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산화물반도체 조성물, 박막 형성, 전자소자 제조 기술
- 기술번호 : KST2014047399
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 산화물반도체 조성물, 그 제조 방법, 이를 이용한 산화물반도체 박막 및 전자 소자 형성 방법이 제공된다. 산화물반도체 조성물은 감광제 그리고 산화물반도체 전구체를 포함한다. |
|---|---|
| Int. CL | G03F 7/004 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) |
| CPC | G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110055770 (2011.06.09) |
| 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1415748-0000 (2014.06.30) |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0136689 (2012.12.20) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20140806) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.06.09) |
| 심사청구항수 | 20 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김현재 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
| 2 | 임유승 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
| 3 | 임현수 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
| 4 | 김동림 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
| 2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
| 3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 서울특별시 서대문구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.06.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0434994-21 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2012.06.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0503292-20 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.01.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.02.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0007077-18 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.03.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0161248-80 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
| 8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.05.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0407197-06 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.06.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0506244-09 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
| 11 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.10.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0750527-73 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.12.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1191558-53 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.12.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1191565-73 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.12.26 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2013-1191535-14 |
| 15 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.12.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-1191568-10 |
| 16 | 보정요구서 Request for Amendment |
2014.01.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0002345-52 |
| 17 | 무효처분통지서 Notice for Disposition of Invalidation |
2014.02.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0027107-22 |
| 18 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.06.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0422543-89 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 산화물반도체 전구체; 그리고감광성 물질을 포함하되,상기 산화물반도체 전구체는:아연화합물; 그리고인듐화합물, 주석화합물, 갈륨화합물, 하프늄화합물, 마그네슘화합물, 알루미늄화합물, 이트륨화합물, 탄탈륨화합물, 타이타늄화합물, 지르코늄화합물, 바륨화합물, 란사늄화합물, 망간화합물, 텅스텐화합물, 몰리브덴화합물, 세륨화화합물, 크롬화합물, 스칸디움화합물, 실리콘화합물, 네오디뮴화합물, 및 스트론튬화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물을 포함하는 산화물반도체 조성물 |
| 2 |
2 제1 항에 있어서,상기 감광성 물질은 상기 산화물반도체 전구체 1몰 대비 0 |
| 3 |
3 제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 감광성 물질은 광흡수가 200 내지 450 nm 자외선 파장영역에서 일어나는 산화물반도체 조성물 |
| 4 |
4 제1 항 또는 제2 항에 있어서, 상기 감광성 물질은 아세틸아세톤 (Acetylacetone, C5H8O2), 벤조일아세톤 (Benzoylacetone, C10H10O2), 벤조일아세도닐라이드 (Benzoylacetoanilide, C15H13NO2), 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 (1-Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, C13H16O2), 포스파인옥사이드페닐비즈 (2,4,6-트리메틸 벤조일, C26H27O3P), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로파논 (2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone, C10H12O2), 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는 산화물반도체 조성물 |
