커패시터를 초기화하는 제2 리셋 트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
5 5
제4항에 있어서,상기 제1 리셋 트랜지스터의 게이트는 인접한 다른 적외선 센싱 화소에 구비된 제1 출력 트랜지스터의 게이트와 연결되어 있는 센싱 게이트 배선과 연결되고,상기 제2 리셋 트랜지스터의 게이트는 인접한 다른 외부광 센싱 화소에 구비된 제2 출력 트랜지스터의 게이트와 연결되어 있는 센싱 게이트 배선과 연결되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
6 6
제2항에 있어서,상기 외부 적외선 광원이 입력된 위치를 인식하기 위해,상기 제1 위치 정보만을 통해 상기 외부 적외선 광원이 입력된 위치를 인식하는 적외선 모드, 상기 제2 위치 정보만을 통해 상기 외부 적외선 광이 입력된 위치를 인식하는 외부광 모드 및 상기 제1 위치 정보와 제2 위치 정보를 통해 상기 외부 적외선 광이 입력된 위치를 인식하는 중첩 모드 중 어느 하나의 모드로 설정하는 신호 처리부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
7 7
제6항에 있어서,상기 적외선 모드는 외부광의 광량이 상대적으로 작은 값을 가질 때 적용되는 모드이고, 상기 외부광 모드는 외부광의 광량이 상대적으로 큰 값을 가질 때 적용되는 모드이며, 상기 중첩 모드는 외부광의 광량이 중간 값을 가질 때 적용되는 모드인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
8 8
제7항에 있어서,외부광에 포함된 적외선을 감지하는 외부 적외선 센싱부를 더 구비하고,상기 중첩 모드는 상기 외부 적외선 센싱부에서 감지된 적외선의 광량이 상기 외부 적외선 광원의 광량보다 더 작은 경우의 제1 중첩 모드와 상기 외부 적외선 센싱부에서 감지된 적외선의 광량이 상기 외부 적외선 광원의 광량보다 더 큰 경우의 제2 중첩 모드로 구분되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 위치 정보는 상기 외부 적외선 광원이 입력됨에 따라 상기 제1 센싱 트랜지스터에 입력되는 적외선 광량이 증가되면 양(+)의 값을 갖고, 상기 제1 센싱 트랜지스터에 입력되는 적외선 광량이 감소되면 음(-)의 값을 가지며,상기 제2 위치 정보는 상기 외부 적외선 광원이 입력됨에 따라 상기 제2 센싱 트랜지스터에 입력되는 외부광 광량이 증가되면 양(+)의 값을 갖고, 상기 제2 센싱 트랜지스터에 입력되는 외부광 광량이 감소되면 음(-)의 값을 가지며,상기 신호 처리부를 통해 제1 중첩 모드로 설정된 경우에는, 상기 외부 적외선 광원이 입력된 위치는 상기 제1 위치 정보와 상기 제2 위치 정보와의 차이로부터 도출되고,상기 신호 처리부를 통해 제2 중첩 모드로 설정된 경우에는, 상기 외부 적외선 광원이 입력된 위치는 상기 제1 위치 정보와 상기 제2 위치 정보의 합으로부터 도출되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
10 10
제8항에 있어서,상기 외부 적외선 센싱부는 외부광에 포함된 적외선의 변화를 감지하여 외부 적외선 감지신호를 발생하는 외부 적외선 센싱 트랜지스터를 구비하며,상기 외부 적외선 센싱 트랜지스터의 전기적, 광학적 특성이 상기 제1 센싱 트랜지스터의 전기적, 광학적 특성과 동일한 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
11 11
제8항에 있어서,상기 외부 적외선 센싱부는,병렬 연결된 복수 개의 외부 적외선 센싱 트랜지스터; 및일단이 상기 외부 적외선 센싱 트랜지스터와 연결되고 타단이 접지되어, 상기 외부 적외선 센싱 트랜지스터에 적외선이 입사될 때 발생하는 누설전류에 의한 전하가 저장되는 외부 적외선 센싱 커패시터;를 구비하고, 상기 외부 적외선 센싱 트랜지스터는 외부광에 포함된 적외선의 변화를 감지하여 외부 적외선 감지신호를 발생하며,상기 외부 적외선 센싱 커패시터의 커패시턴스 값은 상기 제1 센싱 커패시터의 커패시턴스 값과 상기 외부 적외선 센싱 트랜지스터의 개수의 곱으로 설정되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
12 12
