요약 | 투명 절연 기판에 형성된 디스플레이 장치의 화소 회로는 광감지를 위한 센싱 화소 회로를 내장하며, 센싱 동작을 위해 한개의 제어 라인을 R, G, B 화소 영역에 형성하여 개구율 감소를 줄일 수 있다. 상기 화소 회로는 커패시터, 수광소자 및 방전부를 포함한다. 수광 소자는 제어 라인 신호에 응답하여 순방향 바이어스시 상기 커패시터를 제1 전압으로 충전시키고 역방향 바이어스시 상기 커패시터에 충전된 제1 전압을 축적 구간(integration period)동안 제1 방전시킨다. 방전부는 상기 축적 구간 이후에 프리차지 전압으로 제1 프리차지된 데이터 라인의 전압을 제2 방전시켜 제1 샘플링 전압을 출력 노드에 제공하고, 상기 제2 방전후 상기 프리차지 전압으로 제2 프리차지된 데이터라인의 전압을 제3 방전시켜 제2 샘플링 전압을 상기 출력 노드에 제공한다. 화소, 개구율, AMLCD, 센싱, 센서 |
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Int. CL | G09G 3/36 (2006.01.01) G09G 3/20 (2006.01.01) G02F 1/133 (2006.01.01) G01J 1/44 (2006.01.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020080029555 (2008.03.31) |
출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0932205-0000 (2009.12.08) |
공개번호/일자 | 10-2009-0104232 (2009.10.06) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20091216) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.03.31) |
심사청구항수 | 24 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 권오경 | 대한민국 | 서울 송파구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0230732-65 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2008.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0503758-77 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2009.03.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.04.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0024963-61 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.07.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0281979-90 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.08.31 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0532470-37 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.08.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0532467-00 |
8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.08.31 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2009-0532930-38 |
9 | 보정요구서 Request for Amendment |
2009.09.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2009-0067024-06 |
10 | 무효처분통지서 Notice for Disposition of Invalidation |
2009.10.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2009-0076508-03 |
11 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.12.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0502986-83 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 커패시터; 제어 라인 신호에 응답하여 순방향 바이어스시 상기 커패시터를 제1 전압으로 충전시키고 역방향 바이어스시 상기 커패시터에 충전된 제1 전압을 축적 구간(integration period)동안 제1 방전시키는 수광소자; 및 상기 축적 구간 이후에 프리차지 전압으로 제1 프리차지된 데이터 라인의 전압을 제2 방전시켜 제1 샘플링 전압을 출력 노드에 제공하고, 상기 제2 방전후 상기 프리차지 전압으로 제2 프리차지된 데이터라인의 전압을 제3 방전시켜 제2 샘플링 전압을 상기 출력 노드에 제공하는 방전부 를 가지는 센싱 화소 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 화소 회로 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 화소 회로는 상기 제1 샘플링 전압과 상기 제2 샘플링 전압간의 차이를 검출하여 센싱 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 화소 회로 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 방전부는 상기 축적 구간 이후에 상기 데이터 라인이 상기 