| 5 |
5 삭제 |
| 6 |
6 산화물반도체 전구체; 및감광성 물질을 포함하되,상기 감광성 물질은:아세틸아세톤 (Acetylacetone, C5H8O2), 벤조일아세톤 (Benzoylacetone, C10H10O2), 벤조일아세도닐라이드 (Benzoylacetoanilide, C15H13NO2), 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 (1-Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, C13H16O2), 포스파인옥사이드페닐비즈 (2,4,6-트리메틸 벤조일, C26H27O3P), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로파논 (2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone, C10H12O2), 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되며,상기 산화물반도체 전구체는 인듐화합물, 아연화합물, 그리고 갈륨화합물을 포함하고,상기 아연화합물 대비 인듐화합물의 몰비는 1:0 |
| 7 |
7 감광성 물질 그리고 산화물반도체 전구체를 포함하는 산화물반도체 조성물을 기판에 도포하여 산화물반도체 박막을 형성하는 단계;상기 산화물반도체 박막을 패터닝하는 단계; 그리고상기 기판을 100℃ 이상 350℃ 이하에서 열처리하는 단계를 포함하되,상기 산화물반도체 박막을 패터닝하는 단계는:상기 감광성 물질과 상기 산화물반도체 전구체가 착화물(chelating complex)을 형성하도록 상기 산화물반도체 박막에 광을 조사하는 단계를 포함하는 산화물반도체 박막 형성 방법 |
| 8 |
8 감광성 물질 그리고 산화물반도체 전구체를 포함하는 산화물반도체 조성물을 기판에 도포하여 산화물반도체 박막을 형성하는 단계;상기 산화물반도체 박막을 패터닝하는 단계; 그리고상기 기판을 100℃ 이상 350℃ 이하에서 열처리하는 단계를 포함하되,상기 산화물반도체 박막을 패터닝하는 단계는:상기 산화물반도체 박막에 광을 조사하는 단계; 그리고상기 광이 조사되지 않은 산화물반도체 박막을 제거하는 단계를 포함하는 산화물반도체 박막 형성 방법 |
| 9 |
9 제8 항에 있어서, 상기 감광성 물질을 준비하는 단계는, 아세틸아세톤 (Acetylacetone, C5H8O2), 벤조일아세톤 (Benzoylacetone, C10H10O2), 벤조일아세도닐라이드 (Benzoylacetoanilide, C15H13NO2), 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 (1-Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, C13H16O2), 포스파인옥사이드페닐비즈 (2,4,6-트리메틸 벤조일, C26H27O3P), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로파논 (2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone, C10H12O2), 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택하는 산화물반도체 박막 형성 방법 |
| 10 |
10 제8 항 또는 제9 항에 있어서,상기 광이 조사되지 않은 산화물반도체 박막을 제거하는 단계는, 식각 용액으로 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜, 프로판올, 2-메톡시에탄올, 아세토니트릴, 아세톤, 부탄올, 증류수 또는 이들의 조합을 상기 상기 광이 조사되지 않은 산화물반도체 박막에 제공하는 것을 포함하는 산화물반도체 박막 형성 방법 |
| 11 |
11 제10 항에 있어서,상기 열처리 단계에서, 상기 감광성 물질은 휘발되어 제거되고 상기 산화물반도체 전구체의 유기물이 제거되는 것을 특징으로 하는 산화물반도체 박막 형성 방법 |
| 12 |
12 제10 항에 있어서,상기 식각 용액의 제공은 분사 방식, 초음파 세척 방식, 침지 방식, 또는 버블 방식으로 제공되는 것을 특징으로 하는 산화물반도체 박막 형성 방법 |
| 13 |
13 제7 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화물반도체 조성물을 기판에 도포하여 산화물반도체 박막을 형성하는 단계는 상기 산화물반도체 조성물을 플렉시블 기판, 유리기판, 또는 실리콘 기판에 도포하는 것을 포함하는 산화물반도체 박막 형성 방법 |
| 14 |
14 제7 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열처리는 퍼니스, 핫플레이트, 또는 급속열처리를 통해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화물반도체 박막 형성 방법 |
| 15 |
15 제8 항 또는 제9 항에 있어서,상기 광이 조사되지 않은 산화물반도체 박막을 제거하는 단계 이전에, 용매를 제거하기 위한 열처리 단계를 수행하는 것을 포함하는 산화물반도체 박막 형성 방법 |
| 16 |
16 제7 항 내지 제9 항 중 어느 한 항의 방법으로 형성된 산화물반도체 박막;상기 산화물 반도체 박막과 이격되어 중첩하는 게이트 전극; 그리고,상기 산화물 반도체 박막과 전기적으로 연결되며 상기 게이트 전극 양측에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 전자소자 |
| 17 |
17 플렉시블 기판 또는 유리 기판상에 형성된 산화물반도체 박막을 포함하며,상기 산화물반도체 박막은 제7 항 내지 제9 항 중 어느 한 항의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 18 |
18 산화물반도체 전구체 용액을 준비하는 단계;감광성 물질 용액을 준비하는 단계; 그리고상기 산화물반도체 전구체 용액과 상기 감광성 물질 용액을 혼합하는 단계를 포함하되,상기 산화물반도체 전구체 용액을 준비하는 단계는:아연화합물; 그리고인듐화합물, 주석화합물, 갈륨화합물, 하프늄화합물, 마그네슘화합물, 알루미늄화합물, 이트륨화합물, 탄탈륨화합물, 타이타늄화합물, 지르코늄화합물, 바륨화합물, 란사늄화합물, 망간화합물, 텅스텐화합물, 몰리브덴화합물, 세륨화화합물, 크롬화합물, 스칸디움화합물, 실리콘화합물, 네오디뮴화합물, 및 스트론튬화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물;을 혼합하는 단계를 포함하는 산화물반도체 조성물 제조 방법 |
| 19 |
19 삭제 |
| 20 |
20 제18 항에 있어서,상기 감광성 물질 용액을 준비하는 단계는 아세틸아세톤 (Acetylacetone, C5H8O2), 벤조일아세톤 (Benzoylacetone, C10H10O2), 벤조일아세도닐라이드 (Benzoylacetoanilide, C15H13NO2), 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 (1-Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, C13H16O2), 포스파인옥사이드페닐비즈 (2,4,6-트리메틸 벤조일, C26H27O3P), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로파논 (2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone, C10H12O2), 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 감광성 물질을 선택하는 산화물반도체 조성물 제조 방법 |
| 21 |
21 끓는 점이 400℃이하이며 광흡수가 200 내지 450 nm 자외선 파장영역에서 일어나는 감광성 물질; 그리고산화물 전구체를 포함하되,상기 산화물 전구체는:아연화합물; 그리고인듐화합물, 주석화합물, 갈륨화합물, 하프늄화합물, 마그네슘화합물, 알루미늄화합물, 이트륨화합물, 탄탈륨화합물, 타이타늄화합물, 지르코늄화합물, 바륨화합물, 란사늄화합물, 망간화합물, 텅스텐화합물, 몰리브덴화합물, 세륨화화합물, 크롬화합물, 스칸디움화합물, 실리콘화합물, 네오디뮴화합물, 및 스트론튬화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물을 포함하는 산화물박막 조성물 |
