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비휘발성 메모리 소자와 그 제조방법 및 구동방법
- 기술번호 : KST2015112609
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 비휘발성 메모리 소자와 그 제조방법 및 구동방법에 관한 것이다.이러한 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 소자는 돌출형 채널이 형성된 기판과, 상기 채널 상에 형성된 제1 터널링 절연막과, 상기 채널 상부의 제1 터널링 절연막 상에 형성되어, 상기 채널로부터 상기 제1 터널링 절연막을 터널링한 전하의 저장공간을 제공하는 제1 부유 게이트과, 상기 제 1부유 게이트를 매립하여, 상기 제1 터널링 절연막 상에 형성된 제2 터널링 절연막과, 상기 제2 터널링 절연막 상에 형성되어, 상기 채널로부터 상기 제1 터널링 절연막과 상기 제2 터널링 절연막을 터널링한 전하의 저장공간을 제공하는 제2 부유 게이트과, 상기 제2 부유 게이트를 매립하여, 상기 제2 터널링 절연막 상에 형성된 제어 절연막 및 상기 제어 절연막 상에 형성된 게이트를 포함한다.이러한 본 발명에 따르면, 비휘발성 메모리 소자의 집적도가 향상되고, 단채널효과(short channel effect)로 인한 누설전류의 양을 감소시켜 안정적인 동작을 하는 비휘발성 메모리 소자와 그 제조방법 및 구동방법을 제공하는 등의 효과가 있다.부유 게이트, 터널링 절연막, 제어 절연막, 2-비트 비휘발성 메모리 소자 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2011.01) H01L 21/8247 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01) |
| CPC | H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060120333 (2006.12.01) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0841235-0000 (2008.06.19) |
| 공개번호/일자 | 10-2008-0049875 (2008.06.05) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20080626) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | 심판사항 |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.12.01) |
| 심사청구항수 | 14 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최양규 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 김성호 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 류승완 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김성호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.12.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0892999-17 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.10.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0579965-37 |
| 3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2007.12.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0884497-01 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2007.12.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0884500-51 |
| 5 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2008.04.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0198610-09 |
| 6 | 명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2008.04.18 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2008-0016282-41 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.06.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0326469-71 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 돌출형 채널이 형성된 기판; 상기 채널 상에 형성된 제1 터널링 절연막;상기 채널 상부의 제1 터널링 절연막 상에 형성되어, 상기 채널로부터 상기 제1 터널링 절연막을 터널링한 전하의 저장공간을 제공하는 제1 부유 게이트;상기 제 1부유 게이트를 매립하여, 상기 제1 터널링 절연막 상에 형성된 제2 터널링 절연막;상기 제2 터널링 절연막 상에 형성되어, 상기 채널로부터 상기 제1 터널링 절연막과 상기 제2 터널링 절연막을 터널링한 전하의 저장공간을 제공하는 제2 부유 게이트;상기 제2 부유 게이트를 매립하여, 상기 제2 터널링 절연막 상에 형성된 제어 절연막; 및상기 제어 절연막 상에 형성된 게이트;를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서,상기 채널 상부의 상기 제2 터널링 절연막의 두께는 상기 채널 측부의 상기 제2 터널링 절연막의 두께보다 두꺼운 비휘발성 메모리 소자 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서,상기 채널 상부의 상기 제어 절연막의 두께는 상기 채널 측부의 상기 제어 절연막의 두께보다 두꺼운 비휘발성 메모리 소자 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서,상기 기판은 두 개의 돌출형 채널이 형성된 기판이고, 상기 제1 부유 게이트는 상기 두 개의 돌출형 채널 사이와 상기 채널 상부의 상기 제1 터널링 절연막 상에 형성된 비휘발성 메모리 소자 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 실리콘 게르마늄, 인장 실리콘(strained silicon), 인장 실리콘 게르마늄 또는 절연층 매몰 실리콘(silicon-on-insulator:SOI) 중 하나인 비휘발성 메모리 소자 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서,상기 제1 부유 게이트 또는 제2 부유 게이트는 폴리 실리콘, 비정질 실리콘, 금속 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 나노결정 물질 또는 금속 산화물 나노결정 물질 중 하나인 비휘발성 메모리 소자 |
| 8 |
8 제 1항에 있어서,상기 제1 터널링 절연막, 상기 제2 터널링 절연막 또는 상기 제어 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막 또는 하프늄 다이옥사이드(HFO2)막 중 하나인 비휘발성 메모리 소자 |
| 9 |
9 기판에 돌출형 채널을 형성하는 단계;상기 채널 상에 제1 터널링 절연막을 형성하는 단계;상기 제1 터널링 절연막 상에 제1 부유게이트를 형성하는 단계;상기 제1 부유게이트를 매립하여, 상기 제1 터널링 절연막 상에 제2 터널링 절연막을 형성하는 단계;상기 제2 터널링 절연막 상에 제2 부유게이트를 형성하는 단계;상기 제2 부유게이트를 매립하여, 상기 제2 터널링 절연막 상에 제어 절연막을 형성하는 단계; 및상기 제어 절연막 상에 게이트를 형성하는 단계;를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법 |
| 10 |
