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유기 발광 다이오드 소자 및 상기 유기 발광 다이오드 소자 위에 형성된 무반사 박막을 포함하며, 상기 유기 발광 다이오드 소자는,유리 기판;상기 유리 기판 위에 형성된 후면 금속층;상기 후면 금속층 위에 형성된 제 1전극;상기 제 1전극 위에 형성된 유기 발광층;상기 제 1전극과 대향되도록 상기 유기 발광층 위에 형성된 제 2전극을 포함하고, 상기 무반사 박막은 금속-유전체 다층박막인 것을 특징으로 하며, 상기 금속-유전체 다층박막은,상기 유기 발광 다이오드 소자 위에 형성되는 위상 조정 유전체층;상기 위상 조정 유전체층 위에 형성되는 흡수/반사 금속층; 및상기 흡수/반사 금속층 위에 형성되는 위상 보정 유전체층을 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 위상 조정 유전체층은 상기 제 2전극에서 반사되는 빛과 상기 흡수/반사 금속층에서 반사되는 빛의 상대위상이 120도 내지 240도가 되도록 조절하는 유전체층이며, 상기 위상 조정 유전체층의 재질은 SiOx(x≥1), SiNx(x≥1), MgF2, CaF2, Al2O3, SnO2, ITO, IZO, ZnO, Ta2O5, Nb2O5, HfO2, TiO2 및 In2O3로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 무반사 유기 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서,상기 후면 금속층은 상기 제 1전극의 전기저항을 개선하며, 상기 후면 금속층의 재질은 Ag, Al, Mg, Cr, Ti, Ni, W, Au, ta, Cu, Co, Fe, Mo 및 Pt로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 상기 금속의 합금인 것을 특징으로 하는 무반사 유기 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제 1전극은 투명 양극으로서 투명 전도성 산화물(ITO, IZO) 또는 반투과 금속인 것을 특징으로 하는 무반사 유기 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제 2전극은 반투명 금속층으로서 음극을 형성하며, 상기 제 2전극의 재질은 Ag, Al, Mg, Cr, Ti, Ni, W, Au, Ta, Cu, Co, Fe, Mo 및 Pt로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 상기 금속의 합금인 것을 특징으로 하는 무반사 유기 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서,상기 후면 금속층과 상기 제 2전극에서 반사된 외광의 빛은 상기 위상 조정 유전체층과 위상 보정 유전체층에 의하여 상기 흡수/반사 금속층에서 반사된 빛과 소멸 간섭 또는 상기 흡수/반사 금속층에서 흡수되는 것을 특징으로 하는 무반사 유기 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서,상기 흡수/반사 금속층은 얇은 금속 박막으로 형성되며, 상기 흡수/반사 금속층의 재질은 Cr, Ti, Mo, Co, Ni, W, Al, Ag, Au, Cu, Fe, Mg, Pt로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 상기 금속의 합금인 것을 특징으로 하는 무반사 유기 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서,상기 위상 조정 유전체층은 상기 제 2전극에서 반사되는 빛과 상기 흡수/반사 금속층에서 반사되는 빛의 상대위상이 150도 내지 210도가 되도록 조절하는 유전체층인 것을 특징으로 하는 무반사 유기 발광 다이오드 소자
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청구항 10에 있어서,상기 위상 조정 유전체층은 상기 제 2전극에서 반사되는 빛과 상기 흡수/반사 금속층에서 반사되는 빛의 상대위상이 180도가 되도록 조절하는 유전체층인 것을 특징으로 하는 무반사 유기 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서,상기 위상 보정 유전체층은 상기 위상 조정 유전체층에서 의해 조절된 상대위상이 180도를 벗어나는 경우 이를 보정하는 유전체층이며, 상기 위상 보정 유전체층의 재질은 SiOx(x≥1), SiNx(x≥1), MgF2, CaF2, Al2O3, SnO2, ITO, IZO, ZnO, Ta2O5, Nb2O5, HfO2, TiO2 및 In2O3로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 무반사 유기 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서 위상 조정 유전체층의 두께는 30nm 내지 80nm인 것을 특징으로 하는 무반사 유기 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서 흡수/반사 금속층의 두께는 6nm 내지 15nm인 것을 특징으로 하는 무반사 유기 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서 위상 보정 유전체층의 두께는 60nm 내지 90nm인 것을 특징으로 하는 무반사 유기 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서 금속-유전체 다층박막은 2 이상의 다수인 것을 특징으로 하는 무반사 유기 발광 다이오드 소자
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청구항 16에 있어서,상기 후면 금속층과 상기 제 2전극에서 반사된 외광의 빛이 상기 금속-유전체 다층박막에 의해 소멸 간섭되거나 상기 금속-유전체 다층박막에 의해 흡수되는 것을 특징으로 하는 무반사 유기 발광 다이오드 소자
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청구항 16에 있어서,상기 금속-유전체 다층박막은 유전체층 및 반투과 금속층을 포함하고, 상기 유전체층의 재질은 SiOx(x≥1), SiNx(x≥1), MgF2, CaF2, Al2O3, SnO2, ITO, IZO, ZnO, Ta2O5, Nb2O5, HfO2, TiO2 및 In2O3로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나이고, 상기 반투과 금속층의 재질은 Cr, Ti, Mo, Co, Ni, W, Al, Ag, Au, Cu, Fe, Mg, Pt로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 상기 금속의 합금인 것을 특징으로 하는 무반사 유기 발광 다이오드 소자
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