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고전력을 위한 내부전계전극을 갖는 갈륨나이트라이드기반의 고전자 이동도 트랜지스터 구조

  • 기술번호 : KST2015112588
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 갈륨나이트라이드 기반의 고전자 이동도 트랜지스터에 관한 것으로서, 고전자 이동도 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 내부전계전극을 삽입시킴으로써, 게이트와 드레인 영역에서 전계가 분산되어 피크치가 감소되고, 고주파 성능을 유지하면서 게이트 누설전류를 감소시켜 높은 항복전압을 얻을 수 있으며, 가리움 효과(Shielding Effect)로 게이트와 드레인 사이의 커페시턴스를 감소시키고, 내부전계전극의 입력전압을 변화시킴에 따른 선형성, 고전력 및 고주파 특성의 향상으로 저소비 전력, 저비용화를 실현가능하고, 마이크로파 전력 응용에 적합한 갈륨나이트라이드 기반의 고전자 이동도 트랜지스터를 제공하기 위한 것으로서, 그 기술적 구성은 갈륨나이트라이드(GaN) 버퍼층; 상기 버퍼층 상의 알루미늄갈륨나이트라이드(GaAlN) 배리어층; 상기 배리어층 상에 위치하는 소스 전극; 상기 배리어층 상에 상기 소스 전극과 이격되어 위치하는 드레인 전극; 상기 배리어층의 상부면에 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 이격되어 위치하는 게이트 전극; 상기 배리어층 상부면에 증착된 유전체층; 상기 게이트 전극 상부 유전체층에 형성되는 전계전극; 및 상기 유전체층 내부에 상기 게이트 전극 및 드레인 전극 사이에 이격되도록 형성되는 내부전계전극; 을 포함한다.HEMT, MMIC, 내부전계전극, 누설전류, 항복전압, 전력 이득
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/404(2013.01) H01L 29/404(2013.01) H01L 29/404(2013.01) H01L 29/404(2013.01)
출원번호/일자 1020060092255 (2006.09.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0782430-0000 (2007.11.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양경훈 대한민국 대전 유성구
2 이성식 대한민국 경남 밀양시
3 이기원 대한민국 충북 청원군
4 고광의 대한민국 경기 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0687066-81
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0944312-25
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0027280-31
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0412186-61
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0695580-15
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0695575-86
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0641283-07
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
갈륨나이트라이드(GaN) 버퍼층;상기 버퍼층 상의 알루미늄갈륨나이트라이드(GaAlN) 배리어층;상기 배리어층 상에 위치하는 소스 전극;상기 배리어층 상에 상기 소스 전극과 이격되어 위치하는 드레인 전극;상기 배리어층의 상부면에 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 이격되어 위치하는 게이트 전극;상기 배리어층 상부면에 증착된 유전체층;상기 게이트 전극 상부 유전체층에 형성되는 전계전극; 및상기 유전체층 내부에 상기 게이트 전극 및 드레인 전극 사이에 이격되도록 형성되는 내부전계전극;을 포함하되,상기 내부전계전극은 상기 전계전극과 오버랩되지 않도록 형성되거나 서로 경계가 일치하는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드 기반 고전자 이동도 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 내부전계전극에 인가되는 전압은 게이트 전극과 드레인 전극에 인가되는 전압 사이의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드 기반 고전자 이동도 트랜지스터
5 5
제4항에 있어서,상기 전계전극에는 소스 전극, 게이트 전극, 또는 드레인 전극에 인가되는 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드 기반 고전자 이동도 트랜지스터
6 6
제1항에 있어서,상기 내부전계전극은 상기 전계전극으로부터 드레인 전극 사이에 순차적인 적층 형태로 오버랩되어 다수개 형성될 수 있는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드 기반 고전자 이동도 트랜지스터
7 7
제1항에 있어서,상기 내부전계전극은 상기 전계전극으로부터 드레인 전극사이에 다수개 형성되며, 각 내부전계전극들은 오버랩되지 않도록 형성되거나 서로 경계가 일치하는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드 기반 고전자 이동도 트랜지스터
8 8
제6항 또는 제7항에 있어서,다수개 형성되는 내부전계전극에 인가되는 전압은 게이트 전극과 드레인 전극에 인가되는 전압 사이의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드 기반 고전자 이동도 트랜지스터
9 9
제1항에 있어서,상기 전계전극은 게이트 전극 또는 소스 전극 중 어느 하나와 도체로 연결되는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드 기반 고전자 이동도 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
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1 JP20078601 JP 일본 FAMILY
2 US07696535 US 미국 FAMILY
3 US20080073670 US 미국 FAMILY
4 US20090261384 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2008078601 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2008073670 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US2009261384 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US7696535 US 미국 DOCDBFAMILY
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