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반도체 나노선 광센서를 이용한 고감도 신속진단 바이오칩
- 기술번호 : KST2014000414
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 특정 파장의 빛에 의하여 나노선의 저항이 감소하는 현상을 이용한 나노선 광센서에 관한 것이다. 또한, 나노선 광센서와 화학형광 및 화학발광을 이용하는 면역분석 (immunoassay) 원리를 결합한 면역분석용 신속 진단 키트를 제공한다. 또한, 나노선 광센서를 마이크로 어레이화하여 화학형광 및 화학발광을 검출방법으로 사용하는 나노선 단백질 칩과 유전자칩을 제공한다. |
|---|---|
| Int. CL | B82Y 35/00 (2011.01) G01N 21/64 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020040015629 (2004.03.08) |
| 출원인 | 한국과학기술연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0584188-0000 (2006.05.22) |
| 공개번호/일자 | 10-2005-0090285 (2005.09.13) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20060529) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2004.03.08) |
| 심사청구항수 | 37 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술연구원 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 변재철 | 대한민국 | 독일데-*****자 |
| 2 | 최헌진 | 대한민국 | 서울특별시성북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박장원 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술연구원 | 서울특별시 성북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2004.03.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0096494-33 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2005.05.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2005.06.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2005-0033826-87 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2005.11.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2005-0599803-49 |
| 5 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2006.01.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0055408-02 |
| 6 | 의견서 Written Opinion |
2006.02.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0112123-66 |
| 7 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2006.02.15 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0112124-12 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2006.05.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0272914-18 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5247056-16 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 부도체 기판, 두개의 전도성 금속 박막 전극 및 상기 두 전극에 연결되고 반도체 물질로 구성된 반도체 나노선을 포함하며, 상기 반도체 나노선은 지름이 1 내지 100 나노미터이고, 길이가 상기 두 전극 사이의 간격보다 크며, 특정 파장에서 광여기에 의하여 전기 저항이 낮아지는 물질로 구성되며,상기 나노선이 두 가지 이상의 물질로 구성됨으로써, 광 감응 파장대역이 원하는 범위로 조절되는 것을 특징으로 하는 나노선 광센서 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 기판이 반도체, 세라믹, 유리, 고분자 및 플라스틱으로 구성된 군 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노선 광센서 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 전극이 Au, Ti, Pt, Pd, TiN 및 이들 중 두 가지 이상의 합금으로 구성된 군 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노선 광센서 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 두 전극간 거리가 1 내지 100 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 나노선 광센서 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노선이 ZnO, SnO2, CdSe, GaN, CdS, InP, GaP, GaAs, AlAs, InN, Si, Ge, 및 SiC로 이루어진 군 중에서 선택된 한 가지 이상의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노선 광센서 |