제2항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 적외선 센싱 화소는,상기 제1 센싱 트랜지스터 상에 형성되며, 적외선만을 투과시키는 적외선 필터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
13 13
제12항에 있어서,상기 적외선 필터는 굴절율이 상대적으로 큰 제1 절연막과 굴절율이 상대적으로 작은 제2 절연막이 교번적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
14 14
제13항에 있어서,상기 제1 절연막은 TiO2, Ta2O5, ZrO2 및 ZnS 중 선택된 1종 이상으로 이루어지고, 상기 제2 절연막은 SiO2, MgF2 및 Na3AlFe 중 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
15 15
제12항에 있어서,상기 적외선 필터는 산화크롬(CrO, Cr2O3) 및 산화망간(MnO, Mn3O4, Mn2O3, MnO2, Mn2O7)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 물질로 이루어진 단일층 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
16 16
제2항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 센싱 트랜지스터, 제1 출력 스위칭 트랜지스터, 제2 센싱 트랜지스터 및 제2 출력 스위칭 트랜지스터 상에 형성되며, 빛을 반사시키는 물질로 이루어진 광 차단막을 더 구비하고,상기 광 차단막에는 상면과 하면을 관통하는 제1 관통홀과 제2 관통홀이 형성되며, 상기 제1 관통홀은 상기 제1 센싱 트랜지스터에 적외선이 입사되도록 상기 제1 센싱 트랜지스터의 상부에 형성되고, 상기 제2 관통홀은 상기 제2 센싱 트랜지스터에 외부광이 입사되도록 상기 제2 센싱 트랜지스터의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
17 17
제2항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 출력 스위칭 트랜지스터와 제2 출력 스위칭 트랜지스터의 채널 영역은 비정질 실리콘으로 이루어지고, 상기 제1 센싱 트랜지스터와 제2 센싱 트랜지스터의 채널 영역은 다결정 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널
18 18
행 방향으로 영상 게이트 배선과 센싱 게이트 배선이 형성되어 있고, 열 방향으로 제1 센싱 출력 배선과 제2 센싱 출력 배선이 교번적으로 형성되어 있는 기판;상기 기판 상에 형성되며, 상기 영상 게이트 배선과 게이트가 연결되어 있는 제1 영상 스위칭 트랜지스터와, 입사되는 적외선의 변화를 감지하여 적외선 감지신호를 발생하는 제1 센싱 트랜지스터와, 상기 제1 센싱 트랜지스터와 연결되어 상기 적외선 감지신호로부터 제1 위치 정보를 상기 제1 센싱 출력 배선으로 출력하며 게이트가 상기 센싱 게이트 배선과 연결되어 있는 제1 출력 스위칭 트랜지스터,를 구비하는 적외선 센싱 화소;상기 기판 상에 형성되며, 상기 영상 게이트 배선과 게이트가 연결되어 있는 제2 영상 스위칭 트랜지스터와, 입사되는 외부광의 변화를 감지하여 외부광 감지신호를 발생하는 제2 센싱 트랜지스터와, 상기 제2 센싱 트랜지스터와 연결되어 상기 외부광 감지신호로부터 제2 위치 정보를 상기 제2 센싱 출력 배선으로 출력하며 게이트가 상기 센싱 게이트 배선과 연결되어 있는 제2 출력 스위칭 트랜지스터,를 구비하는 외부광 센싱 화소;상기 제1 센싱 트랜지스터 상에 형성되며, 적외선만을 투과시키는 적외선 필터;상기 적외선 센싱 화소 상에 형성되고, 상기 제1 센싱 트랜지스터에 적외선이 입사되도록 상기 제1 센싱 트랜지스터의 상부에는 상면과 하면을 관통하는 제1 관통홀이 형성되어 있으며, 상기 제1 영상 스위칭 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 화소전극;상기 외부광 센싱 화소 상에 형성되고, 상기 제2 센싱 트랜지스터에 외부광이 입사되도록 상기 제2 센싱 트랜지스터의 상부에는 상면과 하면을 관통하는 제2 관통홀이 형성되어 있으며, 상기 제2 영상 스위칭 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제2 화소전극;상기 제1 화소전극 및 제2 화소전극 상에 형성되며, 양성 및 음성으로 대전된 안료 입자들을 포함하는 다수의 미소 캡슐들을 구비하는 전자영동필름; 및상기 전자영동필름 상에 형성되는 공통전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
