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기판 상에 하부전극층을 적층하는 단계; 상기 하부전극층 상에 2개 이상의 단위 상변화층이 순차적으로 적층된 상변화층을 적층하는 단계; 및 상기 상변화층상에 블록공중합체를 도포한 후, 열처리하여 자기조립시키는 단계; 상기 자기조립된 블록공중합체 중 일부 중합체 블록 영역을 선택적으로 제거하여, 패턴된 블록공중합체 주형을 제조하는 단계; 상기 패턴된 블록공중합체 주형 상에 마스크용 금속층을 적층한 후, 상기 블록공중합체 주형을 제거하는 단계; 및 상기 마스크용 금속층 및 상변화 메모리 소자층을 반응성 이온식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 멀티 저항특성의 상변화 메모리 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단위 상변화층의 결정화 온도 차이는 50℃ 이상인 것을 특징으로 하는, 멀티 저항특성의 상변화 메모리 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단위 상변화층 사이에는 배리어층이 구비되는 것을 특징으로 하는, 멀티 저항특성의 상변화 메모리 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 반응성 이온식각에 따라 상기 마스크용 금속층 하부의 상변화 메모리 소자층은 원뿔 또는 원뿔 기둥 형태가 되는 것을 특징으로 하는, 멀티 저항특성의 상변화 메모리 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 마스크용 금속층은 크롬이고, 상기 하부전극층은 티타늄질화물층(TiN)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 멀티 저항특성의 상변화 메모리 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌-폴리메타크릴레이트 블록공중합체(PS-b-PMMA)이며, 상기 열처리에 의하여 폴리스티렌 기재에 폴리메타클릴레이트 영역이 실린더 형상으로 자기조립되는 것을 특징으로 하는, 멀티 저항특성의 상변화 메모리 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌-폴리디메틸실록산 블록공중합체(PS-b-PDMS)이며, 상기 열처리에 의하여 폴리스티렌 기재에 폴리디메틸실록산 영역이 실린더 형상으로 자기조립되는 것을 특징으로 하는, 멀티 저항특성의 상변화 메모리 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단위 상변화층은 2개이며, 각각의 단위 상변화층은 In3Sb1Te2(IST) 및 상부의 Ge2Sb2Te5 (GST)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 멀티 저항특성의 상변화 메모리 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 유리섬유를 포함하는 플렉서블 기판인 것을 특징으로 하는, 멀티 저항특성의 상변화 메모리 소자 제조방법
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기판; 상기 기판 상에 적층된 하부전극층; 및상기 하부전극층 상에 적층된 상변화층을 포함하며, 여기에서 상기 상변화층은 순차적으로 적층된 2 개 이상의 단위 상변화층을 포함하고, 여기에서 상기 단위 상변화층의 결정화 온도 차이는 50℃ 이상이며, 상기 기판은 유리섬유를 포함하는 플렉서블 기판인 것을 특징으로 하는, 멀티 저항특성의 상변화 메모리 소자
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제 11항에 있어서, 상기 단위 상변화층 사이에는 배리어층이 구비되는 것을 특징으로 하는, 멀티 저항특성의 상변화 메모리 소자
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