프리차지 전압으로 제1 프리차지된 경우 스캔 라인을 통하여 전달된 스캔 라인 신호에 응답하여 상기 제1 프리차지된 데이터라인의 전압을 상기 스캔라인으로 제2 방전시켜 상기 제1 샘플링 전압을 출력 노드에 제공하고, 상기 제2 방전후 상기 데이터 라인이 상기 프리차지 전압으로 제2 프리차지된 경우 상기 스캔 라인 신호에 응답하여 상기 제2 프리차지된 데이터라인의 전압을 상기 스캔라인으로 제3 방전시켜 상기 제2 샘플링 전압을 상기 출력 노드에 제공하는 것을 특징으로 하는 화소 회로 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 방전부는 스캔 라인에 결합된 제1 전극, 상기 커패시터의 일단에 결합된 제어 전극을 가지는 제1 트랜지스터; 및 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극에 결합된 제1 전극, 상기 스캔 라인에 결합된 제어 전극, 상기 출력 노드 및 상기 데이터 라인에 결합된 제2 전극을 가지는 제2 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 화소 회로 |
5 |
5 제1항에 있어서, 상기 방전부는 상기 제2 방전 및 상기 제3 방전시 소스 폴로어(source follower)로 동작하는 제1 트랜지스터; 및 스캔라인을 통해 전달되는 스캔 라인 신호에 응답하여 스위칭 동작을 하는 제2 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 화소 회로 |
6 |
6 제5항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터는 LTPS(Low Temperature Poly-Si) P-타입(type) TFT(Thin Film Transistor)인 것을 특징으로 하는 화소 회로 |
7 |
7 제1항에 있어서, 상기 수광소자는 역방향 바이어스시 외부광의 세기에 대응하는 광누설전류가 흘러 상기 커패시터에 충전된 제1 전압을 상기 축적 구간(integration period)동안 제1 방전시키는 p-i-m(p-intrinsic-metal) 다이오드인 것을 특징으로 하는 화소 회로 |
8 |
8 제1항에 있어서, 상기 화소 회로는 R(Red) 픽셀, G(Green) 픽셀 및 B(Blue) 픽셀로 이루어진 유닛 픽셀당 한개씩 구비되는 것을 특징으로 하는 화소 회로 |
9 |
9 제1항에 있어서, 상기 화소 회로는 R(Red) 픽셀, G(Green) 픽셀 및 B(Blue) 픽셀 중 하나의 픽셀당 한개씩 구비되는 것을 특징으로 하는 화소 회로 |
10 |
10 제1항에 있어서, 상기 화소 회로는 상기 데이터 라인 및 스캔 라인과 결합되어 상기 데이터 라인을 통해 전달된 화상 신호에 대응하여 발광소자에 의한 디스플레이 동작을 수행하는 화소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화소 회로 |
11 |
11 제10항에 있어서, 상기 화소는 AMLCD(Active Matrix Liquid Crystal Display) 화소인 것을 특징으로 하는 화소 회로 |
12 |
12 제11항에 있어서, 상기 커패시터는 상기 AMLCD 화소의 액정셀에 전기적으로 연결된 공통 전원 전압에 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 화소 회로 |
13 |
13 제10항에 있어서, 상기 화소는 OLED(Organic Light Emitting Diode) 화소인 것을 특징으로 하는 화소 회로 |
14 |
14 제13에 있어서, 상기 커패시터는 상기 OLED 화소에 전원 전압을 공급하는 전원 전압 라인에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 화소 회로 |
15 |
15 제10항에 있어서, N 번째(N은 자연수) 스캔 라인에 연결된 화소는 광 방출 동작을 수행하며, N+1 번째 스캔 라인에 연결된 센싱 화소 회로는 센싱 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 화소 회로 |
16 |
16 스캔 라인 신호를 전달하는 스캔 라인; 화상 신호를 전달하는 데이터 라인; 상기 스캔 라인을 제어하기 위한 스캔 구동부; 상기 데이터 라인을 구동하기 위한 데이터 구동부; 및 상기 스캔 라인 및 상기 데이터 라인에 전기적으로 결합되어 센싱 동작을 수행하는 센싱 화소 회로를 포함하되, 상기 센싱 화소 회로는 커패시터; 제어 라인 신호에 응답하여 순방향 바이어스시 상기 커패시터를 제1 전압으로 충전시키고 역방향 바이어스시 상기 커패시터에 충전된 제1 전압을 축적 구간(integration period)동안 제1 방전시키는 수광소자; 및 상기 축적 구간 이후에 프리차지 전압으로 제1 프리차지된 데이터 라인의 전압을 제2 방전시켜 제1 샘플링 전압을 출력 노드에 제공하고, 상기 제2 방전후 상기 프리차지 전압으로 제2 프리차지된 데이터라인의 전압을 제3 방전시켜 제2 샘플링 전압을 상기 출력 노드에 제공하는 방전부를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치 |
17 |
17 제16항에 있어서, 상기 화소 회로는 상기 제1 샘플링 전압과 상기 제2 샘플링 전압간의 차이를 검출하여 센싱 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치 |
18 |
18 제16항에 있어서, 상기 데이터 라인 및 상기 스캔 라인과 결합되어 상기 데이터 라인을 통해 전달된 화상 신호에 대응하여 발광소자에 의한 디스플레이 동작을 수행하는 화소; 및 상기 스캔 구동부와 데이터 구동부를 제어하기 위한 타이밍 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치 |
19 |
