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금속강유전성반도체전개효과트란지스터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015111364
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 강유전성반도체 전개효과 트란지스터(MFS FET: metal ferroelectric semiconductor field effect transistor)의 제조방법에 관한 발명이다. 결정구조가 비정질(amorphous)상태인 불화바륨마그네슘(BaMgF4) 강유전체 박막(ferroelectric thin film)을 반도체 기판 위에 증착한 후 상부의 금속전극과 반도체 기판 사이에 전계(electric field)를 가하면서 열처리를 행함으로써 분극방향(polarization axis)으로 우선방위(preferred orientation)를 갖는 강유전체막을 제조하여 MFS FET의 분극유지특성이 향상됨을 특징으로 하는 금속 강유전성반도체 전개효과 트란지스터의 제조방법이다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 29/6684(2013.01) H01L 29/6684(2013.01) H01L 29/6684(2013.01) H01L 29/6684(2013.01)
출원번호/일자 1019980003179 (1998.02.05)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0305749-0000 (2001.08.01)
공개번호/일자 10-1999-0069131 (1999.09.06) 문서열기
공고번호/일자 (20011217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.02.05)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이원종 대한민국 대전광역시 유성구
2 김용일 대한민국 대전광역시 동구
3 김광호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.02.05 수리 (Accepted) 1-1-1998-0010126-43
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.02.05 수리 (Accepted) 1-1-1998-0010128-34
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.02.05 수리 (Accepted) 1-1-1998-0010127-99
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2000.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2000-0000072-12
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0125785-93
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2000-5233719-37
13 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2000-5270101-44
14 의견서
Written Opinion		 2000.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-5296491-22
15 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.09.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5296492-78
16 등록사정서
Decision to grant		 2001.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0136756-61
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

금속 강유전성반도체 전개효과 트란지스터의 제조방법에 있어서, 결정구조가 비정질(amorphous)인 강유전체 박막을 얻기 위해 BaMgF4 박막을 0~450℃에서 반도체 기판위에 증착하는 단계와, 상기 형성된 비정질 BaMgF4 강유전체 박막에 상부에 전도성 전극을 형성하는 단계와, 상부의 전극과 반도체 기판사이에 10-1~108V/㎝의 직류전계 또는 Vpp가 10-1~108V/㎝의 교류전계를 가하면서 300-1000℃에서 0

2 2

제1항에 있어서, 상부 전극은 전도성 세라믹 또는 금속임을 특징으로 하는 분극방향으로 우선방위를 갖는 것을 특징으로 하는 금속 강유전성반도체 전개효과 트란지스터의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 반도체 기판은 Si과 GaAs임을 특징으로 하는 금속 강유전성반도체 전개효과 트란지스터의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 전계와 열처리를 동시에 행함을 특징으로 하는 금속 강유전성반도체 전개효과 트란지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.