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초소수성 표면을 갖는 재료의 제조방법 및 이에 따라 제조된 초소수성 재료

  • 기술번호 : KST2014044152
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초소수성 표면을 갖는 재료를 제조하는 방법 및 그에 따라 제조된 초소수성 재료에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 전기화학적 방법으로 초소수성 표면을 갖는 재료를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 초소수성 표면을 갖는 재료의 제조방법은, 표면 처리용 기재를 준비하는 단계; 상기 기재의 표면에 전기화학적 방법으로 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층을 양극산화 공정으로 산화시켜 나노구조의 금속산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 나노구조의 금속산화물층의 표면에 소수성 유기 단분자층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 전기화학적인 방법을 사용하여 초소수성 표면을 갖는 재료를 제조함으로써 대면적의 재료에 사용이 가능하고, 고가의 장비나 재료를 사용할 필요가 없어 생산비가 감소하는 효과가 있다.초소수성, 셀프-클리닝, 내지문성, 스테인리스 강, 전기화학, 양극산화
Int. CL C23C 16/44 (2006.01.01) B05D 7/14 (2006.01.01) C23C 18/18 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C23C 16/4414(2013.01) C23C 16/4414(2013.01) C23C 16/4414(2013.01) C23C 16/4414(2013.01) C23C 16/4414(2013.01)
출원번호/일자 1020080072335 (2008.07.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1141619-0000 (2012.04.24)
공개번호/일자 10-2010-0011213 (2010.02.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120517) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.10)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용신 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0533724-73
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0536416-30
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0487229-05
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0603019-13
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0042880-16
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0133125-03
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0313001-71
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0313002-16
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0655906-43
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0891307-37
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0891308-83
13 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0223405-50
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면 처리용 기재를 준비하는 단계;상기 기재의 표면에 전기화학적 방법으로 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층을 양극산화 공정으로 산화시켜 나노구조의 금속산화물층을 형성하는 단계; 및상기 나노구조의 금속산화물층의 표면에 티올 또는 실란 계열 화합물의 유기단분자층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면을 갖는 재료의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기재의 표면에 금속층을 형성하는 단계에 앞서, 기재의 표면에 마이크로 단위의 요철을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면을 갖는 재료의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 기재의 표면에 마이크로 단위의 요철을 형성하는 방법이 벨트연마공정, 반도체식각공정, 핫엠보싱공정 및 임프린팅공정 중에 하나인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면을 갖는 재료의 제조방법
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기재의 표면에 금속층을 형성하는 단계에서, 금속층이 기재 표면의 70%미만을 덮는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면을 갖는 재료의 제조방법
5 5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기재의 표면에 금속층을 형성하는 전기화학적 방법이 전기도금방법인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면을 갖는 재료의 제조방법
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기재가 스테인리스 강재인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면을 갖는 재료의 제조방법
7 7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속층을 형성하는 금속재료가 구리인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면을 갖는 재료의 제조방법
8 8
제7항에 있어서상기 나노구조의 금속산화물층을 형성하는 단계가 0
9 9
삭제
10 10
제1항에 있어서,상기 유기단분자층에 사용되는 실란 계열 화합물이, R-Si-(OR)3계열 화합물 R-Si-Cl3계열 화합물 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면을 갖는 재료의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,R-Si-(OR)3계열 화합물은, n-옥타데실트리메톡시실란, n-옥타데실트리에톡시실란, n-옥틸트리에톡시실란, n-프로필트리메톡시실란 및 n-프로필트리에톡시실란로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면을 갖는 재료의 제조방법
12 12
제10항에 있어서,R-Si-Cl3계열 화합물은, n-옥타데실트리클로로실란, n-옥타트리클로로실란 및 n-프로필트리클로로실란으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면을 갖는 재료의 제조방법
13 13
기재;상기 기재의 표면에 전기화학적인 방법으로 코팅된 금속층을 양극산화방법으로 산화하여 형성된 나노구조의 금속산화물층; 및상기 금속산화물층의 표면에 형성된 티올 또는 실란 계열 화합물의 유기단분자층을 포함하며, 물에 대한 접촉각이 150°이상인 것을 특징으로 하는 초소수성 재료
14 14
제13항에 있어서,상기 금속산화물층이 상기 기재 표면의 70% 미만을 덮고 있는 것을 특징으로 하는 초소수성 재료
15 15
제13항에 있어서,상기 기재가 스테인리스 강인 것을 특징으로 하는 초소수성 재료
16 16
제13항에 있어서,상기 금속산화물층이 구리산화물인 것을 특징으로 하는 초소수성 재료
17 17
삭제
18 18
제13항에 있어서,상기 유기단분자층에 사용되는 실란 계열 화합물이, R-Si-(OR)3계열 화합물 R-Si-Cl3계열 화합물 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 초소수성 재료
19 19
제18항에 있어서,R-Si-(OR)3계열 화합물은, n-옥타데실트리메톡시실란, n-옥타데실트리에톡시실란, n-옥틸트리에톡시실란, n-프로필트리메톡시실란 및 n-프로필트리에톡시실란로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 초소수성 재료
20 20
제18항에 있어서,R-Si-Cl3계열 화합물은, n-옥타데실트리클로로실란, n-옥타트리클로로실란 및 n-프로필트리클로로실란으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 초소수성 재료
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술재단 한양대학교 산학협력중심대학육성사업 화학 표면처리법을 이용한 내지문형 스테인리스강 개발