19 스캔 라인 및 데이터 라인과 전기적으로 결합된 센싱 화소 회로와 화소를 포함하는 화소 회로의 동작 방법에 있어서, 상기 센싱 화소 회로에서 제어 라인에 전기적으로 결합된 수광소자가 상기 제어 라인의 신호에 응답하여 커패시터를 제1 전압으로 충전시키는 단계; 상기 센싱 화소 회로의 수광소자에서 상기 커패시터에 충전된 제1 전압을 축적 구간(integration period)동안 제1 방전시키는 단계; 상기 센싱 화소 회로에서 상기 축적 구간 이후에 프리차지 전압으로 제1 프리차지된 데이터 라인의 전압을 제2 방전시켜 제1 샘플링 전압을 제공하는 단계; 상기 센싱 화소 회로에서 상기 제2 방전후 상기 프리차지 전압으로 제2 프리차지된 데이터 라인의 전압을 제3 방전시켜 제2 샘플링 전압을 제공하는 단계; 및 상기 센싱 화소 회로에서 상기 제1 샘플링 전압과 상기 제2 샘플링 전압간의 차이를 검출하여 센싱 동작을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화소 회로의 동작 방법 |
20 |
20 제19항에 있어서, 상기 센싱 화소 회로에서 상기 축적 구간 이후에 프리차지 전압으로 제1 프리차지된 데이터 라인의 전압을 제2 방전시켜 제1 샘플링 전압을 제공하는 단계는 상기 축적 구간 이후에 상기 데이터 라인이 상기 프리차지 전압으로 제1 프리차지된 경우 상기 스캔 라인을 통하여 전달된 스캔 라인 신호에 응답하여 상기 제1 프리차지된 데이터라인의 전압을 상기 스캔라인으로 제2 방전시켜 상기 제1 샘플링 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 화소 회로의 동작 방법 |
21 |
21 제20항에 있어서, 상기 센싱 화소 회로에서 상기 제2 방전후 상기 프리차지 전압으로 제2 프리차지된 데이터 라인의 전압을 제3 방전시켜 제2 샘플링 전압을 제공하는 단계는 상기 제2 방전후 상기 데이터 라인이 상기 프리차지 전압으로 제2 프리차지된 경우 상기 스캔 라인 신호에 응답하여 상기 제2 프리차지된 데이터 라인의 전압을 상기 스캔라인으로 제3 방전시켜 상기 제2 샘플링 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 화소 회로의 동작 방법 |
22 |
22 제19항에 있어서, 상기 센싱 화소 회로의 수광소자에서 상기 커패시터에 충전된 제1 전압을 축적 구간(integration period)동안 제1 방전시키는 단계는 상기 수광소자에 역방향 바이어스가 걸린 경우 외부광의 세기에 대응하는 광누설전류가 상기 수광 소자에 흘러 상기 커패시터에 충전된 제1 전압을 상기 축적 구간(integration period)동안 제1 방전시키는 것을 특징으로 하는 화소 회로의 동작 방법 |
23 |
23 제19항에 있어서, 상기 데이터 라인 및 상기 스캔 라인과 결합된 화소에서 상기 데이터 라인을 통해 전달된 화상 신호에 대응하여 발광소자에 의한 디스플레이 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화소 회로의 동작 방법 |
24 |
24 제19항에 있어서, N 번째(N은 자연수) 스캔 라인에 연결된 화소에서는 광 방출 동작을 수행하고, N+1 번째 스캔 라인에 연결된 센싱 화소 회로에서는 상기 센싱 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 화소 회로의 동작 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | TW200951933 | TW | 대만 | FAMILY |
2 | TWI408658 | TW | 대만 | FAMILY |
3 | WO2009145430 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
4 | WO2009145430 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | TW200951933 | TW | 대만 | DOCDBFAMILY |
2 | TWI408658 | TW | 대만 | DOCDBFAMILY |
3 | WO2009145430 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
4 | WO2009145430 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 산업자원부 | 한양대학교 산학협력단 | 차세대정보디스플레이기술개발사업 | LTPS TFT를 이용한 화소, 구동회로, 시스템용 각종 회로설계 기반기술 개발 |
특허 등록번호 | 10-0932205-0000 |
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표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20080331 출원 번호 : 1020080029555 공고 연월일 : 20091216 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20091204 청구범위의 항수 : 24 유별 : G09G 3/36 발명의 명칭 : 화소 회로, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 화소 회로의동작 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 490,500 원 | 2009년 12월 08일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 568,000 원 | 2012년 10월 11일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 568,000 원 | 2013년 09월 30일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 397,600 원 | 2014년 10월 