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절연층 누설전류 평가장치 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014053185
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 간단한 공정과 낮은 제조비용으로 절연층의 누설전류를 평가할 수 있는 평가장치 및 그 제조방법을 위하여, 실리콘을 포함하고 상부면에 요철 형상이 반복되는 기판, 상기 기판 상에 형성된 절연층, 상기 절연층 상에 형성된 확산장벽층 및 상기 확산장벽층 상에 형성된 도전성 패드를 포함하는, 절연층 누설전류 평가장치 및 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01.01)
CPC H01L 22/30(2013.01)
출원번호/일자 1020120000478 (2012.01.03)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1244919-0000 (2013.03.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.03)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주영창 대한민국 서울 강남구
2 연한울 대한민국 서울특별시 영등포구
3 이영주 대한민국 서울 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0005311-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0088606-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
5 등록결정서
Decision to grant
2013.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0161626-35
6 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0209161-74
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘을 포함하고, 상부면에 요철 형상이 반복되는 기판;상기 기판 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 확산장벽층; 및상기 확산장벽층 상에 형성된 도전성 패드;를 포함하는, 절연층 누설전류 평가장치
2 2
제1항에 있어서,상기 요철 형상이 반복되는 기판은 가리비꼴(scalloped) 형상을 가지는 요철 형상이 반복되는 기판을 포함하는, 절연층 누설전류 평가장치
3 3
실리콘을 포함하고, 상부면에 요철 형상이 반복되는 기판으로 이루어진 구조체를 형성하는 단계;상기 구조체 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 확산장벽층을 형성하는 단계; 및상기 확산장벽층 상에 도전성 패드를 형성하는 단계;를 포함하는, 절연층 누설전류 평가장치를 제조하는 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 구조체를 형성하는 단계는, 상부면이 평탄한 실리콘 기판을 제공하는 단계;상기 실리콘 기판 상에 복수의 귀금속(noble metal) 패턴들을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 기판 중 상기 귀금속 패턴들과 접하는 부분을 선택적으로 식각하는 단계; 를 포함하는, 절연층 누설전류 평가장치를 제조하는 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 복수의 귀금속(noble metal) 패턴들은 나란하게 인접하여 형성된 복수의 귀금속 나노섬유(nanofiber) 패턴들을 포함하는, 절연층 누설전류 평가장치를 제조하는 방법
6 6
제4항에 있어서,상기 귀금속 패턴은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru) 및 이들의 임의의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는, 절연층 누설전류 평가장치를 제조하는 방법
7 7
제4항에 있어서,상기 선택적으로 식각하는 단계는 불산(HF)을 포함하는 식각용액을 사용하여 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계를 포함하는, 절연층 누설전류 평가장치를 제조하는 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 불산을 포함하는 식각용액은 과산화수소수(H2O2)를 더 포함하는, 절연층 누설전류 평가장치를 제조하는 방법
9 9
제7항에 있어서,상기 불산을 포함하는 식각용액은 질산(HNO3)을 더 포함하는, 절연층 누설전류 평가장치를 제조하는 방법
10 10
제3항에 있어서,상기 요철 형상이 반복되는 기판은 가리비꼴(scalloped) 형상이 반복되는 기판을 포함하는, 절연층 누설전류 평가장치를 제조하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국반도체연구조합 산업원천기술개발사업 초미세 고신뢰성 배선 기술 연구