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절연 나노입자를 이용한 상변화 메모리 소자, 플렉서블 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2015115772
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 절연 나노입자를 이용한 상변화 메모리 소자, 플렉서블 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법이 제공된다.본 발명에 따른 절연 나노입자를 이용한 상변화 메모리 소자는 전극 및 상기 전극과 접촉하며, 상기 전극으로부터 발생한 열에 따라 상변화가 발생하는 상변화층을 포함하는 상변화 메모리 소자에 있어서, 상기 전극과 결정화 및 비정질화가 일어나는 상변화층 사이에는 자기조립 블록공중합체로부터 형성된 절연 나노입자가 구비되는 것을 특징으로 한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) |
| CPC | H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020120010649 (2012.02.02) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0095782 (2012.08.29) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 거절 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | 10-2011-0015021 (2011.02.21) |
| 관련 출원번호 | 1020110015021;1020160172759 |
| 심사청구여부/일자 | Y (2015.12.11) |
| 심사청구항수 | 16 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이건재 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 정연식 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 유병국 | 대한민국 | 경기 안산시 상록구 |
| 4 | 문범호 | 대한민국 | 부산광역시 사하구 |
| 5 | 황건태 | 대한민국 | 부산 남구 |
| 6 | 정재원 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 7 | 최재석 | 대한민국 | 충남 청양군 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인 다해 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 최종권리자 정보가 없습니다 | |||
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application |
2012.02.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0087354-15 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2015.12.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1214611-39 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2016.03.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0172935-00 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2016.05.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0438607-54 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2016.05.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0438620-48 |
| 10 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2016.08.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0583705-34 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2016.09.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0900340-29 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2016.09.19 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2016-0900341-75 |
| 13 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2016.10.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0744497-19 |
| 14 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration) |
2016.11.14 | 수리 (Accepted) | 7-1-2016-0063488-17 |
| 15 | [분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application |
2016.12.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-1238202-65 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 전극 및 상기 전극과 접촉하며, 상기 전극으로부터 발생한 열에 따라 상변화가 발생하는 상변화층을 포함하는 상변화 메모리 소자에 있어서, 상기 전극과 결정화 및 비정질화가 일어나는 상변화층 사이에는 자기조립 블록공중합체로부터 형성된 절연 나노입자가 구비되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 전극은 상기 상변화층 아래의 하부전극인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 패터닝은 자기조립된 상기 블록공중합체의 특정 중합체 블록을 제거하는 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 4 |
4 제 3항에 있어서, 상기 제거된 중합체 블록 영역에서 상기 상변화층과 전극은 접촉하며, 상기 전극에서 발생한 열에 따라 상기 상변화층의 결정형이 변화되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌-폴리디메틸실록산, 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌-폴리(2-비닐피리딘), 폴리(2-비닐피리딘)-폴리디메틸실록산, 폴리스티렌- 폴리페로세이닐실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체는 실리콘 함유 블록공중합체이며, 상기 절연 나노입자는 실리콘 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 7 |
7 제 6항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌-폴리디메틸실록산 또는 폴리스티렌- 폴리페로세이닐실란인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 8 |
8 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 상변화 메모리 소자가 플렉서블 기판 상에 구비된 플렉서블 상변화 메모리 소자 |
| 9 |
9 상변화층 및 상기 상변화층에 열을 인가하여 상기 상변화층 물질의 결정화 또는 비정질화를 발생시키는 전극을 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법에 있어서, 전극상에 블록공중합체를 도포한 후, 어닐링하여 자기조립시키는 단계;자기조립된 상기 블록공중합체의 일부 중합체 블록을 제거하여 절연 나노입자를 형성하는 단계; 및상기 전극 및 절연 나노입자상에 상변화층을 적층하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 제거된 블록 영역에서 상기 상변화층과 전극은 서로 접촉하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법 |
| 10 |
10 제 9항에 있어서, 상기 방법은상기 전극 상에 브러쉬층을 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법 |
| 11 |
11 제 9항에 있어서, 상기 전극은 질화티타늄(TiN), 상기 상변화층은 칼코게나이드 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법 |
| 12 |
12 제 9항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌-폴리디메틸실록산 공중합체, 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌-폴리(2-비닐피리딘), 폴리(2-비닐피리딘)-폴리디메틸실록산, 폴리스티렌- 폴리페로세이닐실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법 |
| 13 |
13 제 9항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 다른 방법에 의하여 제조된 상변화 메모리 소자 |
| 14 |
14 플렉서블 상변화 메모리 소자로서, 상기 소자는 플렉서블 기판; 및상기 플레서블 기판에 구비되며, 상변화층 및 하부전극을 포함하는 상변화 메모리 소자를 포함하며, 여기에서 상기 상변화층 및 하부전극 사이에는 블록공중합체로부터 형성된 절연 나노입자가 구비되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 상변화 메모리 소자 |
| 15 |
15 제 14항에 있어서, 상기 상변화 메모리 소자는 유연한 실리콘 반도체; 상기 실리콘 반도체 상에 형성된 소스/드레인 도핑층;상기 소스/드레인 도핑층의 도핑영역에 각각 연결된 워드라인 전극 및 비트라인 전극; 및상기 비트라인 전극 상에 순차적으로 적층된 하부전극과 상변화층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 상변화 메모리 소자 |
| 16 |
16 제 15항에 있어서, 상기 실리콘 반도체는 단결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 플렉서블 상변화 메모리 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | KR101202506 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 2 | KR101290003 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 3 | KR1020160150282 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 4 | US08822970 | US | 미국 | FAMILY |
| 5 | US20130001502 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 | ||||
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [분할출원]특허출원서 | 2012.02.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0087354-15 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2015.12.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1214611-39 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2016.03.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0172935-00 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2016.05.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0438607-54 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2016.05.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0438620-48 |
| 10 | 거절결정서 | 2016.08.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0583705-34 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2016.09.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0900340-29 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2016.09.19 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2016-0900341-75 |
| 13 | 거절결정서 | 2016.10.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0744497-19 |
| 14 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2016.11.14 | 수리 (Accepted) | 7-1-2016-0063488-17 |
| 15 | [분할출원]특허출원서 | 2016.12.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-1238202-65 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345166334 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0009903 |
| 연구과제명 | 플렉시블 디스플레이 신모드 개발 및 특성 향상 기술 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200709~201602 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345177443 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0023417 |
| 연구과제명 | 산화물 나노결정 기반의 고투명, 친환경, flexible 태양전지 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 201009~201308 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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