맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

인버티드 유기 발광 다이오드 및 인버티드 유기 발광 다이오드 제조방법

  • 기술번호 : KST2015113465
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인버티드 유기 발광 다이오드 및 인버티드 유기 발광 다이오드 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 인버티드 유기 발광 다이오드는, 기판, 기판 상에 형성된 음극, 음극 상에 형성된 발광층, 발광층 상에 형성되고, 용액상태인 전도성 고분자 물질을 코팅하여 형성된 제1 양극, 제1 양극 상에 형성된 제2 양극을 포함하고, 음극 및 발광층 사이에 형성된 전자 주입층, 전자 주입층과 발광층 사이에 형성된 전자 수송층, 및 전자 수송층과 발광층 사이에 형성된 정공 차단층을 더 포함한다. 제2 양극은 소정의 액체 속에서 콜로이드 상태인 금속 잉크 물질로 구성된다. 전도성 고분자 물질은, PEDOT:PSS에 PC(polycarbonates), DMF(dimethyl formamide), HMPA(hexamethyl phosphorotriamide), THF(tetrahydrofuran), EG(ethylene glycol), NMP(N-Methyl-2-pyrrolidone) 중 어느 하나를 첨가한 물질이다. 전자 주입층은 유기 계면 활성제, 알칼리 금속, 및 알칼리 토금속 중 어느 하나로 구성된다. 인버티드, 유기 발광 다이오드, 발광층, 전도성 고분자 물질
Int. CL H05B 33/26 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01)
CPC H01L 51/5048(2013.01) H01L 51/5048(2013.01) H01L 51/5048(2013.01)
출원번호/일자 1020090065585 (2009.07.17)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1066160-0000 (2011.09.14)
공개번호/일자 10-2011-0007905 (2011.01.25) 문서열기
공고번호/일자 (20110920) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.17)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 양민양 대한민국 대전 유성구
2 윤홍석 대한민국 대전 유성구
3 김성범 대한민국 대전 유성구
4 전강민 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 손재용 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동, 미진빌딩*층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0437754-47
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0437695-41
3 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0795701-59
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0015387-19
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0136542-43
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0345448-59
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0345449-05
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0490520-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 형성된 음극; 상기 음극 상에 형성된 발광층; 상기 발광층 상에 형성되고, 용액상태인 전도성 고분자 물질을 코팅하여 형성된 제1 양극; 및 상기 제1 양극 상에 형성된 제2 양극; 을 포함하고, 상기 음극 및 상기 발광층 사이에 형성된 전자 주입층; 상기 전자 주입층과 상기 발광층 사이에 형성된 전자 수송층; 및 상기 전자 수송층과 상기 발광층 사이에 형성된 정공 차단층; 을 더 포함하고, 상기 제2 양극은 소정의 액체 속에서 콜로이드 상태인 금속 잉크 물질로 구성되고, 상기 전도성 고분자 물질은, PEDOT:PSS에 PC(polycarbonates), DMF(dimethyl formamide), HMPA(hexamethyl phosphorotriamide), THF(tetrahydrofuran), EG(ethylene glycol), NMP(N-Methyl-2-pyrrolidone) 중 어느 하나를 첨가한 물질이고, 상기 전자 주입층은 유기 계면 활성제, 알칼리 금속, 및 알칼리 토금속 중 어느 하나로 구성되는, 인버티드 유기 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 양극과 상기 발광층 사이에 형성된 정공 주입및수송층을 더 포함하는, 인버티드 유기 발광 다이오드
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
기판 상에 음극을 형성하는 음극 형성단계; 상기 음극 상에 발광층을 형성하는 발광층 형성단계; 상기 발광층 상에 용액상태인 전도성 고분자 물질로 구성되는 제1 양극을 형성하는 제1 양극 형성단계; 및 상기 제1 양극 상에 제2 양극을 형성하는 제2 양극 형성단계; 를 포함하고, 상기 음극 및 상기 발광층 사이에 전자 주입층을 형성하는 전자 주입층 형성단계; 상기 전자 주입층과 상기 발광층 사이에 전자 수송층을 형성하는 전자 수송층 형성단계; 및 상기 전자 수송층과 상기 발광층 사이에 정공 차단층을 형성하는 정공 차단층 형성단계; 를 더 포함하고, 상기 제2 양극은 소정의 액체 속에서 콜로이드 상태인 금속 잉크 물질로 구성되고, 상기 전도성 고분자 물질은, PEODT:PSS에 PC(polycarbonates), DMF(dimethyl formamide), HMPA(hexamethyl phosphorotriamide), THF(tetrahydrofuran), EG(ethylene glycol), NMP(N-Methyl-2-pyrrolidone) 중 어느 하나의 용액을 첨가한 물질이고, 상기 전자 주입층은 유기 계면 활성제, 알칼리 금속, 및 알칼리 토금속 중 어느 하나로 구성되는, 인버티드 유기 발광 다이오드 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 제1 양극 형성단계는, 상기 용액 상태인 전도성 고분자 물질을 스프레이 코팅, 롤 투 롤 인쇄, 잉크젯 인쇄, 스프린 인쇄, 딥 코팅, 블레이드 코팅, 슬릿 코팅 중 어느 하나를 이용하는, 인버티드 유기 발광 다이오드 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 제2 양극 형성단계는, 상기 제1 양극 상에 금속 페이스트로 구성되거나, 또는 소정의 액체 속에서 콜로이드 상태인 금속 잉크 물질로 구성되는 제2 양극을 형성하는, 인버티드 유기 발광 다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.