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측정 패턴 구조체, 보정 구조체, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법

  • 기술번호 : KST2015118617
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 측정 패턴 구조체, 보정 구조체, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법을 제공한다. 이 방법은 기판을 마주보는 상부 전극에 접촉하여 기판을 마주보도록 배치되고 위치에 따라 다른 구조를 가지는 측정 패턴을 포함하는 측정 패턴 구조체를 제공하는 단계, 상부 전극에 전력을 인가하여 형성된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 단계, 기판의 공정 결과를 위치에 따라 조사하여 최적 공정 결과를 선택하는 단계, 최적 공정 결과에 대응하는 측정 패턴을 보정 구조체에 전사하는 단계, 및 보정 구조체를 이용하여 기판을 처리하는 단계를 포함한다. 축전 결합 플라즈마, 공정 불균일성, 실리콘 플레이트, 측정 패턴 구조체, 보정 구조체
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/34(2013.01) H01L 22/34(2013.01)
출원번호/일자 1020090019091 (2009.03.06)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1073384-0000 (2011.10.07)
공개번호/일자 10-2010-0100288 (2010.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20111013) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장홍영 대한민국 대전광역시 유성구
2 이헌수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이평우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)(특허법인 누리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0137023-32
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0429328-78
3 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2009.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0625831-75
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.11.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0072112-17
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0574141-65
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0035227-38
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0035222-11
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0417172-11
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.08.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0029635-52
11 등록결정서
Decision to grant
2011.10.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0572970-86
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하나의 기판을 마주보는 상부 전극에 접촉하여 상기 기판을 마주보도록 배치되고 위치에 따라 다른 구조를 가지는 측정 패턴을 포함하는 측정 패턴 구조체를 제공하는 단계; 상기 측정 패턴 구조체를 상기 상부 전극에 배치하고 상기 상부 전극에 전력을 인가하여 형성된 위치에 따라 불균일한 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 처리하는 단계; 상기 기판의 공정 결과를 위치에 따라 조사하여 상기 측정 패턴별로 동일한 공정 결과의 최적 공정 결과를 선택하는 단계; 상기 최적 공정 결과에 대응하는 측정 패턴을 보정 구조체에 전사하는 단계; 및 상기 보정 구조체를 이용하여 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 측정 패턴 구조체는 제1 측정 패턴; 및 상기 제1 측정 패턴 상에 배치된 제2 측정 패턴을 포함하되, 상기 제1 측정 패턴의 두께와 및 상기 제2 측정 패턴의 두께의 합은 위치에 따라 일정한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 측정 패턴 구조체는 상기 측정 패턴 구조체는 상기 상부 전극과 상기 플라즈마 사이에 에너지 전달 효율을 위치에 따라 다르게 전달하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 상부 전극은 복수의 전극들로 분할된 다중전극인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
6 6
제 1항에 의하여 형성된 보정 구조체
7 7
하나의 기판이 장착되는 기판 홀더; 상기 기판 홀더와 이격되어 배치되고 플라즈마를 형성하도록 전원에 연결된 상부 전극; 및 상기 상부 전극에 접촉하여 상기 기판을 마주보도록 배치되고 위치에 따라 다른 구조를 가지는 측정 패턴을 포함하는 측정 패턴 구조체를 포함하되, 상기 측정 패턴 구조체는 위치에 따라 불균일한 플라즈마를 생성하고, 상기 측정 패턴 구조체는 상기 기판의 불균일한 공정 결과를 제공하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
8 8
삭제
9 9
제 7항에 있어서, 상기 측정 패턴 구조체는 제1 측정 패턴; 및 상기 제1 측정 패턴 상에 배치된 제2 측정 패턴을 포함하되, 상기 제1 측정 패턴의 두께와 및 상기 제2 측정 패턴의 두께의 합은 위치에 따라 일정한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.