| 1 |
1
플라즈마를 발생시키도록 전원에 전기적으로 연결되는 안테나의 하측에 위치하여 아래쪽에서 발생되는 플라즈마를 차단시키는 유전체부(Dielectric)의 상면 또는 하면과 접촉하면서 배치되고, 위치에 따라 다른 구조를 가지는 측정 패턴을 포함하되,
상기 측정 패턴은 위치에 따라 불균일하게 배치되어, 위치에 따라 다른 에너지 전달 조건으로 플라즈마를 생성하고,
상기 측정 패턴은 위치에 따라 다른 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 측정 패턴 구조체
|
| 2 |
2
플라즈마를 발생시키도록 전원에 전기적으로 연결되는 안테나의 하측에 위치하여 아래쪽에서 발생되는 플라즈마를 차단시키는 유전체부의 상면 또는 하면과 접촉하면서 배치되고, 위치에 따라 다른 두께를 가지는 측정 패턴을 포함하는 측정 패턴 구조체를 제공한 뒤,
상기 안테나에 전력을 인가하여 형성된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하고, 상기 기판의 공정 결과를 위치에 따라 조사하여 최적 공정 결과를 선택하고,
상기 최적 공정 결과에 대응하는 측정 패턴을 전사함으로써 형성되는 보정 구조체
|
| 3 |
3
기판이 장착되는 기판 홀더;
플라즈마를 차단하도록 상기 기판 홀더와 이격되어 배치되는 유전체부;
플라즈마를 발생시키도록 전원에 전기적으로 연결되어 상기 유전체부의 상측에 배치되는 안테나; 및
상기 유전체부의 상면 또는 하면과 접촉하면서 배치되고, 위치에 따라 다른 구조를 가지는 측정 패턴을 포함하는 측정 패턴 구조체를 포함하되,
상기 측정 패턴 구조체는,
제1 측정 패턴을 포함하되,
상기 제1 측정 패턴은 위치에 따라 다른 두께를 가지고, 상기 제1 측정 패턴은 실리콘, 세라믹, 또는 쿼츠이고,
상기 측정 패턴 구조체는 위치에 따라 다른 에너지 인가 조건으로 플라즈마를 생성하는 기판 처리 장치
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
기판이 장착되는 기판 홀더;
플라즈마를 차단하도록 상기 기판 홀더와 이격되어 배치되는 유전체부;
플라즈마를 발생시키도록 전원에 전기적으로 연결되어 상기 유전체부의 상측에 배치되는 안테나; 및
상기 유전체부의 상면 또는 하면과 접촉하면서 배치되고, 위치에 따라 다른 구조를 가지는 측정 패턴을 포함하는 측정 패턴 구조체를 포함하되,
상기 측정 패턴 구조체는,
제1 측정 패턴; 및
상기 제1 측정 패턴 상에 배치된 제2 측정 패턴을 포함하되,
상기 제1 측정 패턴의 두께와 및 상기 제2 측정 패턴의 두께의 합은 위치에 따라 일정한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
|
| 6 |
6
기판이 장착되는 기판 홀더;
플라즈마를 차단하도록 상기 기판 홀더와 이격되어 배치되는 유전체부;
플라즈마를 발생시키도록 전원에 전기적으로 연결되어 상기 유전체부의 상측에 배치되는 안테나; 및
상기 유전체부의 상면 또는 하면과 접촉하면서 배치되고, 위치에 따라 다른 구조를 가지는 측정 패턴을 포함하는 측정 패턴 구조체를 포함하되,
상기 유전체부는,
원판 형상이고,
상기 안테나는,
1 회전(1-turn)형 안테나, 다중 회전(Multi-turn)형 안테나, 스파이럴(Spiral) 안테나, 입체형 안테나, 병렬 공진형 안테나 및 복수의 주파수를 포함하는 복합형 안테나 중의 어느 하나이며,
상기 측정 패턴 구조체는,
원형으로서 방위각을 따라 복수로 균등 분할되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
|
| 7 |
7
플라즈마를 발생시키도록 전원에 전기적으로 연결되는 안테나의 하측에 위치하여 아래쪽에서 발생되는 플라즈마를 차단시키는 유전체부의 상면 또는 하면과 접촉하면서 배치되고, 위치에 따라 다른 구조를 가지는 측정 패턴을 포함하는 측정 패턴 구조체를 제공하는 단계;
상기 안테나에 전력을 인가하여 형성된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 단계;
상기 기판의 공정 결과를 위치에 따라 조사하여 최적 공정 결과를 선택하는 단계;
상기 최적 공정 결과에 대응하는 측정 패턴을 보정 구조체에 전사하는 단계; 및
상기 보정 구조체를 이용하여 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
상기 측정 패턴 구조체는,
제1 측정 패턴을 포함하되,
상기 제1 측정 패턴은 위치에 따라 다른 두께를 가지고, 상기 측정 패턴은 실리콘인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
|
| 8 |
8
플라즈마를 발생시키도록 전원에 전기적으로 연결되는 안테나의 하측에 위치하여 아래쪽에서 발생되는 플라즈마를 차단시키는 유전체부의 상면 또는 하면과 접촉하면서 배치되고, 위치에 따라 다른 구조를 가지는 측정 패턴을 포함하는 측정 패턴 구조체를 제공하는 단계;
상기 안테나에 전력을 인가하여 형성된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 단계;
상기 기판의 공정 결과를 위치에 따라 조사하여 최적 공정 결과를 선택하는 단계;
상기 최적 공정 결과에 대응하는 측정 패턴을 보정 구조체에 전사하는 단계; 및
상기 보정 구조체를 이용하여 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
상기 측정 패턴 구조체는,
제1 측정 패턴; 및
상기 제1 측정 패턴 상에 배치된 제2 측정 패턴을 포함하되,
상기 제1 측정 패턴의 두께와 및 상기 제2 측정 패턴의 두께의 합은 위치에 따라 일정한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
청구항 7에 있어서,
상기 측정 패턴 구조체는,
상기 안테나와 상기 플라즈마 사이에 에너지 전달 효율을 위치에 따라 다르게 전달하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
|
| 11 |
11
청구항 7 내지 청구항 8 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 유전체부는,
원판 형상이고,
상기 안테나는,
1 회전형 안테나, 다중 회전형 안테나, 스파이럴 안테나, 입체형 안테나, 병렬 공진형 안테나 및 복수의 주파수를 포함하는 복합형 안테나 중의 어느 하나이며,
상기 측정 패턴 구조체는,
원형으로서 방위각을 따라 복수로 균등 분할된 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
|
