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LCP를 이용한 플렉서블 전자소자 제조방법 및 이를 이용한 플렉서블 메모리 소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2014047235
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 ＬＣＰ를 이용한 플렉서블 전자소자 제조방법 및 이를 이용한 플렉서블 메모리 소자 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 플렉서블 전자소자 제조방법은 희생기판 상에서 전자소자를 제조하는 단계; 상기 제조된 전자소자를 LCP 기판에 전사시키는 단계; 및 상기 전자소자 상에 LCP 코팅층을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며,본 발명에 따른 플렉서블 소자 제조방법 및 이를 이용한 플렉서블 메모리 소자 제조방법은 소자의 하부 기판 및 상부 코팅층으로 LCP를 사용한다. 따라서, 한 번의 고온 과정을 통하여 하부 기판과 상부 코팅층이 동시에 소자의 상, 하부와 접합되므로, 공정 경제적이다. 더 나아가, 코팅층으로 사용된 LCP의 우수한 방수성에 따라 본 발명에 따른 플렉서블 전자소자는 인체 내와 같은 용액 환경에서도 효과적으로 구동할 수 있다. 더 나아가 본 발명에 따라 제조된 플렉서블 소자는 높은 항복 전압 등의 우수한 전기적 특성을 나타낸다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) H01L 21/8229 (2006.01) H01L 27/12 (2006.01)
CPC H01L 21/8229(2013.01) H01L 21/8229(2013.01) H01L 21/8229(2013.01) H01L 21/8229(2013.01) H01L 21/8229(2013.01) H01L 21/8229(2013.01)
출원번호/일자 1020110012806 (2011.02.14)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1187632-0000 (2012.09.26)
공개번호/일자 10-2012-0092891 (2012.08.22) 문서열기
공고번호/일자 (20121008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120025179;
심사청구여부/일자 Y (2011.02.14)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이건재 대한민국 대전광역시 유성구
2 김승준 대한민국 대전광역시 유성구
3 김성준 대한민국 서울특별시 서초구
4 이성은 대한민국 서울특별시 관악구
5 전누리 대한민국 서울특별시 서초구
6 변재환 대한민국 경기도 남양주시 도농로 **,
7 류현렬 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0103165-24
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0219274-34
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0280576-37
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0097876-34
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0026670-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0199009-27
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.03.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0199010-74
9 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2012.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0199042-24
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0511419-11
11 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2012.09.26 수리 (Accepted) 2-1-2012-0467616-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
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플렉서블 메모리 소자 제조방법으로, 상기 방법은 순차적으로 적층된 벌크 실리콘 기판, 절연층 및 상부 실리콘 기판으로 이루어진 SOI 기판의 상부 기판에 소스 및 드레인 영역을 포함하는 메모리 소자 영역을 형성하는 단계; 상기 메모리 소자 영역을 벌크 실리콘 기판으로부터 분리한 후, 이를 LCP 기판에 전사시키는 단계; 상기 메모리 소자 영역상에 절연층을 형성시키고, 소스, 드레인 전극 컨택 홀을 형성시키는 단계; 상기 절연층 상에 금속층을 적층한 후, 패터닝하여 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 형성시키는 단계; 상기 소스 전극과 연결되는 하부 비트라인 전극, 상기 하부 비트라인 전극 상의 그래핀산화물층 및 상기 그래핀산화물층 상의 상부 비트라인 전극으로 이루어진 비트라인 전극을 형성하는 단계; 상기 메모리 소자의 비트라인 전극과 게이트 전극에 각각 연결되는 비트라인 및 워드 라인을 형성하는 단계; 상기 드레인 전극과 연결되는 그라운드 라인을 형성하는 단계; 및 상기 소자 상에 LCP 코팅층을 도포한 후, 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 소자 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 전사 단계는 상기 메모리 소자 영역 주변의 상부 실리콘 기판을 수직 식각하여, 하부 절연층을 노출시키는 단계; 상기 절연층을 비등방식각하여 상기 상부 실리콘 기판을 하부 벌크 실리콘 기판으로부터 분리하는 단계; 및 상기 분리된 메모리 소자 영역의 상부 실리콘 기판을 전사층을 이용, LCP 기판에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 소자 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 메모리 소자 영역 주변은 복수 개의 식각선으로 식각되며, 상기 복수 개의 식각 선은 서로 연결되지 않는 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 소자 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 메모리 소자 영역이 전사되는 LCP 기판 상에는 폴리이미드가 적층된 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 소자 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 워드라인, 비트라인 및 그라운드 라인 사이에는 층간 절연층이 형성된 것을 특징으로 하는 플렉서블 메모리 소자 제조방법
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청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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