19 19
제18항에 있어서,상기 적외선 센싱 화소는,일단이 상기 제1 센싱 트랜지스터와 연결되고 타단이 오프 전압 배선과 연결되어, 상기 제1 센싱 트랜지스터에 적외선이 입사될 때 발생하는 누설전류에 의한 전하가 저장되는 제1 센싱 커패시터를 더 구비하고,상기 외부광 센싱 화소는,일단이 상기 제2 센싱 트랜지스터와 연결되고 타단이 오프 전압 배선과 연결되어, 상기 제2 센싱 트랜지스터에 외부광이 입사될 때 발생하는 누설전류에 의한 전하가 저장되는 제2 센싱 커패시터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
20 20
제19항에 있어서,상기 적외선 센싱 화소는, 위치 정보 출력 후, 상기 제1 센싱 커패시터를 초기화하는 제1 리셋 트랜지스터를 더 구비하고,상기 외부광 센싱 화소는,위치 정보 출력 후, 상기 제2 센싱 커패시터를 초기화하는 제2 리셋 트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
21 21
제20항에 있어서,상기 제1 리셋 트랜지스터의 게이트는 인접한 다른 적외선 센싱 화소에 구비된 제1 출력 트랜지스터의 게이트와 연결되어 있는 센싱 게이트 배선과 연결되고,상기 제2 리셋 트랜지스터의 게이트는 인접한 다른 외부광 센싱 화소에 구비된 제2 출력 트랜지스터의 게이트와 연결되어 있는 센싱 게이트 배선과 연결되는 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
22 22
제18항에 있어서,상기 외부 적외선 광원이 입력된 위치를 인식하기 위해,상기 제1 위치 정보만을 통해 상기 외부 적외선 광원이 입력된 위치를 인식하는 적외선 모드, 상기 제2 위치 정보만을 통해 상기 외부 적외선 광이 입력된 위치를 인식하는 외부광 모드 및 상기 제1 위치 정보와 제2 위치 정보를 통해 상기 외부 적외선 광이 입력된 위치를 인식하는 중첩 모드 중 어느 하나의 모드로 설정하는 신호 처리부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
23 23
제22항에 있어서,상기 적외선 모드는 외부광의 광량이 상대적으로 작은 값을 가질 때 적용되는 모드이고, 상기 외부광 모드는 외부광의 광량이 상대적으로 큰 값을 가질 때 적용되는 모드이며, 상기 중첩 모드는 외부광의 광량이 중간 값을 가질 때 적용되는 모드인 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
24 24
제23항에 있어서,외부광에 포함된 적외선을 감지하는 외부 적외선 센싱부를 더 구비하고,상기 중첩 모드는 상기 외부 적외선 센싱부에서 감지된 적외선의 광량이 상기 외부 적외선 광원의 광량보다 더 작은 경우의 제1 중첩 모드와 상기 외부 적외선 센싱부에서 감지된 적외선의 광량이 상기 외부 적외선 광원의 광량보다 더 큰 경우의 제2 중첩 모드로 구분되는 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
25 25
제24항에 있어서,상기 제1 위치 정보는 상기 외부 적외선 광원이 입력됨에 따라 상기 제1 센싱 트랜지스터에 입력되는 적외선 광량이 증가되면 양(+)의 값을 갖고, 상기 제1 센싱 트랜지스터에 입력되는 적외선 광량이 감소되면 음(-)의 값을 가지며,상기 제2 위치 정보는 상기 외부 적외선 광원이 입력됨에 따라 상기 제2 센싱 트랜지스터에 입력되는 외부광 광량이 증가되면 양(+)의 값을 갖고, 상기 제2 센싱 트랜지스터에 입력되는 외부광 광량이 감소되면 음(-)의 값을 가지며,상기 신호 처리부를 통해 제1 중첩 모드로 설정된 경우에는, 상기 외부 적외선 광원이 입력된 위치는 상기 제1 위치 정보와 상기 제2 위치 정보와의 차이로부터 도출되고,상기 신호 처리부를 통해 제2 중첩 모드로 설정된 경우에는, 상기 외부 적외선 광원이 입력된 위치는 상기 제1 위치 정보와 상기 제2 위치 정보의 합으로부터 도출되는 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
26 26
