맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

삼극형 탄소나노튜브의 전계 방출 표시소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120689
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 직격이 수㎛ 크기 이하인 미세한 홀이 형성된 하부 기판상에 직접 성장된 탄소나노튜브를 전계방출원으로 이용하고, 전자의 흐름을 제어할 수 있는 삼극형 전계방출 표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 투명전극, 발광층이 형성된 상부기판과 대응되도록 형성된 하부기판을 포함한 전계방출 표시소자의 제조방법에 있어서, 하부 기판상에 게이트 절연막, 게이트 전극을 차례로 형성하고 상기 게이트 절연막이 소정부분 노출되도록 상기 게이트 전극을 선택적으로 식각하는 단계와, 상기 기판 표면이 소정부분 노출되도록 게이트 절연막을 습식식각과 건식식하여 홀을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극상에 전자선 증착기를 사용하여 소정의 경사를 갖도록 도전층을 형성하는 단계와, 상기 도전층상 및 상기 홀의 기판상에 초박막의 촉매금속를 증착한 후, 화학기상증착법을 사용하여 선택적으로 홀 중앙에 탄소나노튜브를 형성하는 단계와, 리프트-오프 공정을 통해 상기 도전층을 제거하여 기판상에 직접성장된 탄소나노튜브를 갖는 삼극형 전계방출 표시소자를 형성하는 것을 특징으로 한다.탄소나노튜브, 전계방출원, 삼극형 전계방출 표시소자, 전자방출원, 선택적 성장
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1020000046198 (2000.08.09)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0372168-0000 (2003.01.30)
공개번호/일자 10-2002-0012933 (2002.02.20) 문서열기
공고번호/일자 (20030226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.08.09)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이윤희 대한민국 서울특별시성북구
2 주병권 대한민국 서울특별시성북구
3 장윤택 대한민국 서울특별시중랑구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조의제 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 재승빌딩 *층 (역삼동)(프라임특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2000-0167338-24
2 신규성(출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Certificate of Novelty(Special Provisions for Application)		 2000.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2000-5242741-43
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0144631-30
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.06.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0197105-10
6 의견서
Written Opinion		 2002.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2002-0197102-84
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0295062-68
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2002-5251015-05
9 의견서
Written Opinion		 2002.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2002-5272937-12
10 등록결정서
Decision to grant		 2003.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0019206-85
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

투명전극, 발광층이 형성된 상부기판과 대응되도록 형성된 하부기판을 포함한 전계방출 표시소자의 제조방법에 있어서,

하부기판상에 게이트 절연막, 게이트 전극을 차례로 형성하고 상기 게이트 절연막이 소정부분 노출되도록 상기 게이트 전극을 선택적으로 식각하는 단계와;

상기 기판 표면이 소정부분 노출되도록 게이트 절연막을 습식식각 및 건식식각하여 홀을 형성하는 단계;

상기 게이트 전극상에 전자-선 증착법를 사용하여 소정의 경사를 갖도록 희생층을 형성하는 단계;

상기 홀의 기판상에, 기울기와 회전 운동을 갖는 기판을 사용하여 15~30㎚로 형성하는 초박막의 촉매금속를 선택적으로 증착한 후, C2H2(혹은 CH4)/N2(혹은 H2, NH3) 분위기에서 가스압력 10~200Torr, 성장시간 100초 그리고 온도는 600~850℃의 조건하에서 화학기상증착법을 사용하여 선택적으로 홀 중앙에 탄소나노튜브를 형성하는 단계; 및

리프트-오프 공정을 통해 상기 희생층을 제거하여 기판상에 직접 성장된 탄소나노튜브를 갖는 삼극형 전계방출 표시소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 삼극형 탄소나노튜브 전계 방출 표시소자의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 약 1100℃ 정도의 전기로에서, 습식 산화법으로 두께 1㎛로 형성하는 것을 특징으로 하는 삼극형 탄소나노튜브 전계 방출 표시소자의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 Nb, W, Cr, Ti을 이용하여 100~350㎚로 형성하는 것을 특징으로 하는 삼극형 탄소나노튜브 전계 방출 표시소자의 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 DC 스퍼터법을 사용하여 상온에서 형성하는 것을 특징으로 하는 삼극형 탄소나노튜브 전계 방출 표시소자의 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막 식각시 BOE(Buffered Oxide Etchant)를 이용하여 4분 식각하고, 건식식각은 Ar:CHF3=2:1로 사용하여 200W를 실시하는 것을 특징으로 하는 삼극형 탄소나노튜브 전계 방출 표시소자의 제조방법

6 6

제 1항에 있어서, 상기 희생층은 알루미늄층을 사용하고, 약 15도 정도의 경사를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 삼극형 탄소나노튜브 전계 방출 표시소자의 제조방법

7 7

(삭제)
8 8

제 1 항에 있어서, 상기 촉매금속은 Ni, Co, Fe, (Ni/Co)n, (Co/Ni)n및 (Co/Ni/Co)n, (Ni/Co/Ni)n을 이용하는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자의 제조방법

9 9

제 1 항에 있어서, 상기 촉매금속은 석영관에 장입하고 N2/H2 분위기에서 650~700℃, 10~30분간 열처리하는 것을 특징으로 하는 삼극형 탄소나노튜브 전계 방출 표시소자의 제조방법

10 10

제 1 항에 있어서, 상기 희생층은 200㎚의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 삼극형 탄소나노튜브 전계 방출 표시소자의 제조방법

11 11

(삭제)
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.