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기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리 회로

  • 기술번호 : KST2015113313
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 집적도를 향상시키고 정적 전력소모를 줄일 수 있도록 기계적인 스위치와 MOSFET을 결합하여 구현한 논리회로에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로는 기판, 상기 기판 내부에 서로 이격되어 형성되고 적어도 일부가 상기 기판 외부로 노출된 소오스 및 드레인, 상기 기판상에 형성된 게이트 절연막, 및 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트를 포함하는 MOFSET; 및 상기 소오스와 전기적으로 접속된 제1 전극, 상기 드레인과 전기적으로 접속된 제2 전극, 상기 게이트의 상부에 몸통부의 적어도 일부가 위치하고 일단이 상기 기판에 고정되며 타단이 상기 제2 전극의 상부에 위치하는 이동전극을 포함하는 기계적인 스위치를 포함한다. 기계적인 스위치는 게이트 전극에 의해 발생하는 정전기력에 따라 정전 구동(기계적인 동작)을 하고 MOS 트랜지스터는 게이트에 의해 발생하는 전기장(field)에 따라 채널을 형성(전기적인 동작)을 한다. MEMS, 집적회로, 논리회로
Int. CL H01L 21/82 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)
CPC H03K 19/215(2013.01) H03K 19/215(2013.01) H03K 19/215(2013.01)
출원번호/일자 1020090000079 (2009.01.02)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1042937-0000 (2011.06.14)
공개번호/일자 10-2010-0080679 (2010.07.12) 문서열기
공고번호/일자 (20110620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.02)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤준보 대한민국 대전 유성구
2 송용하 대한민국 대전광역시 유성구
3 이정언 대한민국 대전광역시 유성구
4 김민우 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0000532-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0058405-61
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0440088-89
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0738545-52
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0738547-43
7 등록결정서
Decision to grant
2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0294652-28
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
기판, 상기 기판 내부에 서로 이격되어 형성되고 적어도 일부가 상기 기판 외부로 노출된 소오스 및 드레인, 상기 기판상에 형성된 게이트 절연막, 및 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트를 포함하는 MOFSET; 및 상기 소오스와 전기적으로 접속된 제1 전극, 상기 드레인과 전기적으로 접속된 제2 전극, 상기 게이트의 상부에 몸통부의 적어도 일부가 위치하고 일단이 상기 기판에 고정되며 타단이 상기 제2 전극의 상부에 위치하는 이동전극을 포함하는 기계적인 스위치; 를 포함하는, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 이동전극의 일단 사이에 배치되고, 상기 이동전극의 일단이 고정되는 절연층을 더 포함하는, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
3 3
제1항에 있어서, 상기 이동전극의 타단에 상기 제2 전극을 향해 돌출된 돌출부를 더 포함하는, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
4 4
제1항에 있어서, 상기 기계적인 스위치는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이이자 상기 이동 전극의 하부에 위치하고, 상기 게이트와 전기적으로 접속된 게이트 전극을 더 포함하는, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
5 5
제1 기판, 상기 기판 내부에 서로 이격되어 형성되고 적어도 일부가 상기 제1 기판 외부로 노출된 제1 소오스 및 제1 드레인, 상기 제1 기판상에 형성된 제1 게이트 절연막, 및 상기 제1 게이트 절연막상에 형성된 제1 게이트를 포함하는 제1 MOFSET; 제2 기판, 상기 제2 기판 내부에 서로 이격되어 형성되고 적어도 일부가 상기 제2 기판 외부로 노출된 제2 소오스 및 제2 드레인, 상기 제2 기판상에 형성된 제2 게이트 절연막, 및 상기 제2 게이트 절연막상에 형성된 제2 게이트를 포함하는 제2 MOFSET; 상기 제1 소오스와 전기적으로 접속된 제 1-1 전극, 상기 제1 드레인과 전기적으로 접속된 제1-2 전극, 상기 제1 게이트의 상부에 몸통부의 적어도 일부가 위치하고 일단이 상기 제1 기판에 고정되며 타단이 상기 제1-1 전극의 상부에 위치하는 제1 이동전극을 포함하는 제1 기계적인 스위치; 및 상기 제2 소오스와 전기적으로 접속된 제2-1 전극, 상기 제2 드레인과 전기적으로 접속된 제2-2 전극, 상기 제2 게이트의 상부에 몸통부의 적어도 일부가 위치하고 일단이 상기 제2 기판에 고정되며 타단이 상기 제1 이동전극의 일단 상부에 위치하는 제2 이동전극을 포함하는 제2 기계적인 스위치; 를 포함하는, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1 기판과 상기 제1 이동전극의 일단 사이에 배치되고, 상기 제1 이동전극의 일단이 고정되는 제1 절연층; 및 상기 제2 기판과 상기 제2 이동전극의 일단 사이에 배치되고, 상기 제2 이동전극의 일단이 고정되는 제2 절연층을 더 포함하는, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
