요약 | 레이저를 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀, 이를 위한 제조장치가 제공된다. 본 발명에 따른 레이저를 이용한 그래핀 제조방법은 실리콘층 및 실리콘 산화물층이 순차적으로 적층된 기판에 탄소를 함유하는 반응가스를 접촉시키는 단계; 반응가스와 접촉하는 기판에 레이저 빔을 조사하여, 상기 반응가스를 분해시키는 단계를 포함하며, 상기 반응가스의 분해에 따라 상기 기판 상에는 그래핀이 성장하는 것을 특징으로 하며, 본 발명의 그래핀 제조방법에 따르면, 나노초 이상의 펄스를 가지는 레이저 빔을 이용, 펨토초 수준의 분해속도를 갖는 탄소함유 기체(메탄)를 분해시킨다. 이에 따라 대면적으로 그래핀을 성장, 제조할 수 있으며, 더 나아가 원하는 기판 영역으로만 레이저를 선택적으로 조사함으로써 원하는 패턴의 그래핀을 제조할 수 있다. |
---|---|
Int. CL | B01J 19/08 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01) C23C 16/26 (2006.01) |
CPC | C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020100091217 (2010.09.16) |
출원인 | 한국과학기술원 |
등록번호/일자 | 10-1127742-0000 (2012.03.09) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20120322) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2010.09.16) |
심사청구항수 | 21 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 이건재 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
2 | 최인성 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
3 | 최성율 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
4 | 홍병희 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인 다해 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.09.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0604676-71 |
2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2011.10.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0779139-68 |
3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.01.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0007991-72 |
4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.01.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0016261-25 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.01.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0016259-33 |
6 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.03.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0132286-01 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 그래핀 제조방법으로, 상기 방법은 기판에 탄소를 함유하는 반응가스를 접촉시키는 단계;반응가스와 접촉하는 기판에 레이저 빔을 조사하여, 상기 반응가스를 분해시키는 단계를 포함하며, 상기 반응가스의 분해에 따라 상기 기판 상에는 그래핀이 성장하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 기판은 금속촉매층이 없는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 기판은 상부층으로 실리콘 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
4 |
4 제 1항에 있어서, 상기 레이저 빔은 기판의 일 영역에 조사되며, 레이저 빔이 조사된 상기 일 영역에서 그래핀이 성장하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 방법은 상기 기판의 이동에 따라 상기 레이저 빔에 의하여 그래핀이 성장하는 영역이 이동되는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 방법은 상기 레이저 빔의 이동에 따라 상기 레이저 빔에 의하여 그래핀이 성장하는 영역이 이동되는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
7 |
7 제 1항에 있어서, 상기 그래핀 성장 단계의 온도는 900 내지 2000℃인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
8 |
8 제 1항에 있어서, 상기 반응가스는 메탄, 수소 및 불활성가스의 혼합 가스이며, 메탄은 상기 조사되는 레이저 빔에 의하여 분해되어, 그래핀 성장을 위한 탄소를 공급하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
9 |
9 제 1항에 있어서, 상기 레이저 빔은 엑시머 레이저 또는 고체 레이저인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
10 |
10 삭제 |
11 |
11 그래핀 제조방법으로, 상기 방법은 촉매금속층을 상부층으로 포함하는 기판에 탄소를 함유하는 반응가스를 접촉시키는 단계;반응가스와 접촉하는 기판에 레이저 빔을 조사하여, 상기 반응가스를 분해시키는 단계를 포함하며, 상기 반응가스의 분해에 따라 상기 기판 상에는 그래핀이 성장하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
12 |
12 제 11항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판 또는 구리 포일(foil)인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
13 |
13 제 11항에 있어서, 상기 레이저 빔은 기판의 일 영역에 조사되며, 레이저 빔이 조사된 상기 일 영역에서 그래핀이 성장하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
14 |
14 제 11항에 있어서, 상기 방법은 상기 기판의 이동에 따라 상기 레이저 빔에 의하여 그래핀이 성장하는 영역이 이동되는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
15 |
15 제 11항에 있어서, 상시 방법은 상기 레이저 빔의 이동에 따라 상기 레이저 빔에 의하여 그래핀이 성장하는 영역이 이동되는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
16 |
16 제 11항에 있어서, 상기 그래핀 성장 단계의 온도는 900 내지 2000℃인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
17 |
17 제 11항에 있어서, 상기 반응가스는 메탄, 수소 및 불활성가스의 혼합 가스이며, 여기에서 메탄은 상기 조사되는 레이저 빔에 의하여 분해되어, 그래핀 성장을 위한 탄소를 공급하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
18 |
18 제 11항에 있어서, 상기 레이저 빔은 엑시머 레이저 또는 고체 레이저인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법 |
19 |