제24항에 있어서,상기 외부 적외선 센싱부는 외부광에 포함된 적외선의 변화를 감지하여 외부 적외선 감지신호를 발생하는 외부 적외선 센싱 트랜지스터를 구비하며,상기 외부 적외선 센싱 트랜지스터의 전기적, 광학적 특성이 상기 제1 센싱 트랜지스터의 전기적, 광학적 특성과 동일한 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
27 27
제24항에 있어서,상기 외부 적외선 센싱부는,병렬 연결된 복수 개의 외부 적외선 센싱 트랜지스터; 및일단이 상기 외부 적외선 센싱 트랜지스터와 연결되고 타단이 접지되어, 상기 외부 적외선 센싱 트랜지스터에 적외선이 입사될 때 발생하는 누설전류에 의한 전하가 저장되는 외부 적외선 센싱 커패시터;를 구비하고, 상기 외부 적외선 센싱 트랜지스터는 외부광에 포함된 적외선의 변화를 감지하여 외부 적외선 감지신호를 발생하며,상기 외부 적외선 센싱 커패시터의 커패시턴스 값은 상기 제1 센싱 커패시터의 커패시턴스 값과 상기 외부 적외선 센싱 트랜지스터의 개수의 곱으로 설정되는 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
28 28
제18항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,상기 적외선 필터는 굴절율이 상대적으로 큰 제1 절연막과 굴절율이 상대적으로 작은 제2 절연막이 교번적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
29 29
제28항에 있어서,상기 제1 절연막은 TiO2, Ta2O5, ZrO2 및 ZnS 중 선택된 1종 이상으로 이루어지고, 상기 제2 절연막은 SiO2, MgF2 및 Na3AlFe 중 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
30 30
제18항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,상기 적외선 필터는 산화크롬(CrO, Cr2O3) 및 산화망간(MnO, Mn3O4, Mn2O3, MnO2, Mn2O7)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 물질로 이루어진 단일층 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
31 31
제18항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 출력 스위칭 트랜지스터와 제2 출력 스위칭 트랜지스터의 채널 영역은 비정질 실리콘으로 이루어지고, 상기 제1 센싱 트랜지스터와 제2 센싱 트랜지스터의 채널 영역은 다결정 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
32 32
제18항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 화소전극은 상기 제1 영상 스위칭 트랜지스터와 제1 출력 스위칭 트랜지스터에 대해 광차단막 역할을 하도록 빛을 반사시키는 물질로 이루어지며,상기 제2 화소전극은 상기 제2 영상 스위칭 트랜지스터와 제2 출력 스위칭 트랜지스터에 대해 광 차단막 역할을 하도록 빛을 반사시키는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
33 33
제18항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,상기 공통전극은 광을 투과시키는 전도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
34 34
제33항에 있어서,상기 공통전극은 ITO(indium tin oxide), AZO(Al-doped zinc oxide), IZO(indium zinc oxide), 탄소나노튜브 및 그라핀(graphene) 중 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자영동 표시장치
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1 WO2011112001 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2011112001 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부(과기부) 교육과학기술부(과기부)(한국과학재단) 기초연구사업(중견연구자지원사업) 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에 대한 연구