08일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 1,012,000 원 | 2015년 10월 12일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 708,400 원 | 2016년 10월 04일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 708,400 원 | 2017년 09월 26일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 780,000 원 | 2018년 11월 05일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 780,000 원 | 2019년 09월 05일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0230732-65 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2008.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0503758-77 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2009.03.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2009.04.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0024963-61 |
5 | 의견제출통지서 | 2009.07.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0281979-90 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.08.31 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0532470-37 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.08.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0532467-00 |
8 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.08.31 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2009-0532930-38 |
9 | 보정요구서 | 2009.09.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2009-0067024-06 |
10 | 무효처분통지서 | 2009.10.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2009-0076508-03 |
11 | 등록결정서 | 2009.12.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0502986-83 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
기술번호 | KST2014043728 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한양대학교 |
기술명 | 화소 회로, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 화소 회로의동작 방법 |
기술개요 |
투명 절연 기판에 형성된 디스플레이 장치의 화소 회로는 광감지를 위한 센싱 화소 회로를 내장하며, 센싱 동작을 위해 한개의 제어 라인을 R, G, B 화소 영역에 형성하여 개구율 감소를 줄일 수 있다. 상기 화소 회로는 커패시터, 수광소자 및 방전부를 포함한다. 수광 소자는 제어 라인 신호에 응답하여 순방향 바이어스시 상기 커패시터를 제1 전압으로 충전시키고 역방향 바이어스시 상기 커패시터에 충전된 제1 전압을 축적 구간(integration period)동안 제1 방전시킨다. 방전부는 상기 축적 구간 이후에 프리차지 전압으로 제1 프리차지된 데이터 라인의 전압을 제2 방전시켜 제1 샘플링 전압을 출력 노드에 제공하고, 상기 제2 방전후 상기 프리차지 전압으로 제2 프리차지된 데이터라인의 전압을 제3 방전시켜 제2 샘플링 전압을 상기 출력 노드에 제공한다. 화소, 개구율, AMLCD, 센싱, 센서 |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 디스플레이 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1415091274 |
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세부과제번호 | F0004060-2008-31 |
연구과제명 | 다기능복합디스플레이기반기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200805~201205 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345096913 |
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세부과제번호 | 과C6A1612 |
연구과제명 | 수요지향적정보기술전문인력양성사업단 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
[1020090130343] | 3차원 입체 구조를 가지는 비휘발성 메모리 | 새창보기 |
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[1020090129120] | 3차원 디스플레이장치에서 홍채 시선 검출을 통한 안구 운동 장치 및 방법 | 새창보기 |
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