| 22 |
22 제21 항에 있어서,상기 감광성 물질은 아세틸아세톤 (Acetylacetone, C5H8O2), 벤조일아세톤 (Benzoylacetone, C10H10O2), 벤조일아세도닐라이드 (Benzoylacetoanilide, C15H13NO2), 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 (1-Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, C13H16O2), 포스파인옥사이드페닐비즈 (2,4,6-트리메틸 벤조일, C26H27O3P), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로파논 (2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone, C10H12O2), 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는 산화물박막 조성물 |
| 23 |
23 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US20120313096 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2012313096 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 한국연구재단 | 연세대학교 산학협력단 | 중견연구자지원사업(도약연구사업) | 차세대 디스플레이를 위한 SBS (Solution Based Si) 박막 및 ASB (All Solution Based) TFT기술개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1415748-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20110609 출원 번호 : 1020110055770 공고 연월일 : 20140806 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140621 청구범위의 항수 : 20 유별 : G03F 7/004 발명의 명칭 : 산화물반도체 조성물 및 그 제조방법, 산화물반도체 박막 형성 방법, 전자소자 제조 방법 및 그에 따라 제조된 전자 부품 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 412,500 원 | 2014년 07월 01일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2017년 06월 26일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 240,000 원 | 2018년 06월 18일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 247,200 원 | 2019년 07월 22일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 455,800 원 | 2020년 08월 11일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.06.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0434994-21 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2012.06.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0503292-20 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.01.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 | 2013.02.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0007077-18 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2013.03.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0161248-80 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
| 8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.05.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0407197-06 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.06.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0506244-09 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
| 11 | 의견제출통지서 | 2013.10.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0750527-73 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.12.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1191558-53 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.12.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1191565-73 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.12.26 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2013-1191535-14 |
| 15 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.12.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-1191568-10 |
| 16 | 보정요구서 | 2014.01.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0002345-52 |
| 17 | 무효처분통지서 | 2014.02.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0027107-22 |
| 18 | 등록결정서 | 2014.06.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0422543-89 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 기술번호 | KST2014047399 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 연세대학교 |
| 기술명 | 산화물반도체 조성물, 박막 형성, 전자소자 제조 기술 |
| 기술개요 |
산화물반도체 조성물, 그 제조 방법, 이를 이용한 산화물반도체 박막 및 전자 소자 형성 방법이 제공된다. 산화물반도체 조성물은 감광제 그리고 산화물반도체 전구체를 포함한다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 반도체, 디스플레이 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345165029 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1606 |
| 연구과제명 | TMS정보기술사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 연세대학교 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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