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플렉서블 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자

  • 기술번호 : KST2015119292
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플렉서블 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 플렉서블 소자 제조방법은 순차적으로 적층된 하부 실리콘층, 절연층 및 상부 실리콘층으로 이루어진 SOI(Silicon-On-Insulator)의 상부 실리콘층 상에 소자를 제조하는 단계; 상기 상부 실리콘층에 제 2 실리콘 기판을 접합시키는 단계; 상기 하부 실리콘층을 제거하는 단계; 상기 2실리콘 기판을 이용, 상기 소자가 제조된 상부 실리콘층을 플렉서블 기판에 전사시키는 단계; 및 상기 플렉서블 기판 상에 패시베이션층을 적층하는 단계를 더 포함하며, 여기에서 상기 패시베이션층의 적층에 따라 상기 소자는 상기 전체 소자의 중성역학층 위치를 포함하도록 구비되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) H01L 27/12 (2006.01)
CPC H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01)
출원번호/일자 1020120014138 (2012.02.13)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0092706 (2013.08.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.13)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이건재 대한민국 대전 유성구
2 이귀로 대한민국 대전 유성구
3 황건태 대한민국 대전 유성구
4 임동구 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0112214-19
2 보정요구서
Request for Amendment		 2012.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0022347-32
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0185064-56
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0142976-12
9 보정요구서
Request for Amendment		 2017.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0026440-57
10 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2017.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0190166-16
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0062156-95
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0313778-15
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0672409-12
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0672410-69
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0723271-30
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
순차적으로 적층된 하부 실리콘층, 절연층 및 상부 실리콘층으로 이루어진 SOI(Silicon-On-Insulator)의 상부 실리콘층 상에 소자를 제조하는 단계;상기 상부 실리콘층에 제 2 실리콘 기판을 접합시키는 단계;상기 하부 실리콘층을 제거하는 단계; 상기 2실리콘 기판을 이용, 상기 소자가 제조된 상부 실리콘층을 플렉서블 기판에 전사시키는 단계; 및 상기 플렉서블 기판 상에 패시베이션층을 적층하는 단계를 더 포함하며, 여기에서 상기 패시베이션층의 적층에 따라 상기 소자는 상기 전체 소자의 중성역학층 위치를 포함하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 상부 실리콘층과 제 2 실리콘 기판은 상기 상부 실리콘층 상에 도포된 접착층에 의하여 접착되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 하부 실리콘층 제거는 실리콘 제거용 식각액에 상기 하부 실리콘층을 침지시키는 습식 식각 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 방법은 상기 전사 후, 상기 제 2 실리콘 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 패시베이션층은 폴리머 또는 세라믹 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 플렉서블 기판은 LCP 기판인 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법
7 7
순차적으로 적층된 하부 실리콘층, 절연층 및 상부 실리콘층으로 이루어진 SOI(Silicon-On-Insulator) 기판의 상부 실리콘층 상에 소자를 제조하는 단계;상기 상부 실리콘층상에 접착층을 도포하는 단계;상기 접착층을 통하여 상기 상부 실리콘층과 제 2 실리콘 기판을 접합시키는 단계;상기 하부 실리콘층을 제거하는 단계; 상기 제 2 실리콘 기판을 이용하여, 상기 소자가 상부에 형성된 상부 실리콘층을 플렉서블 기판에 전사시키는 단계; 및 상기 플렉서블 기판 상에 패시베이션층을 적층하는 단계를 더 포함하며, 여기에서 상기 패시베이션층의 적층에 따라 상기 소자는 상기 전체 소자의 중성역학층 위치를 포함하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 방법은상기 SOI 기판 상에 상기 소자는 복수 개 형성되며, 상기 형성된 복수 개의 소자는 기계적으로 분할되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 패시베이션층은 폴리머 또는 세라믹 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법
10 10
플렉서블 소자로서, 상기 소자는 플렉서블 기판;상기 플렉서블 기판 상에 구비된 소자;상기 소자 상에 형성된 패시베이션층을 포함하며, 여기에서 상기 소자는 전체 플렉서블 소자의 중성 역학층 위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자
11 11
제 10항에 있어서, 상기 플렉서블 소자는 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조되며, 이로써 상기 소자는 절연층-상부실리콘층으로 이루어진 SOI 기판의 부분 기판 상에 형성된 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자
12 12
제 10항에 있어서, 생체 이식 형 신경보철기의 집적회로로 사용하기 위해 상기 플렉서블 기판 및 패시베이션층은 LCP이며, 상기 소자는 LCP 내부로 삽입된 구조인 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자
13 13
제 10항 내지 제 11항에 따른 플렉서블 소자를 포함하는 디스플레이
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101288197 KR 대한민국 FAMILY
2 US20130082361 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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