| 6 |
6 삭제 |
| 7 |
7 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노선이 불순물로 도핑됨으로써, 광 감응 파장대역이 원하는 범위로 조절되는 것을 특징으로 하는 나노선 광센서 |
| 8 |
8 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노선이 서로 다른 물질로 구성된 코어 부분과 쉬스 부분으로 이루어진 지름방향 이종구조를 가짐으로써, 광 감응 파장대역이 원하는 범위로 조절되는 것을 특징으로 하는 나노선 광센서 |
| 9 |
9 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노선이 서로 다른 물질이 번갈아 증착됨으로써 길이방향 이종구조를 가짐으로써, 광 감응 파장대역이 원하는 범위로 조절되는 것을 특징으로 하는 나노선 광센서 |
| 10 |
10 삭제 |
| 11 |
11 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노선이 두 가지 이상의 성분이 서로 고용됨으로써, 광 감응 파장대역이 원하는 범위로 조절되는 것을 특징으로 하는 나노선 광센서 |
| 12 |
12 기판 위에 지름 1 내지 100 나노미터의 나노선을 성장시킨 후 분리하는 단계로서, 상기 나노선은 두 가지 이상의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하며; 부도체 기판 상에 두 개의 전도성 금속 박막 전극을 간격이 상기 나노선의 길이보다 짧도록 위치시키는 단계;상기 얻어진 나노선을 상기 두 전극 사이에 분산시키고 전압을 가하여 상기 나노선을 두 전극 사이에 두 전극을 연결하도록 위치시키는 단계; 및 전자빔 조사 또는 가열하여 상기 전극과 나노선을 전기적으로 접속시키는 단계를 포함하여 구성되는 나노선 광센서의 제조방법 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 기판으로서 실리콘 또는 사파이어를 사용하고, 상기 전극으로써 Au, Ti, Pt, Pd, TiN 및 이들 중 두 가지 이상의 합금으로 구성된 군 중에서 선택되는 물질을 사용하는 방법 |
| 14 |
14 제 12 항에 있어서, 상기 나노선을 ZnO, SnO2, CdSe, GaN, CdS, InP, GaP, GaAs, AlAs, InN, Si, Ge, 및 SiC로 이루어진 군 중에서 선택된 한 가지 이상의 물질로 구성되도록 적합한 전구물질을 공급하여 성장시키는 방법 |
| 15 |
15 삭제 |
| 16 |
16 제 14 항에 있어서, 상기 나노선을 적절한 불순물로 도핑시킴으로써, 광 감응 파장대역을 원하는 범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 방법 |
| 17 |
17 제 14 항에 있어서, 상기 나노선을 서로 다른 물질로 구성된 코어 부분과 쉬스 부분으로 이루어진 지름방향 이종구조를 가지도록 형성함으로써, 광 감응 파장대역을 원하는 범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 방법 |
| 18 |
18 제 14 항에 있어서, 상기 나노선을 서로 다른 물질이 번갈아 증착시켜 길이방향 이종구조를 가지도록 형성함으로써, 광 감응 파장대역을 원하는 범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 방법 |
| 19 |
19 삭제 |
| 20 |
20 제 14 항에 있어서, 상기 나노선을 서로 다른 물질로 고용함으로써, 광 감응 파장대역을 원하는 범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 방법 |
| 21 |
21 부도체 기판, 두개의 전도성 금속 박막 전극 및 상기 두 전극에 연결되고 반도체 물질로 구성된 반도체 나노선을 포함하고, 상기 반도체 나노선은 지름이 1 내지 100 나노미터이고, 길이가 상기 두 전극 사이의 간격보다 크며, 형광물질의 형광파장에서 광여기에 의하여 전기 저항이 낮아지는 물질로 구성된 나노선 광센서; 및형광물질을 포함하는 검출 스트립을 포함하는화학형광 측정키트 |
| 22 |
22 제 21 항에 있어서, 상기 반도체 나노선이 ZnO, SnO2, CdSe, GaN, CdS, InP, GaP, GaAs, AlAs, InN, Si, Ge, 및 SiC로 이루어진 군 중에서 선택된 한 가지 이상의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학형광 측정키트 |
| 23 |
23 제 21 항에 있어서, 상기 나노선이 2 가지 이상의 물질로 구성되거나; 불순물로 도핑되거나; 서로 다른 물질로 구성된 코어 부분과 쉬스 부분으로 구성된 지름방향 이종구조를 갖거나; 서로 다른 물질이 번갈아 증착되어 길이방향 이종구조를 갖거나; 중심부분이 제거되어 튜브 구조를 갖거나; 서로 다른 물질이 서로 고용됨으로써 상기 광여기에 의하여 전기저항이 낮아지는 파장대역이 조절되는 것을 특징으로 하는 화학형광 측정키트 |
| 24 |