19 삭제 |
20 |
20 그래핀 제조장치로서, 그래핀이 성장되는 기판이 내부에 적치되는 챔버; 상기 챔버에 구비되어, 상기 챔버 내부로 탄소를 함유하는 반응가스를 주입하기 위한 주입수단;챔버에 적치된 상기 기판에 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 수단; 및 상기 레이저 빔 조사 수단 또는 기판을 이동시키는 이동수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조장치 |
21 |
21 제 20항에 있어서, 상기 챔버에는 상기 기판이 놓이는 플레이트가 구비되며, 상기 플레이트는 기판을 가열시키기 위한 가열 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조장치 |
22 |
22 제 20항에 있어서, 상기 반응가스는 메탄, 수소 및 불활성가스의 혼합 가스이며, 여기에서 메탄은 상기 조사되는 레이저 빔에 의하여 분해되어, 그래핀 성장을 위한 탄소를 공급하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조장치 |
23 |
23 제 20항에 있어서, 상기 이동수단에 의하여 기판에 대한 상기 레이저 빔의 조사영역은 순차적으로 이동하며, 이에 따라 연속적으로 그래핀이 기판에서 성장할 수 있는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조장치 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | KR101113287 | KR | 대한민국 | FAMILY |
2 | KR101169538 | KR | 대한민국 | FAMILY |
3 | KR1020120029663 | KR | 대한민국 | FAMILY |
4 | US20120068161 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-1127742-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20100916 출원 번호 : 1020100091217 공고 연월일 : 20120322 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120306 청구범위의 항수 : 21 유별 : C01B 31/02 발명의 명칭 : 레이저를 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀, 이를 위한 제조장치 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 432,000 원 | 2012년 03월 09일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 351,400 원 | 2015년 02월 26일 | 납입 |
제 5 - 7 년분 | 금 액 | 1,520,760 원 | 2016년 02월 25일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 449,000 원 | 2019년 03월 04일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 449,000 원 | 2020년 03월 02일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.09.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0604676-71 |
2 | [출원서등 보정]보정서 | 2011.10.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0779139-68 |
3 | 의견제출통지서 | 2012.01.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0007991-72 |
4 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.01.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0016261-25 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.01.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0016259-33 |
6 | 등록결정서 | 2012.03.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0132286-01 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
기술번호 | KST2014046880 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한국과학기술원 |
기술명 | 레이저를 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀, 이를 위한 제조장치 |
기술개요 |
레이저를 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀, 이를 위한 제조장치가 제공된다. 본 발명에 따른 레이저를 이용한 그래핀 제조방법은 실리콘층 및 실리콘 산화물층이 순차적으로 적층된 기판에 탄소를 함유하는 반응가스를 접촉시키는 단계; 반응가스와 접촉하는 기판에 레이저 빔을 조사하여, 상기 반응가스를 분해시키는 단계를 포함하며, 상기 반응가스의 분해에 따라 상기 기판 상에는 그래핀이 성장하는 것을 특징으로 하며, 본 발명의 그래핀 제조방법에 따르면, 나노초 이상의 펄스를 가지는 레이저 빔을 이용, 펨토초 수준의 분해속도를 갖는 탄소함유 기체(메탄)를 분해시킨다. 이에 따라 대면적으로 그래핀을 성장, 제조할 수 있으며, 더 나아가 원하는 기판 영역으로만 레이저를 선택적으로 조사함으로써 원하는 패턴의 그래핀을 제조할 수 있다. |
개발상태 | 기술개발완료 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 기타 분자 화학공정 기술 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345145475 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0088402 |
연구과제명 | 마이크로스트럭쳐 반도체(μs-Sc)기술을 활용한 플렉서블 고감도 바이오 센서 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200909~201208 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | BT(생명공학기술) |
과제고유번호 | 1345156443 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0068063 |
연구과제명 | 바이오-IT 융합 기술을 위한 인쇄가능한 반도체 재료 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200905~201204 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345166334 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-0009903 |
연구과제명 | 플렉시블 디스플레이 신모드 개발 및 특성 향상 기술 연구 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 200709~201602 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345121182 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-0009903 |
연구과제명 | 플렉시블 디스플레이 신모드 개발 및 특성 향상 기술 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200709~201602 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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