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도펀트의 주기적 주입을 이용한 유기금속 화학 기상 증착법에 의해 형성된 투명 전도막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015114545
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 도펀트의 주기적 주입을 통하여 유기금속 화학 기상 증착법에 의한 박막 태양전지용 산화아연 투명 전도막의 제조 방법에 관한 것으로서, 아연 함유 유기 금속 및 산소함유 기체를 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키고, 동시에 전도성 향상을 위해 3족 원소를 포함하는 기체 및 유기금속물질을 주기적으로 반응기에 주입하고, 5 mmHg의 압력, 150도 정도의 내부온도를 갖는 반응기 조건하에서 반응시켜, 우수한 전기 전도도 및 광 투과도를 가지며 입사빔의 흡수를 극대화 시킬 수 있는 높은 표면 거칠기를 가진 산화아연 투명 전도막을 성장시키는 것을 포함하며, 본 발명에 따른 도펀트의 주기적 도입을 통한 유기금속 화학 기상 증착법에 의하면, 투명 전도막의 대량생산이 가능하고 전도도 향상을 위해 도펀트로 사용되는 유기금속 물질 및 기체의 양을 획기적으로 줄일 수 있다.
Int. CL H01B 5/14 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020110002647 (2011.01.11)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1227111-0000 (2013.01.22)
공개번호/일자 10-2012-0081349 (2012.07.19) 문서열기
공고번호/일자 (20130128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.11)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창수 대한민국 대전광역시 유성구
2 안병태 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0021631-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0009294-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0357127-15
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0544976-46
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0544977-92
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0732625-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
아연(Zn)을 함유하는 유기금속, 산소(O)를 함유하는 기체, 도펀트(dopant) 원소를 함유하는 가스 및 도펀트 원소를 함유하는 유기금속을 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키면서 가열된 기판 위에 전도막을 성장시키되,상기 도펀트 원소를 함유하는 가스 및 상기 도펀트 원소를 함유하는 유기금속은 상기 반응기 내에 주기적으로 주입되는 것을 특징으로 하는, 유기 금속 화학 기상 증착법을 이용한 산화아연 투명 전도막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 아연을 함유하는 유기금속은 디메틸아연, 디에틸아연
3 3
제1항에 있어서, 상기 산소를 함유하는 기체는 수증기(water vapor), O2, CO2 및 O3로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 금속 화학 기상 증착법을 이용한 산화아연 투명 전도막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 도펀트 원소를 함유하는 가스는 다이보레인 가스인 것을 특징으로 하는 유기 금속 화학 기상 증착법을 이용한 산화아연 투명 전도막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 도펀트 원소를 함유하는 유기금속은 트라이메틸갈륨, 트라이메틸알루미늄 및 트라이메틸인듐으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 금속 화학 기상 증착법을 이용한 산화아연 투명 전도막의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 주기적인 주입은 산화아연이 기판내에 증착되는 4초당, 도펀트 원소를 함유하는 가스 및 도펀트 원소를 함유하는 유기금속이 반응기 내에 1초씩 주입되는 것임을 특징으로 하는 유기 금속 화학 기상 증착법을 이용한 산화아연 투명 전도막의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 전도막은 자유전자 농도가 1
9 9
제1항 내지 제5항 및 제7항 내지 제8항 중 선택된 어느 하나의 방법으로 제조된 산화아연 투명 전도막
10 10
제1항 내지 제5항 및 제7항 내지 제8항 중 선택된 어느 하나의 방법으로 제조된 산화아연 투명 전도막을 포함하는 태양전지 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.