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커패시터리스 디램 특성과 저항변화물질에 의한 비휘발성메모리 특성을 갖는 비휘발성 디램

  • 기술번호 : KST2015118656
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메모리 소자에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 커패시터리스 디램(Capacitorless DRAM) 특성과 RRAM(Resistance Random Access Memory)의 특성을 갖는 융합 메모리에 관한 것이다.본 발명에 따른 비휘발성 디램은 반도체 기판, 반도체 기판상에 형성된 정공 포위층, 정공 포위층상에 형성된 부유바디, 부유바디상에 형성된 저항변화 물질층, 저항변화 물질층상에 형성된 게이트, 및 정공 포위층상에 부유바디를 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인을 포함한다.비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory), 디램(DRAM; Dynamic Random Access Memory), 커패시터리스 디램(Capacitorless DRAM), RRAM(Resistance Random Access Memory), 비휘발성 디램, 저항변화소자(Resistive Switching FET)
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H01L 27/108 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020070077740 (2007.08.02)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0862216-0000 (2008.10.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081009) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.02)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
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대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0564851-44
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0229456-80
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0436860-76
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0436877-41
5 등록결정서
Decision to grant		 2008.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0505272-83
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 반도체 기판상에 형성된 정공 포위층;상기 정공 포위층상에 형성된 부유바디;상기 부유바디상에 형성된 저항변화 물질층;상기 저항변화 물질층상에 형성된 게이트; 및상기 정공 포위층상에 상기 부유바디를 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인을 포함하는, 비휘발성 디램
2 2
제1항에 있어서,상기 정공 포위층은 절연체로 이루어진, 비휘발성 디램
3 3
제1항에 있어서,상기 정공 포위층은 이온주입층인, 비휘발성 디램
4 4
제3항에 있어서,상기 이온주입층은 상기 반도체 기판에 P형 불순물 이온이 주입된 층인, 비휘발성 디램
5 5
제3항에 있어서,상기 이온주입층은 상기 반도체 기판에 게르마늄(Ge)이 주입된 층인, 비휘발성 디램
6 6
제1항에 있어서,상기 부유바디는 그 두께가 상기 비휘발성 디램의 채널의 최대 공핍폭보다 두껍도록 형성되는, 비휘발성 디램
7 7
제1항에 있어서,상기 반도체 기판 하부에 형성된 백게이트를 더 포함하는, 비휘발성 디램
8 8
제7항에 있어서,상기 부유바디는 그 두께가 상기 비휘발성 디램의 채널의 최대 공핍폭보다 얇도록 형성되는, 비휘발성 디램
9 9
제1항에 있어서,상기 부유바디는 핀(Fin) 구조로 형성된, 비휘발성 디램
10 10
제1항에 있어서,상기 저항변화 물질층은 니켈(Ni) 산화물, 티탄(Ti) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, (코발트)Co 산화물, 바나듐(V) 산화물 중 하나 이상의 물질을 포함하는, 비휘발성 디램
11 11
반도체 기판상에 정공 포위층을 형성하는 단계;상기 정공 포위층상에 부유바디 및 저항변화 물질층을 순차적으로 적층하는 단계;상기 저항변화 물질층상에 게이트를 형성하는 단계;상기 게이트 및 상기 저항변화 물질층을 식각하는 단계;상기 부유바디에 소스 및 드레인을 형성하는 단계를 포함하는, 비휘발성 디램의 제조방법
12 12
제11항에 있어서,상기 정공 포위층은 상기 반도체 기판에 게르마늄(Ge) 또는 P형 불순물 이온을 주입하여 형성하는, 비휘발성 디램의 제조방법
13 13
제11항에 있어서,상기 부유바디를 그 두께가 상기 비휘발성 디램의 채널의 최대 공핍폭보다 두껍도록 적층하는, 비휘발성 디램의 제조방법
14 14
제11항에 있어서,상기 반도체 기판 밑에 백게이트를 형성하는 단계를 더 포함하는, 비휘발성 디램의 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 부유바디를 그 두께가 상기 비휘발성 디램의 채널의 최대 공핍폭보다 얇도록 적층하는, 비휘발성 디램의 제조방법
16 16
절연층 매몰 실리콘(SOI) 기판상에 부유바디 및 저항변화 물질층을 순차적으로 적층하는 단계;상기 저항변화 물질층상에 게이트를 형성하는 단계;상기 게이트 및 상기 저항변화 물질층을 식각하는 단계;상기 부유바디에 소스 및 드레인을 형성하는 단계를 포함하는, 비휘발성 디램의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.