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비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2015113115
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비휘발성 반도체 메모리 소자는, 기판, 기판 상에 형성된 반도체기둥, 반도체기둥 상에 형성된 하드마스크, 반도체기둥의 양측에 각각 형성된 게이트 전극, 게이트 전극이 형성된 방향과 다른 방향으로 형성되고, 또한 반도체 기둥의 양측에 각각 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극, 하드마스크의 주위를 둘러싸도록 형성되고, 전기적 신호에 따라 저항값이 변화되는 저항변화물질을 포함하는 저항변화물질층, 저항변화물질층 상에 형성된 금속층을 포함한다. 본 발명에 따른 비휘발성 반도체 메모리 소자는 전원 공급 시 고속 동작이 가능하며, 전원 공급이 중단되더라도 저항변화물질을 이용하여 데이터를 저장하고 지속적으로 유지 할 수 있다. 디램, 커패시터리스 디램(Capacitorless DRAM), 저항변화메모리 Resistance Random Access Memory, RRAM), 비휘발성 메모리 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) |
| CPC | H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080080675 (2008.08.19) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1013791-0000 (2011.02.01) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0022148 (2010.03.02) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20110214) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.08.19) |
| 심사청구항수 | 23 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최양규 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 김성호 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김성호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.08.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0588137-59 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.05.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.06.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0037887-17 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.07.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0308675-17 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.07.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0493802-67 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.07.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0493797-15 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.01.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0055684-95 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판; 상기 기판 상에 형성된 반도체기둥; 상기 반도체기둥 상에 형성된 하드마스크; 상기 반도체기둥의 양측에 각각 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극이 형성된 방향과 다른 방향으로 형성되고, 또한 상기 반도체 기둥의 양측에 각각 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극; 상기 하드마스크의 주위를 둘러싸도록 형성되고, 전기적 신호에 따라 저항값이 변화되는 저항변화물질을 포함하는 저항변화물질층; 및 상기 저항변화물질층 상에 형성된 금속층; 을 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극 및 상기 반도체기둥 사이에 각각 형성된 게이트절연층을 더 포함하고, 상기 게이트 절연층의 소정영역이 상기 하드마스크 및 상기 저항변화물질층에 의하여 덮혀져 있는, 비휘발성 반도체 메모리 소자 |
| 3 |
3 제1항에 있어서, 상기 기판은 절연층 매몰 실리콘(Silicon-On-Insulator, SOI)으로 형성된, 비휘발성 반도체 메모리 소자 |
| 4 |
4 제1항에 있어서, 상기 하드 마스크는 실리콘 나이트라이드(Si3N4)를 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자 |
| 5 |
5 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 저항변화물질층은, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극의 소정영역을 덮도록 형성되며, 알루미늄(Al) 산화물, 구리(Cu) 산화물, 니켈(Ni) 산화물, 티탄(Ti) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 코발트(Co) 산화물 및 바나듐(V) 산화물 중 적어도 하나 이상을 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자 |
| 6 |
6 제1항에 있어서, 상기 반도체기둥의 폭은, 상기 반도체기둥에서 형성되는 공핍영역의 최대폭보다 크게 형성된, 비휘발성 반도체 메모리 소자 |
| 7 |
7 제1항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티탄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 바나듐(V), 에르븀(Er), 백금(Pt) 중 어느 하나를 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자 |
| 8 |
8 기판 상에 반도체 기둥을 형성하는 제1 단계; 상기 반도체 기둥상에 하드마스크를 증착하는 제2 단계: 상기 반도체기둥의 양측에 각각 게이트 전극을 형성하는 제3 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 방향과 다른 방향이고, 또한 상기 반도체 기둥의 양측에 각각 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4 단계; 상기 하드마스크의 주위를 둘러싸고, 전기적 신호에 따라 저항값이 변화되는 저항변화물질을 포함하는 저항변화물질층을 형성하는 제5 단계; 및 상기 저항변화물질층 상에 금속층을 형성하는 제6 단계; 를 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
| 9 |
9 제8항에 있어서, 상기 반도체기둥을 열적 산화(thermal oxidation)방법을 통하여 산화하여, 상기 반도체기둥과 상기 게이트전극 사이에 각각 게이트절연층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 게이트 절연층의 소정영역이 상기 하드마스크 및 상기 저항변화물질층에 의하여 덮혀져 있는, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
| 10 |
10 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제1 단계는 상기 기판을 식각하여 상기 반도체기둥을 형성하고, 상기 기판은 절연층 매몰 실리콘(Silicon-On-Insulator, SOI)으로 형성된, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
| 11 |
11 제8항에 있어서, 상기 하드 마스크는 실리콘 나이트라이드(Si3N4)를 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
| 12 |
12 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제3 단계는, 상기 기판 및 상기 하드마스크 상에 게이트 전극물질을 증착하는 제1 과정; 상기 게이트 전극물질을 화학 기계적 연마 방법을 이용하여 평탄화시키는 제2 과정; 및 상기 평탄화된 게이트 전극물질을 패터닝하여 각각의 게이트 전극을 형성하는 제3 과정; 을 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
| 13 |
13 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 저항변화물질층은, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극의 소정영역을 덮도록 형성되며, 알루미늄(Al) 산화물, 구리(Cu) 산화물, 니켈(Ni) 산화물, 티탄(Ti) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 코발트(Co) 산화물 및 바나듐(V) 산화물 중 적어도 하나 이상을 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
