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MEMS 구조물을 이용한 탄소나노튜브 가스센서 및 그제작방법

  • 기술번호 : KST2015120996
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로머시닝(microelectromechanical system, MEMS) 기술로 제작된 구조물 위에 탄소나노튜브를 직접 성장시켜 탄소나노튜브를 가스센서의 감응물질로 적용한 탄소나노튜브 가스센서 및 그 제작방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제작된 탄소나노튜브 가스센서는 고민감도이며, 상온 동작이 가능하며, 크기를 소형화 및 집적화시키고 전력소모를 줄일 수 있다. 또한 감응 가스의 종류가 다양하여 가스센서 어레이로의 개발 가능성이 크다. MEMS, 탄소나노튜브, 가스센서
Int. CL G01N 27/00 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020030068792 (2003.10.02)
출원인 한국과학기술연구원, 주식회사 한국전자홀딩스
등록번호/일자 10-0537093-0000 (2005.12.09)
공개번호/일자 10-2005-0032821 (2005.04.08) 문서열기
공고번호/일자 (20051216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.10.02)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 주식회사 한국전자홀딩스 대한민국 서울특별시 서초구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 대한민국 서울특별시 성북구
2 문승일 대한민국 서울특별시 성북구
3 이덕중 대한민국 서울특별시 마포구
4 장윤택 대한민국 서울특별시 중랑구
5 이윤희 대한민국 서울특별시 성북구
6 이종홍 대한민국 서울특별시 중랑구
7 이곤재 대한민국 서울특별시 성북구
8 오동환 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 (주)케이이씨 서울특별시 금천구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2003-0369865-60
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document
2003.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2003-5190710-99
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items
2003.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2003-0421698-41
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2004-0050818-14
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.03.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0021062-86
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0253996-16
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0351899-15
9 의견서
Written Opinion
2005.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0351898-70
10 등록결정서
Decision to grant
2005.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0567209-44
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5147926-07
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5205759-14
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 구비하는 단계, 상기 기판 상하부에 각각 절연층과 보호층을 형성하는 단계, 기판 상부에 형성된 상기 절연층 위에 히터를 형성하고 히터와 연결되어 있는 히터전극을 형성하는 단계, 상기 히터 위에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층 위에 전극라인과 탄소나노튜브전극을 형성하는 단계, 상기 탄소나노튜브전극 위에 촉매금속을 형성하는 단계, 기판의 하부를 비등방성 식각하여 다이아프램을 제작하는 단계, 탄소나노튜브를 성장시키는 단계, 홀이 가공되어 있는 캡으로 패키징하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
2 2
기판을 구비하는 단계,상기 기판을 식각하여 채널을 제작하는 단계,상기 기판 전체면에 절연층을 형성하는 단계,상기 채널 내부 양 측면에 히터를 증착하는 단계,기판 상부에 상기 히터와 연결되는 히터전극을 증착하는 단계,상기 채널 내부 양 측면의 히터 위에 절연층을 형성하는 단계,상기 채널 내부 양 측면의 절연층 위에 탄소나노튜브전극을 형성하는 단계,상기 채널 내부 양 측면의 탄소나노튜브전극 위에 촉매금속을 형성하는 단계,상기 채널 내부 양 측의 상기 탄소나노튜브전극 사이에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계,홀이 가공되어 있는 캡으로 패키징하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 절연층이 실리콘 산화막으로 이루어진 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 보호층이 실리콘 질화막으로 이루어진 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 기판 상하부의 절연층 및 보호층의 두께가 500 nm 이상인 탄소나노뷰트 가스센서의 제작방법
6 6
제 2항에 있어서, 상기 절연층의 두께가 1 ㎛ 이하인 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 히터가 스퍼터증착, 이온빔증착, 화학기상증착(CVD), 습식식각(wet etching) 또는 건식식각(dry etching) 공정을 이용하여 형성되는 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
8 8
제 2항에 있어서, 상기 히터가 기판을 기울여 스퍼터 또는 E-빔(beam) 공정을 이용하여 형성되는 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
9 9
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 히터가 금속 또는 폴리실리콘으로 이루어진 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 금속이 Pt, Ti 또는 Cr 중에서 선택된 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
11 11
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 히터의 두께가 0
12 12
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 히터전극이 Pt, Ti 또는 Cr 중에서 선택된 어느 하나의 금속으로 이루어진 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
13 13
제 1항에 있어서, 상기 히터 위의 절연층의 두께가 히터 두께 이상인 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
14 14
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 탄소나노튜브전극이 양단의 전극이 일정한 길이로 마주보도록 형성되는 탄소나노뷰트 가스센서의 제작방법
15 15
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 탄소나노튜브전극의 두께가 1 ㎛ 이하인 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
16 16
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 촉매금속이 리프트-오프 방식 또는 이온빔 리소그래피를 이용하여 형성되는 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
17 17
제 16항에 있어서, 상기 촉매금속의 두께가 20 nm 이하인 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
18 18
제 16항에 있어서, 상기 촉매금속이 Co, Ni 또는 Fe 중에서 선택된 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
19 19
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 탄소나노튜브가 열화학기상증착법(thermal CVD) 또는 플라즈마화학기상증착법(PECVD)을 이용하여 직접 성장하는 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
20 20
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 길이가 1 ㎛ 이상인 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
21 21
제 1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브가 수평 성장 또는 수직 성장하는 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
22 22
제 2항에 있어서, 상기 탄소나노튜브가 벽면에 수직인 방향으로 수평 성장하는 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
23 23
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 캡이 유리 또는 플라스틱으로 이루어진 탄소나노튜브 가스센서의 제작방법
24 24
기판 하부에 형성되어 있는 보호층, 다이아프램 구조로 제작되어 있는 기판, 상기 기판 상부에 형성되어 있는 절연층, 상기 절연층 위에 형성되어 있는 히터와 히터전극, 상기 히터 위에 형성되어 있는 절연층, 상기 절연층 위에 형성되어 있는 탄소나노튜브전극과 전극라인, 상기 탄소나노튜브전극 위에 형성되어 있는 촉매금속, 상기 촉매금속 위에 형성되어 있는 탄소나노튜브, 홀이 가공되어 있는 캡으로 이루어진 탄소나노튜브 가스센서
25 25
채널을 포함하는 벌크 구조로 제작되어 있는 기판, 상기 기판 전체면에 형성되어 있는 절연층, 상기 채널 양면에 형성되어 있는 히터와 기판 상부에 형성되어 있는 히터전극, 상기 히터 위에 형성되어 있는 절연층, 상기 절연층 위에 형성되어 있는 탄소나노튜브전극과 촉매금속, 상기 채널 양쪽의 탄소나노튜브전극 사이에 형성되어 있는 탄소나노튜브, 홀이 가공되어 있는 캡으로 이루어진 탄소나노튜브 가스센서
26 25
채널을 포함하는 벌크 구조로 제작되어 있는 기판, 상기 기판 전체면에 형성되어 있는 절연층, 상기 채널 양면에 형성되어 있는 히터와 기판 상부에 형성되어 있는 히터전극, 상기 히터 위에 형성되어 있는 절연층, 상기 절연층 위에 형성되어 있는 탄소나노튜브전극과 촉매금속, 상기 채널 양쪽의 탄소나노튜브전극 사이에 형성되어 있는 탄소나노튜브, 홀이 가공되어 있는 캡으로 이루어진 탄소나노튜브 가스센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.