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반도체 3차원 적층공정에서의 이중 확산방지층을 포함하는 범프 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014059604
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 3차원 적층공정에서의 이중 확산방지층을 포함하는 범프 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 도전층; 상기 도전층 상에 형성되며, 니켈과 인의 합금을 포함하는 제1확산방지층; 상기 제1확산방지층 상에 형성되며, 구리를 포함하는 제2확산방지층; 및 상기 제2확산방지층 상에 형성되는 솔더층;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.본 발명에 의하면, 니켈-인 합금의 확산방지막에 얇은 구리를 적층하여 이중층을 형성함으로써, 3차원 적층공정에서 중요한 두께 증가를 최소화하면서도, 높은 온도의 접합공정 중에, 니켈-인 합금 확산방지막의 결정화로 인한 확산방지효과의 저하를 극복하여, 확산방지막의 붕괴를 지연시킬 수 있으며, 구체적으로 본 발명의 이중 확산방지층의 구성물질인 구리와 솔더층이 반응하여 생기는 금속간화합물을 통해, 니켈의 확산을 막아주는 역할을 함으로써, 확산방지효과가 증가하여, 3차원 적층공정을 통해 완성된 제품의 신뢰성을 현저히 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 21/60 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110136347 (2011.12.16)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1359733-0000 (2014.01.29)
공개번호/일자 10-2013-0068900 (2013.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (20140211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.16)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이후정 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 이병훈 대한민국 서울특별시 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-1002706-68
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0080654-53
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0711113-92
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0062309-86
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0167293-17
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0167262-13
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0511376-81
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0866516-66
13 등록결정서
Decision to grant
2014.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0052470-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
도전층;상기 도전층 상에 형성되며, 니켈과 인의 합금을 포함하는 제1확산방지층;상기 제1확산방지층 상에 형성되며, 구리를 포함하는 제2확산방지층; 상기 제2확산방지층 상에 형성되는 주석을 포함하는 솔더층; 및상기 제2확산방지층에 포함된 상기 구리와 상기 솔더층에 포함된 상기 주석이 반응하여 형성된 Cu6Sn5금속간화합물;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 3차원 적층공정에서의 이중 확산방지층을 포함하는 범프
2 2
제 1항에 있어서,상기 제1확산방지층과 상기 제2확산방지층의 두께비율은, 1
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제1확산방지층의 두께는 0
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 도전층은 구리를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 3차원 적층공정에서의 이중 확산방지층을 포함하는 범프
5 5
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 도전층의 두께는 20㎛ 내지 60㎛, 상기 솔더층의 두께는 3㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 3차원 적층공정에서의 이중 확산방지층을 포함하는 범프
6 6
기재에 구리를 전해도금방식으로 증착시켜 도전층을 형성하는 도전층 형성단계;니켈과 인의 합금을 상기 도전층 상에 무전해도금 방식으로 증착시켜 제1확산방지층을 형성하는 제1확산방지층 형성단계;구리를 상기 제1확산방지층 상에 전해도금방식으로 증착시켜 제2확산방지층을 형성하는 제2확산방지층 형성단계;주석을 상기 제2확산방지층 상에 전해도금방식으로 증착시켜 솔더층을 형성하는 솔더층 형성단계; 및상기 제2확산방지층의 상기 구리와 상기 솔더층의 상기 주석이 반응하여 Cu6Sn5금속간산화물을 형성하는 Cu6Sn5 형성단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 3차원 적층공정에서의 이중 확산방지층을 포함하는 범프의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 제1확산방지층 형성단계에서, 상기 제1확산방지층은 0
8 8
제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 제2확산방지층 형성단계에서, 상기 제2확산방지층은 0
9 9
제 6항에 있어서,상기 Cu6Sn5 형성단계는, 250℃ 내지 350℃의 온도 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 3차원 적층공정에서의 이중 확산방지층을 포함하는 범프의 제조방법
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1 US2013154089 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9209122 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국반도체조합 기술혁신사업 초미세 고신뢰성 배선기술연구 산업원천기술개발사업