10 제 9항에 있어서,상기 제1 부유 게이트를 상기 채널 상부의 상기 제1 터널링 절연막 상에 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법 |
| 11 |
11 제 9항에 있어서,상기 채널 상부의 상기 제2 터널링 절연막의 두께를 상기 채널 측부의 상기 제2 터널링 절연막의 두께보다 두껍게 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법 |
| 12 |
12 제 9항에 있어서,상기 채널 상부의 상기 제어 절연막의 두께를 상기 채널 측부의 상기 제어 절연막의 두께보다 두껍게 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법 |
| 13 |
13 제 9항에 있어서,기판에 두 개의 돌출형 채널을 형성하고, 상기 제1 부유 게이트를 상기 두 개의 돌출형 채널 사이와 상기 채널 상부의 상기 제1 터널링 절연막 상에 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법 |
| 14 |
14 상기 제 1항의 비휘발성 메모리 소자의 구동방법에 있어서,상기 게이트에 제1 쓰기전압(Vprog1)이 인가되면 상기 채널의 전하들이 상기 채널 상부의 상기 제1 부유 게이트에 저장되는 단계;상기 게이트에 제2 쓰기전압(Vprog2)이 인가되면 상기 채널의 전하들이 상기 채널 상부의 상기 제1 부유 게이트와 상기 채널 측부의 상기 제2 부유게이트에 저장되는 단계; 및상기 게이트에 제3 쓰기전압(Vprog3)이 인가되면 상기 채널의 전하들이 상기 채널 상부의 상기 제1 부유 게이트, 상기 채널 측부의 상기 제2 부유게이트 및 상기 채널 상부의 상기 제2 부유 게이트에 저장되는 단계;를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 구동방법 |
| 15 |
15 상기 제 1항의 비휘발성 메모리 소자의 구동방법에 있어서,상기 게이트에 일정한 쓰기전압(Vprog)이 제1 쓰기시간(tprog1)동안 인가되면 상기 채널의 전하들이 상기 채널 상부의 상기 제1 부유 게이트에 저장되는 단계;상기 게이트에 일정한 쓰기전압(Vprog)이 제2 쓰기시간(tprog2)동안 인가되면 상기 채널의 전하들이 상기 채널 상부의 상기 제1 부유 게이트와 상기 채널 측부의 상기 제2 부유게이트에 저장되는 단계; 및상기 게이트에 일정한 쓰기전압(Vprog)이 제3 쓰기시간(tprog3)동안 인가되면 상기 채널의 전하들이 상기 채널 상부의 상기 제1 부유 게이트, 상기 채널 측부의 상기 제2 부유게이트 및 상기 채널 상부의 상기 제2 부유 게이트에 저장되는 단계;를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 구동방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0841235-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20061201 출원 번호 : 1020060120333 공고 연월일 : 20080626 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080618 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 비휘발성 메모리 소자와 그 제조방법 및 구동방법 존속기간(예정)만료일 : 20130620 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 348,000 원 | 2008년 06월 19일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 348,000 원 | 2011년 06월 01일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 348,000 원 | 2012년 06월 05일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.12.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0892999-17 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2007.10.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0579965-37 |
| 3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2007.12.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0884497-01 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 | 2007.12.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0884500-51 |
| 5 | 거절결정서 | 2008.04.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0198610-09 |
| 6 | 명세서 등 보정서(심사전치) | 2008.04.18 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2008-0016282-41 |
| 7 | 등록결정서 | 2008.06.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0326469-71 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345067055 |
|---|---|
| 세부과제번호 | Kaist_KI_Hong_2008 |
| 연구과제명 | 나노융합기반기술연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200701~200812 |
| 기여율 | 0.25 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345072327 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R0A-2007-000-20028-0 |
| 연구과제명 | 나노소자를위한trans-scale융합기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200707~201206 |
| 기여율 | 0.25 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345086128 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 14-2008-01-001-00 |
| 연구과제명 | 나노임프린트공정기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 한국기계연구원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200804~201203 |
| 기여율 | 0.25 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415083996 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10029944 |
| 연구과제명 | 고신뢰성3차원NFGM소자개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 경북대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200408~201107 |
| 기여율 | 0.25 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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| 번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
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| 1 | 2008101003492 | 2008원3492 | 2006년 특허출원 제0120333호 거절결정불복심판 | 2008.04.17 | 2008.06.18 |