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유기발광소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015002306
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광결정 구조를 갖는 유기발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 유기발광소자는 빛을 통과시키는 기판, 기판 상에 형성되면서 광결정(photonic crystal) 구조를 갖는 광결정층, 광결정층 상에 형성되면서 광결정층에 비해 높은 굴절률을 갖는 중간층, 중간층 상에 형성되는 제1 전극층, 제1 전극층 상에 형성되면서 전류의 흐름에 따라 빛을 발광하는 발광층, 및 발광층 상에 형성되는 제2 전극층을 포함한다.유기발광소자, 광효율, 광결정, 굴절률, 나노 임프린트, 졸겔법, 평탄화
Int. CL H05B 33/22 (2011.01) B82Y 20/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020070119089 (2007.11.21)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0873517-0000 (2008.12.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020080085905;
심사청구여부/일자 Y (2007.11.21)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심종엽 대한민국 경기 안양시 동안구
2 정준호 대한민국 대전 유성구
3 김기돈 대한민국 서울 중구
4 최대근 대한민국 대전 유성구
5 최준혁 대한민국 대전광역시 유성구
6 이응숙 대한민국 대전 유성구
7 전소희 대한민국 서울 서초구
8 윤재륜 대한민국 서울 강남구
9 김장주 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0836899-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.05.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0038035-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0350144-56
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0622001-47
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.09.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0622002-93
7 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2008.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0621954-54
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0607893-85
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
빛을 통과시키는 기판;상기 기판 상에 형성되면서 광결정(photonic crystal) 구조를 가지며, 폴리머 레진(polymer resin)으로 이루어진 광결정층;상기 광결정층 상에 형성되면서 상기 광결정층에 비해 높은 굴절률을 갖는 중간층;상기 중간층 상에 형성되는 제1 전극층;상기 제1 전극층 상에 형성되면서 전류의 흐름에 따라 빛을 발광하는 발광층; 및상기 발광층 상에 형성되는 제2 전극층;을 포함하는유기발광소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 광결정층의 굴절률은 상기 기판에 비해 낮거나 동일한 유기발광소자
3 3
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4 4
제 1 항에 있어서,상기 중간층의 굴절률은 상기 제1 전극층에 비해 높거나 동일한 유기발광소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 중간층은 옥사이드(Oxide) 군 또는 나이트라이드(Nitride) 군 중에서 선택된 어느 하나의 소재로 이루어지는 유기발광소자
6 6
제 4 항에 있어서,상기 중간층은 SiNx, Si3N4, TiO2, MgO, ZnO, Al2O3, SnO2, In2O3 에서 선택된 하나 이상의 소재로 이루어지는 유기발광소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 중간층 상에 졸겔(Sol-gel)용액으로 코팅되는 평탄화층을 더 포함하고,상기 평탄화층 상에 상기 제1 전극층이 적층 형성되는 유기발광소자
8 8
제 1 항에 있어서,상기 광결정 구조는 복수의 광결정 단위형상들이 주기적으로 배열되어 격자 구조를 이루는 유기발광소자
9 9
제 8 항에 있어서,상기 광결정 구조는 복수의 광결정 단위형상들이 주기적으로 배열되어 사각형 격자 구조를 이루는 유기발광소자
10 10
제 8 항에 있어서,상기 광결정 구조는 복수의 광결정 단위형상들이 주기적으로 배열되어 삼각형 격자 구조를 이루는 유기발광소자
11 11
제 8 항에 있어서,상기 광결정 단위형상은 원기둥, 삼각기둥, 사각기둥 중 어느 하나의 형상인 유기발광소자
12 12
제 1 항에 있어서,상기 제1 전극층은 투명 전도성 산화물(TCO ; Transparent Conducting Oxide) 재료로 된 투명 전극층인 유기발광소자
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1 JP2009129912 JP 일본 DOCDBFAMILY
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3 US2012100773 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8247962 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US9692015 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 과기부 한국기계연구원 21세기 프론티어 사업 대면적 나노임프린트 공정 및 응용기술