7 7
제5항에 있어서, 상기 제1 이동전극의 타단에 상기 제1-1 전극을 향해 돌출된 돌출부; 및 상기 제2 이동전극의 타단에 상기 제1 이동전극의 일단을 향해 돌출된 돌출부를 더 포함하는, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
8 8
제5항에 있어서, 상기 제1 기계적인 스위치는, 상기 제1-1 전극과 상기 제1-2 전극의 사이이자 상기 제1 이동 전극의 하부에 위치하고, 상기 제1 게이트와 전기적으로 접속된 제1 게이트 전극을 더 포함하고 상기 제2 기계적인 스위치는, 상기 제2-1 전극과 상기 제2-2 전극의 사이이자 상기 제2 이동 전극의 하부에 위치하고, 상기 제2 게이트와 전기적으로 접속된 제2 게이트 전극을 더 포함하는, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
9 9
제5항에 있어서, 상기 제1 기계적인 스위치의 제1-1 전극은 상기 제2 기계적인 스위치의 제2-1 전극과 전기적으로 접속되고, 상기 제1 기계적인 스위치의 제1-2 전극은 상기 제2 기계적인 스위치의 제2-2 전극과 전기적으로 접속된, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
10 10
제5항에 있어서, 상기 제1 기계적인 스위치의 제1-1 전극은 상기 제2 기계적인 스위치의 제2-2 전극과 전기적으로 접속되고, 상기 제1 기계적인 스위치의 제1-2 전극은 상기 제2 기계적인 스위치의 제2-1 전극과 전기적으로 접속된, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
11 11
제1 기판, 상기 기판 내부에 서로 이격되어 형성되고 적어도 일부가 상기 제1 기판 외부로 노출된 제1 소오스 및 제1 드레인, 상기 제1 기판상에 형성된 제1 게이트 절연막, 및 상기 제1 게이트 절연막상에 형성된 제1 게이트를 포함하는 제1 MOFSET; 제2 기판, 상기 제2 기판 내부에 서로 이격되어 형성되고 적어도 일부가 상기 제2 기판 외부로 노출된 제2 소오스 및 제2 드레인, 상기 제2 기판상에 형성된 제2 게이트 절연막, 및 상기 제2 게이트 절연막상에 형성된 제2 게이트를 포함하는 제2 MOFSET; 상기 제1 소오스와 전기적으로 접속된 제1-1 전극, 상기 제1 드레인과 전기적으로 접속된 제1-2 전극, 상기 제1 게이트의 상부에 몸통부의 적어도 일부가 위치하고 일단이 상기 제1 기판에 고정되며 타단이 상기 제1-2 전극의 상부에 위치하는 제1 이동전극을 포함하는 제1 기계적인 스위치; 및 상기 제2 소오스와 전기적으로 접속된 제2-1 전극, 상기 제2 드레인과 전기적으로 접속된 제2-2 전극, 상기 제2 게이트의 상부에 몸통부의 적어도 일부가 위치하고 일단이 상기 제2 기판에 고정되며 타단이 상기 제1-2 전극의 상부에 위치하는 제2 이동전극을 포함하는 제2 기계적인 스위치; 를 포함하는, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
12 12
제11항에 있어서, 상기 제1 기판과 상기 제1 이동전극의 일단 사이에 배치되고, 상기 제1 이동전극의 일단이 고정되는 제1 절연층; 및 상기 제2 기판과 상기 제2 이동전극의 일단 사이에 배치되고, 상기 제2 이동전극의 일단이 고정되는 제2 절연층을 더 포함하는, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
13 13
제11항에 있어서, 상기 제1 이동전극의 타단에 상기 제1-2 전극을 향해 돌출된 제1 돌출부; 및 상기 제2 이동전극의 타단에 상기 제1-2 전극을 향해 돌출된 제2 돌출부 를 더 포함하는, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
14 14
제11항에 있어서, 상기 제1 기계적인 스위치는, 상기 제1-1 전극과 상기 제1-2 전극의 사이이자 상기 제1 이동 전극의 하부에 위치하고, 상기 제1 게이트와 전기적으로 접속된 제1 게이트 전극을 더 포함하고, 상기 제2 기계적인 스위치는, 상기 제2-1 전극과 상기 제2-2 전극의 사이이자 상기 제2 이동 전극의 하부에 위치하고, 상기 제2 게이트와 전기적으로 접속된 제2 게이트 전극을 더 포함하는, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
15 15
제11항에 있어서, 상기 제1 기계적인 스위치의 제1-1 전극은 상기 제2 기계적인 스위치의 제2-1 전극과 전기적으로 접속된, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
16 16
제11항에 있어서, 상기 제1 기계적인 스위치의 제1-1 전극은 상기 제2 기계적인 스위치의 제2-2 전극과 전기적으로 접속된, 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로
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