| 14 |
14 제8항에 있어서, 상기 반도체기둥의 폭은, 상기 반도체기둥에서 형성되는 공핍영역의 최대폭보다 크게 형성된, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
| 15 |
15 제8항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티탄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 바나듐(V), 에르븀(Er), 백금(Pt) 중 어느 하나를 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
| 16 |
16 기판; 상기 기판 상에 형성된 부유바디셀; 상기 기판 상이고, 또한 상기 부유바디셀 양측에 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극; 상기 부유바디셀 상에 순차적으로 형성된 게이트 절연층 및 게이트 전극; 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 상이고, 또한 상기 게이트 전극상에 형성되고, 전기적 신호에 따라 저항값이 변화되는 저항변화물질을 포함하는 저항변화물질층; 및 상기 저항변화물질층상에 형성된 금속층; 을 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자 |
| 17 |
17 제16항에 있어서, 상기 기판은 절연층 매몰 실리콘(Silicon-On-Insulator, SOI)으로 형성된, 비휘발성 반도체 메모리 소자 |
| 18 |
18 제16항에 있어서, 상기 저항변화물질층은, 알루미늄(Al) 산화물, 구리(Cu) 산화물, 니켈(Ni) 산화물, 티탄(Ti) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 코발트(Co) 산화물 및 바나듐(V) 산화물 중 적어도 하나 이상을 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자 |
| 19 |
19 제16항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티탄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 바나듐(V), 에르븀(Er), 백금(Pt) 중 어느 하나를 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자 |
| 20 |
20 기판 상에 부유바디셀을 형성하는 제1 단계; 상기 기판 상이고, 또한 상기 부유바디셀 양측에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제2 단계; 상기 부유바디셀 상에 순차적으로 게이트 절연층 및 게이트 전극을 형성하는 제3 단계; 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 상이고, 또한 상기 게이트 전극상에 전기적 신호에 따라 저항값이 변화되는 저항변화물질을 포함하는 저항변화물질층을 형성하는 제4 단계; 및 상기 저항변화물질층 상에 금속층을 형성하는 제5 단계; 를 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
| 21 |
21 제20항에 있어서, 상기 기판은 절연층 매몰 실리콘(Silicon-On-Insulator, SOI)으로 형성된, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
| 22 |
22 제20항에 있어서, 상기 제4 단계는, 화학기상성장법(Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링(sputtering) 또는 원자층증착(Atomic Layer Deposition) 방법 중 어느 하나를 이용하여 상기 저항변화물질층을 형성하고, 상기 저항변화물질층은, 알루미늄(Al) 산화물, 구리(Cu) 산화물, 니켈(Ni) 산화물, 티탄(Ti) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 코발트(Co) 산화물 및 바나듐(V) 산화물 중 적어도 하나 이상을 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
| 23 |
23 제20항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티탄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 바나듐(V), 에르븀(Er), 백금(Pt) 중 어느 하나를 포함하는, 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1013791-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080819 출원 번호 : 1020080080675 공고 연월일 : 20110214 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110128 청구범위의 항수 : 23 유별 : H01L 21/8247 발명의 명칭 : 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 471,000 원 | 2011년 02월 07일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 546,000 원 | 2014년 01월 27일 | 납입 |
| 제 5 - 7 년분 | 금 액 | 1,651,480 원 | 2015년 01월 27일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 681,800 원 | 2018년 01월 29일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 487,000 원 | 2019년 02월 01일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 752,500 원 | 2020년 01월 29일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.08.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0588137-59 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.05.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2010.06.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0037887-17 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2010.07.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0308675-17 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.07.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0493802-67 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.07.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0493797-15 |
| 7 | 등록결정서 | 2011.01.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0055684-95 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345151486 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2007-0056950 |
| 연구과제명 | 나노소자를 위한 trans-scale 융합 기술 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200707~201206 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415115198 |
|---|---|
| 세부과제번호 | C1080-1101-0001 |
| 연구과제명 | KAIST-ICU 통합지원(ICC 교육여건 개선) |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신산업진흥원 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200903~201112 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기타 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1345072327 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R0A-2007-000-20028-0 |
| 연구과제명 | 나노소자를위한trans-scale융합기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200707~201206 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345086128 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 14-2008-01-001-00 |
| 연구과제명 | 나노임프린트공정기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 한국기계연구원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200804~201203 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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