24 제 21 항에 있어서, 상기 형광물질이 플루오레세인 (Fluorecein), 바이오디피-FL (Biodipy-FL), 알렉사 플루오르 그린 (Alexa Fluor Green), R-피코에리트린 (R-phycoerythrin), 피코에리트린-텍사스 레드 (Phycoerythrin-Texas Red), 피코에리트린-시아닌5 (Phycoerythrin-cyanine5), 피코에리트린-시아닌7 (Phycoerythrin-cyanine7), 페리디닌-클로로필 단백질 (Peridinin-chlorophyll protein), 알로피코시아닌 (Allophycocyanin) 및 알로피코시아닌-시아닌7 (Allophycocyanin-cyanine7)로 구성된 군 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화학형광 측정키트 |
| 25 |
25 부도체 기판, 두개의 전도성 금속 박막 전극 및 상기 두 전극에 연결되고 반도체 물질로 구성된 반도체 나노선을 포함하며, 상기 반도체 나노선은 지름이 1 내지 100 나노미터이고, 길이가 상기 두 전극 사이의 간격보다 크며, 발광물질의 발광파장에서 광여기에 의하여 전기 저항이 낮아지는 물질로 구성된 나노선 광센서; 및 발광효소 및 발광기질을 포함하는 검출 스트립을 포함하는 화학발광 측정키트 |
| 26 |
26 제 25 항에 있어서, 상기 반도체 나노선이 ZnO, SnO2, CdSe, GaN, CdS, InP, GaP, GaAs, AlAs, InN, Si, Ge, 및 SiC로 이루어진 군 중에서 선택된 한 가지 이상의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학발광 측정키트 |
| 27 |
27 제 25 항에 있어서, 상기 나노선이 2 가지 이상의 물질로 구성되거나; 불순물로 도핑되거나; 서로 다른 물질로 구성된 코어 부분과 쉬스 부분으로 구성된 지름방향 이종구조를 갖거나; 서로 다른 물질이 번갈아 증착되어 길이방향 이종구조를 갖거나; 중심부분이 제거되어 튜브 구조를 갖거나; 서로 다른 물질이 서로 고용되므로써 상기 광여기에 의하여 전기저항이 낮아지는 파장대역이 조절되는 것을 특징으로 하는 화학발광 측정키트 |
| 28 |
28 제 25 항에 있어서, 상기 발광효소가 양고추냉이 퍼옥시다제 (HRP), 알칼라인 포스파타아제 (AP) 및 루시페라제 (luciferase)로 이루어진 군 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화학발광 측정키트 |
| 29 |
29 제 25 항에 있어서, 상기 발광기질이 아다만탄-디옥세탄 (Adamantane-dioxetane), 아크리디늄 (Acridinium) 유도체, 루미놀 (Luminol) 유도체, 루시게닌 (Lucigenin), 반딧불이 루시페린 (Firefly luciferin), 포토프로테인 (Photoprotein), 히드라지드 (hydrazides) 및 쉬프 (schiff) 염기 화합물, 전기화학적 발광기질 및 발광성 산소채널링 기질로 이루어진 군 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화학발광 측정키트 |
| 30 |
30 분석 대상 물질; 및 제 21 항 내지 제 24 항에 따른 화학형광 측정키트 또는 제 25 항 내지 제 29 항에 따른 화학발광 측정키트를 포함하는 면역분석 키트 |
| 31 |
31 제 30 항에 있어서, 상기 화학형광 측정키트의 나노선 광센서가 형광 여기 광원과 직각 (90 °)으로 장치되어 있는 것을 특징으로 하는 면역분석 키트 |
| 32 |
32 제 30 항에 있어서, 상기 분석 대상 물질이 올리고뉴클레오타이드(oligo- nucleotide), DNA, RNA, PNA 및 cDNA으로 구성되는 군 중에서 선택되는 핵산 또는 단백질인 면역분석 키트 |
| 33 |
33 제 30 항에 있어서, 두 개 이상의 나노선 광센서가 마이크로어레이화 되어 있는 것을 특징으로 하는 면역분석 키트 |
| 34 |
34 제 33 항에 있어서, 상기 마이크로어레이화 되어 있는 나노선 광센서가 멀티플렉서를 통하여 연결되어 있어서 각각의 개별 나노선 광센서의 신호를 순차적으로 처리하거나, 아날로그스위칭을 통하여 개별 광센서의 신호를 동시에 처리할 수 있도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 면역 분석 키트 |
| 35 |
35 화학형광 물질 또는 화학발광 효소과 화학발광 기질 및 제 1 항 내지 제 5 항의 나노선 광센서를 포함하고, 상기 나노선 광센서의 나노선 표면이 화학 연결물질로 코팅되어 있어서, 분석 대상물질이 나노선에 직접 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 면역분석 키트 |
| 36 |
36 제 35 항에 있어서, 상기 나노선이 2 가지 이상의 물질로 구성되거나; 불순물로 도핑되거나; 서로 다른 물질로 구성된 코어 부분과 쉬스 부분으로 구성된 지름방향 이종구조를 갖거나; 서로 다른 물질이 번갈아 증착되어 길이방향 이종구조를 갖거나; 중심부분이 제거되어 튜브 구조를 갖거나; 서로 다른 물질이 서로 고용되므로써 상기 광여기에 의하여 전기저항이 낮아지는 파장대역이 조절되는 것을 특징으로 하는 면역분석 키트 |
| 37 |
37 제 35 항에 있어서, 상기 화학 연결물질이 말단에 아민기, 카르복실기, 에폭사이드기 및 술폰산기로 이루어진 군 중에서 선택된 물질이 결합되어 있는 티올 유도체 또는 유기 실란 유도체인 것을 특징으로 하는 면역분석 키트 |
| 38 |
38 제 37 항에 있어서, 상기 카르복실기가 N-(3-디메틸아미노프로필)-N-에틸카르보디이미드 (EDAC) 및 N-히드록시숙신이미드 (NHS)를 포함하고, 상기 아민기가 글루타르알데하이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 면역분석 키트 |
