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극소 채널 모스 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015111873
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기존의 산화막으로 형성된 측벽(sidewall)대신 다량의 양전하를 포함하고 있는 높은 유전율의 절연 물질을 측벽으로 사용함으로써 측벽 아래의 기판 영역에 매우 얇은 반전층을 전기적으로 형성한다.기판 표면에 산화막을 형성한 후에 극소 패터닝 기술을 이용하여 다결정 실리콘을 게이트를 정의하는 단계; 상기 기판 상면 및 상기 게이트와 산화막의 측면에 높은 유전율을 가지는 절연물질을 통해 측벽을 형성하는 단계; 상기 기판내에 할로 이온을 주입하여 할로 영역을 형성하는 단계; 상기 기판내에 이온 주입을 하여 소스/드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것으로서, 측벽 아래의 기판 영역에 높은 농도의 반전층을 형성하기 위해 채널 영역의 기판 농도를 낮게 유지하고, 소스와 드레인 사이의 펀치-쓰루(punch-through) 전류를 막기 위해서 할로 이온 주입을 이용하며, 채널 영역의 기판 농도를 낮게 유지함으로써 채널에서의 전자 이동도를 높이고 문턱 전압 조정을 위해 주입된 불순물들의 비균일성으로 인한 문턱 전압 변화를 낮춘다.극소채널, 모스
Int. CL H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 29/1083(2013.01) H01L 29/1083(2013.01) H01L 29/1083(2013.01)
출원번호/일자 1020010020056 (2001.04.14)
출원인 이지케이 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2002-0079267 (2002.10.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.04.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이지케이 주식회사 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신형철 대한민국 대전광역시유성구
2 장성일 대한민국 대전광역시유성구
3 이종호 대한민국 전라북도익산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박미숙 대한민국 경기도 남양주시 경춘로 ***(가운동, 브릭스타워)*층 ***호(해솔국제특허법률사무소)
2 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
3 정태련 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, ****호 (서초동, 현대전원오피스텔)(특허법인 동원)
4 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2001-0084927-72
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2001.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2001-5106470-53
3 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2001.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2001-5107690-69
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2001.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2001-5147248-28
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0013224-23
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2002-0022704-54
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0391199-33
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2003.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0030801-45
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2004-5035980-34
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2005-0037195-52
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 표면에 산화막을 형성한 후에 극소 패터닝 기술을 이용하여 다결정 실리콘을 게이트를 정의하는 단계;

상기 기판 상면 및 상기 게이트와 산화막의 측면에 높은 유전율을 가지는 절연물질을 통해 측벽을 형성하는 단계;

상기 기판내에 할로 이온을 주입하여 할로 영역을 형성하는 단계;

상기 기판내에 이온 주입을 하여 소스/드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 극소 채널 모스 소자의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 기판은;

p-타입인 것을 특징으로 하는 극소채널 모스 소자의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 기판은;

n-타입인 것을 특징으로 하는 극소채널 모스 소자의 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 제조방법은;

SOI(Silicon On Insulator)와 같은 기판에 구현된 것을 특징으로 하는 극소채널 모스 소자의 제조방법

5 5

기판 표면에 산화막을 형성한 후에 극소 패터닝 기술을 이용하여 다결정 실리콘을 게이트로서 정의하는 단계;

상기 산화막 상면 및 상기 게이트의 측면에 높은 유전율을 가지는 절연물질을 통해 측벽을 형성하는 단계;

상기 기판내에 할로 이온을 주입하여 할로 영역을 형성하는 단계;

상기 기판내에 이온 주입을 하여 소스/드레인영역을 형성하는 단계로 이루어진 극소 채널 모스 소자의 제조방법

6 6

제 5 항에 있어서, 상기 기판은;

p-타입인 것을 특징으로 하는 극소채널 모스 소자의 제조방법

7 7

제 5 항에 있어서, 상기 기판은;

n-타입인 것을 특징으로 하는 극소채널 모스 소자의 제조방법

8 8

제 5 항에 있어서, 상기 제조방법은;

SOI(Silicon On Insulator)와 같은 기판에 구현된 것을 특징으로 하는 극소채널 모스 소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.