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일정한 간격으로 서로 대향되도록 배치된 배면기판 및 전면기판; 상기 배면기판 상에 스트라이프(stripe) 형태로 형성된 캐소드전극; 상기 배면기판 상에 상기 캐소드전극과 교차하는 방향으로 스트라이프 형태로 형성된 그리드전극; 상기 두 기판 사이의 간격을 유지하면서 그 내부공간을 진공·밀봉하는 스페이서; 상기 전면기판 상의 전면(全面)에 형성된 애노드전극; 상기 애노드전극 상에 도포된 형광체; 상기 캐소드전극 및 애노드전극의 교차점에 대응하는 캐소드전극 상에 전자방출소자로서 형성된 탄소나노튜브; 상기 탄소나노튜브로부터 방출되는 전자를 제어하기 위하여 상기 캐소드전극과 애노드전극 사이에 일정한 간격을 두고 배치된 그리드; 상기 그리드를 설치하기 위하여 상기 배면기판 상에 배치된 지지대; 상기 그리드를 배면기판 상에 위치된 그리드전극과 전기적으로 접지시키기 위해 상기 지지대 외측면에 도포된 전도성페이스터; 로 구성된 3극구조를 가진 전계방출램프
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제 1 항에 있어서, 상기 배면기판 및 상면기판이 석영 또는 유리와 같이 투명한 물질로 되어 있는 3극 구조를 가진 전계방출램프
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제 1 항에 있어서, 상기 캐소드전극과 그리드전극은 스트라이프 형상으로 서로 교차하는 방향으로 패터닝 되어있는 것을 특징으로 하는 3극 구조를 가진 전계방출램프
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제 1 항에 있어서, 상기 캐소드전극의 표면은 주어진 인가전압에 의해 큰 전계를 유도시킬 수 있는 팁(tip)형으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 3극 구조를 가진 전계방출램프
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제 1 항에 있어서, 상기 배면기판과 캐소드전극사이에 반응을 방지하는 절연성을 가진 물질이 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 3극 구조를 가진 전계방출램프
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제 1 항에 있어서, 상기 캐소드전극 상에는 코발트, 니켈, 철, 이트륨 또는 이들의 합금으로 구성된 일군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질로 촉매금속막이 형성되어 탄소나노튜브의 형성을 촉진하는 것을 특징으로 하는 3극구조를 가진 전계방출형램프
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제 6 항에 있어서, 촉매금속막 상에 촉매금속막을 선택적으로 노출하는 오프닝을 가지는 절연막 패턴을 형성하고, 탄소나노튜브는 상기 촉매금속막 상의 오프닝에 의해서 노출되는 부분상에 선택적으로 위치하는 것을 특징으로 하는 3극 구조를 가진 전계방출램프
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제 1 항에 있어서, 상기 캐소드전극과 애노드전극 사이에는 스테인레스판을 미세식각하여 육각형 형태의 홀(hole)들을 가진 그리드가 배치된 것을 특징으로 하는 3극구조를 가진 전계방출램프
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제 8 항에 있어서, 상기 그리드 상에 형성된 육각형의 직경은 0
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제 1 항에 있어서, 상기 그리드와 전계방출소자와의 간격은 20㎛ 보다는 짧지 않고 500㎛ 보다는 길지 않으며, 그리드와 애노드 기판상에 형성되어 있는 형광체와의 간격은 50㎛이상으로 유지하는 것을 특징으로 하는 3극 구조를 가진 전계방출램프
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제 1 항에 있어서, 상기 스페이서는 실런트로서의 역할도 동시에 수행할 수 있도록 설계되어 있는 것을 특징으로 하는 3극구조를 가진 전계방출램프
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제 11 항에 있어서, 상기 스페이서는 PbO-SiO2를 주성분으로 하여 고온 열처리시 경화되는 유리프릿으로 이루어진 것을 특징으로 하는 3극구조를 가진 전계방출램프
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제 12 항에 있어서, 상기 유리프릿은 300℃ 보다는 낮지 않고 450℃ 보다는 높지 않은 온도에서 고온 경화되는 것을 특징으로 하는 3극구조를 가진 전계방출램프
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제 1 항에 있어서, 상기 지지대에는 그리드와 그리드전극을 전기적으로 접지시키기 위한 전도성 페이스터가 도포된 것을 특징으로 하는 3극구조를 가진 전계방출램프
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제 1 항에 있어서, 상기 상면기판과 맞닿는 스페이서의 면은 일정한 형태로 가공되어 스페이서와 상면기판의 합착시 발생되는 가스가 기판사이의 이격공간 내부로 흘러드는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 3극구조를 가진 전계방출램프
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제 15 항에 있어서, 상기 스페이서는 둥근형태 또는 뾰족한 형태로 말단부가 형성되는 것을 특징으로 하는 3극구조를 가진 전계방출램프
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제 1 항에 있어서, 전계방출램프는 기판사이의 이격공간을 진공상태로 만들기 위한 배기용 세관이 없는 평판형인 것을 특징으로 하는 3극구조를 가진 전계방출램프
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제 1 항에 있어서, 상기 그리드 위에 탄소나노튜브가 형성되어 방출 전자량을 증가시키는 것을 특징으로 하는 3극구조를 가진 전계방출램프
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제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 금속으로 이루어진 그리드 상에 형성된 고온 성장된 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 3극구조를 가진 전계방출램프
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제 19 항에 있어서, 상기 배면기판상에 형성되어 있는 캐소드전극이 그리드 상에 형성된 탄소나노튜브에서 방출된 전자 및 형광체에서 방출되는 빛을 반사하는 것을 특징으로 하는 3극구조를 가진 전계방출램프
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전계방출램프를 진공실장함에 있어서, 캐소드전극과 전계방출소자가 형성되어 있는 배면기판 및 애노드전극과 형광체가 형성되어 있는 상면기판을 진공챔버내의 고진공상태에서 가열하여 진공실장함으로써 배기용세관 없이 평판형으로 제조하는 것을 특징으로 하는 전계방출램프의 진공실장 방법
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제 21 항에 있어서, 진공챔버내의 진공도는 1×10-6 Torr 이하로 유지되는 것을 특징으로 하는 전계방출램프의 진공실장 방법
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제 21 항에 있어서, 배면기판과 상면기판사이의 이격공간 내에 가스를 흡착할 수 있는 게터(getter)를 배치함으로써 고온에서의 진공실장시 발생하는 가스를 제거하는 것을 특징으로 하는 진공실장 방법
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