맞춤기술찾기

이전대상기술

물리 공극을 갖는 그래핀 소자

  • 기술번호 : KST2015115211
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그래핀이 가지는 높은 전자이동도를 그대로 유지하면서 그래핀에 밴드갭(band gap) 형성 없이 물리 공극을 이용하여 그래핀 소자의 오프 상태 전류(off-state current)를 획기적으로 감소시켜서 온/오프 전류비(on/off current ratio)를 획기적으로 증가시킬 수 있는 구조의 그래핀 소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01)
출원번호/일자 1020110033753 (2011.04.12)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1224866-0000 (2013.01.16)
공개번호/일자 10-2012-0116167 (2012.10.22) 문서열기
공고번호/일자 (20130122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.12)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조병진 대한민국 대전광역시 유성구
2 문정훈 대한민국 대구광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0267322-08
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0098910-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0404434-19
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0708223-98
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0708221-07
7 등록결정서
Decision to grant
2013.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0005383-10
8 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)
2013.01.16 수리 (Accepted) 2-1-2013-0030367-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 형성된 소스와 드레인; 상기 소스와 상기 드레인 사이의 상기 기판 상에 형성된 그래핀 채널(grapheme channel); 상기 그래핀 채널 상부의 절연막 위에 형성된 게이트; 및 상기 그래핀 채널, 상기 절연막, 및 상기 게이트로 이루어진 적층 구조의 좌우 측면에는 절연 물질로 이루어진 하이-K 스페이서를 포함하고,상기 소스 또는 상기 드레인 중 어느 하나 이상이 물리 공극에 의해 상기 그래핀 채널과 이격되도록 형성되며,상기 게이트에 임계 전압보다 작게 전압이 인가될 때, 상기 물리 공극에 의한 이격으로 오프 전류를 감소시키고, 상기 게이트에 임계 전압 이상의 전압이 인가될 때, 상기 하이-K 스페이서를 통해 프린징 전계(fringing field)를 형성하여 상기 하이-K 스페이서 하부의 상기 기판의 해당 영역의 에너지 밴드를 인버전(inversion)시키고 상기 물리 공극의 유효 길이를 감소시켜 상기 물리 공극 부분의 상기 기판의 해당 영역에서 발생하는 항복(breakdown)에 의해 온 전류를 증가시키는 것을 특징으로 하는 그래핀 소자
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 하이-K 스페이서는, 3
5 5
청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
6 6
청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
7 7
청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
8 8
제1항에 있어서,상기 소스와 상기 드레인은, p+와 p+, n+와 n+, n+와 p+, 또는 p+와n+로 도핑되고,여기서, p+는 p형 불순물로 도핑되어 상기 기판보다 해당 불순물 농도가 큰 경우이고, n+는 n형 불순물로 도핑되어 상기 기판보다 해당 불순물 농도가 큰 경우인 것을 특징으로 하는 그래핀 소자
9 9
제1항에 있어서,상기 소스 또는 상기 드레인의 상부는 규소 화합물이 형성되도록 금속으로 실리사이드(silicide) 처리된 것을 특징으로 하는 그래핀 소자
10 10
청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
11 11
제1항에 있어서,상기 소스와 상기 그래핀 채널 사이의 상기 물리 공극에 의해 상기 소스가 상기 그래핀 채널과 이격되고, 상기 드레인은 상기 그래핀 채널의 하부에서 상기 그래핀 채널과 접촉되는 것을 특징으로 하는 그래핀 소자
12 12
제1항에 있어서,상기 드레인과 상기 그래핀 채널 사이의 상기 물리 공극에 의해 상기 드레인이 상기 그래핀 채널과 이격되고, 상기 소스는 상기 그래핀 채널의 하부에서 상기 그래핀 채널과 접촉되는 것을 특징으로 하는 그래핀 소자
13 13
청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
14 14
제1항에 있어서,상기 그래핀 채널은 물리 공극에 의해 이격된 복수의 그래핀 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 소자
15 15
제14항에 있어서,상기 복수의 그래핀 채널 각각의 상부에 형성된 절연막 상부에 각각의 게이트가 형성되고, 이격되어 각각 적층된 그래핀 채널, 절연막 및 게이트를 포함하는 각 적층 구조의 좌우 측면에는 하이-K 스페이서가 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀 소자
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08637851 US 미국 FAMILY
2 US20120261645 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012261645 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.