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단선 및 단락 테스트 구조를 갖는 3차원 집적 회로 및 이의 테스트 방법

  • 기술번호 : KST2015118753
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 단선 테스트 구조를 갖는 3차원 집적 회로는 복수의 관통 실리콘 비아들, 복수의 범프들, 제1 재배선들, 제2 재배선들을 포함한다. 복수의 관통 실리콘 비아들은 제1 기판을 관통한다. 복수의 범프들은 관통 실리콘 비아들의 하측 각각에 연결되며 제2 기판 상에 형성된다. 제1 재배선들은 관통 실리콘 비아들의 상측들 간에 연결된다. 제2 재배선들은 범프들의 하측들 간에 연결된다. 제1 재배선들과 제2 재배선들은 각각 관통 실리콘 비아들의 상측들과 범프들의 하측들에 교번적으로 연결되어 데이지-체인 구조를 형성하고, 데이지-체인 구조 상의 단선된 지점부터 입력 재배선까지의 커패시턴스에 의한 연결성에 기초하여 제1 및 제2 재배선들 중 단선된 적어도 하나의 재배선의 위치를 검증한다. 본 발명에 의한 실시예들에 의하면 3차원 집적 회로를 손상 시키지 않으면서 커패시턴스에 기초한 연결성을 측정함으로써 단선의 여부 및 위치를 정확하게 파악할 수 있다.
Int. CL H01L 23/48 (2006.01) H01L 23/52 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 23/52(2013.01) H01L 23/52(2013.01) H01L 23/52(2013.01)
출원번호/일자 1020130064551 (2013.06.05)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1482683-0000 (2015.01.08)
공개번호/일자 10-2014-0142876 (2014.12.15) 문서열기
공고번호/일자 (20150116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.05)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정호 대한민국 대전광역시 유성구
2 정현석 미국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0501142-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.04.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0037459-27
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0579559-45
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1009935-28
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1009936-74
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0857598-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판을 관통하는 복수의 관통 실리콘 비아들;상기 관통 실리콘 비아들의 하측 각각에 연결되며 제2 기판 상에 형성되는 복수의 범프들;상기 관통 실리콘 비아들의 상측들 간에 연결되는 제1 재배선들; 및상기 범프들의 하측들 간에 연결되는 제2 재배선들을 포함하고,상기 제1 재배선들과 상기 제2 재배선들은 각각 상기 관통 실리콘 비아들의 상측들과 상기 범프들의 하측들에 교번적으로 연결되어 데이지-체인 구조를 형성하고, 상기 데이지-체인 구조 상의 단선된 지점부터 입력 재배선까지의 커패시턴스에 의한 연결성에 기초하여 상기 제1 및 상기 제2재배선들 중 단선된 적어도 하나의 재배선의 위치를 검증하고,상기 연결성 검증에 의해 상기 단선된 적어도 하나의 재배선의 위치가 상기 제1 재배선들 중 하나인 경우, 상기 관통 실리콘 비아들 중 적어도 하나가 단선된 것으로 판단되는 단선 테스트 구조를 갖는 3차원 집적 회로
2 2
삭제
3 3
제1 기판을 관통하는 복수의 관통 실리콘 비아들; 상기 관통 실리콘 비아들의 하측 각각에 연결되며 제2 기판 상에 형성되는 복수의 범프들; 상기 관통 실리콘 비아들의 상측들 간에 연결되는 제1 재배선들; 및 상기 범프들의 하측들 간에 연결되는 제2 재배선들을 포함하고, 상기 제1 재배선들과 상기 제2 재배선들은 각각 상기 관통 실리콘 비아들의 상측들과 상기 범프들의 하측들에 교번적으로 연결되어 데이지-체인 구조를 형성하고, 상기 데이지-체인 구조 상의 단선된 지점부터 입력 재배선까지의 커패시턴스에 의한 연결성에 기초하여 상기 제1 및 상기 제2재배선들 중 단선된 적어도 하나의 재배선의 위치를 검증하고,상기 연결성 검증에 의해 상기 단선된 적어도 하나의 재배선의 위치가 상기 제2 재배선들 중 하나인 경우, 상기 범프들 중 적어도 하나가 단선된 것으로 판단되는 단선 테스트 구조를 갖는 3차원 집적 회로
4 4
제1 항에 있어서, 상기 연결성은 단선된 간격에 기초하여 결정되는 것을 특징으로 하는 단선 테스트 구조를 갖는 3차원 집적 회로
5 5
제1 항에 있어서, 상기 커패시턴스에 의한 연결성은 입력 재배선, 출력 재배선 및 그라운드로 형성되는 투-포트 회로의 지-파라미터(G-parameter)를 이용하여 산출되는 것을 특징으로 하는 단선 테스트 구조를 갖는 3차원 집적 회로
6 6
제1 항에 있어서, 상기 커패시턴스에 의한 연결성은 입력 재배선을 통하여 측정되는 타임-도메인 리플렉타머트리(Time-Domain Reflectometry,TDR)를 이용하여 산출되는 것을 특징으로 하는 단선 테스트 구조를 갖는 3차원 집적 회로
7 7
제1 기판을 관통하는 복수의 관통 실리콘 비아들;상기 관통 실리콘 비아들의 하측 각각에 연결되며 제2 기판 상에 형성되는 복수의 범프들;상기 관통 실리콘 비아들의 상측들 간에 연결되는 제1 재배선들; 및상기 범프들의 하측들 간에 연결되는 제2 재배선들을 포함하고,상기 제1 재배선들과 상기 제2 재배선들은 각각 상기 관통 실리콘 비아들의 상측들과 상기 범프들의 하측들에 교번적으로 연결되어 데이지-체인 구조를 형성하고, 상기 데이지-체인 구조 상의 그라운드와 단락된 지점부터 입력 재배선까지의 레지스턴스와 인덕턴스에 의한 연결성에 기초하여 상기 제1 및 상기 제2재배선들 중 단락된 적어도 하나의 재배선의 위치를 검증하고,상기 연결성 검증에 의해 상기 단락된 적어도 하나의 재배선의 위치가 상기 제1 재배선들 중 하나인 경우, 상기 관통 실리콘 비아들 중 적어도 하나가 단락된 것으로 판단되는 단락 테스트 구조를 갖는 3차원 집적 회로
8 8
삭제
9 9
제1 기판을 관통하는 복수의 관통 실리콘 비아들; 상기 관통 실리콘 비아들의 하측 각각에 연결되며 제2 기판 상에 형성되는 복수의 범프들; 상기 관통 실리콘 비아들의 상측들 간에 연결되는 제1 재배선들; 및 상기 범프들의 하측들 간에 연결되는 제2 재배선들을 포함하고, 상기 제1 재배선들과 상기 제2 재배선들은 각각 상기 관통 실리콘 비아들의 상측들과 상기 범프들의 하측들에 교번적으로 연결되어 데이지-체인 구조를 형성하고, 상기 데이지-체인 구조 상의 그라운드와 단락된 지점부터 입력 재배선까지의 레지스턴스와 인덕턴스에 의한 연결성에 기초하여 상기 제1 및 상기 제2재배선들 중 단락된 적어도 하나의 재배선의 위치를 검증하고,상기 연결성 검증에 의해 상기 단락된 적어도 하나의 재배선의 위치가 상기 제2 재배선들 중 하나인 경우, 상기 범프들 중 적어도 하나가 단락된 것으로 판단되는 단락 테스트 구조를 갖는 3차원 집적 회로
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국전자통신연구원 영상기반 초미세 실시간 검사 및 결함 분리 시스템 개발 전기적 3차원 초미세 결함 검출 기술 개발