| 39 |
39 제 35 항에 있어서, 상기 분석 대상 물질이 올리고뉴클레오타이드(oligo- nucleotide), DNA, RNA, PNA 및 cDNA으로 구성되는 군 중에서 선택되는 핵산 또는 단백질인 면역분석 키트 |
| 40 |
40 제 39 항에 있어서, 두 개 이상의 나노선 광센서가 마이크로어레이화 되어 있는 것을 특징으로 하는 면역분석 키트 |
| 41 |
41 제 40 항에 있어서, 상기 마이크로어레이화 되어 있는 나노선 광센서가 멀티플렉서를 통하여 연결되어 있어서 각각의 개별 나노선 광센서의 신호를 순차적으로 처리하거나, 아날로그스위칭을 통하여 개별 광센서의 신호를 동시에 처리할 수 있도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 면역 분석 키트 |
| 42 |
41 제 40 항에 있어서, 상기 마이크로어레이화 되어 있는 나노선 광센서가 멀티플렉서를 통하여 연결되어 있어서 각각의 개별 나노선 광센서의 신호를 순차적으로 처리하거나, 아날로그스위칭을 통하여 개별 광센서의 신호를 동시에 처리할 수 있도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 면역 분석 키트 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
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DOCDB 패밀리 정보
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| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-0584188-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20040308 출원 번호 : 1020040015629 공고 연월일 : 20060529 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060511 청구범위의 항수 : 37 유별 : G01N 21/64 발명의 명칭 : 나노선 광센서 및 이를 포함하는 키트 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술연구원 서울 성북구... |
| 2 |
(권리자) 한국산업기술진흥원 서울특별시 강남구... |
| 2 |
(의무자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
| 3 |
(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
| 3 |
(의무자) 한국산업기술진흥원 서울특별시 강남구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,039,500 원 | 2006년 05월 23일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 854,000 원 | 2009년 04월 24일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 854,000 원 | 2010년 02월 11일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 854,000 원 | 2010년 02월 11일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 1,506,000 원 | 2012년 05월 09일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 1,506,000 원 | 2013년 04월 30일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 1,506,000 원 | 2014년 05월 07일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 2,275,000 원 | 2015년 04월 30일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 2,275,000 원 | 2016년 04월 29일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 2,275,000 원 | 2017년 05월 08일 | 납입 |
| 제 13 년분 | 금 액 | 1,197,500 원 | 2018년 04월 09일 | 납입 |
| 제 14 년분 | 금 액 | 1,197,500 원 | 2019년 05월 20일 | 납입 |
| 제 15 년분 | 금 액 | 1,197,500 원 | 2020년 04월 27일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2004.03.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0096494-33 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2005.05.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2005.06.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2005-0033826-87 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2005.11.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2005-0599803-49 |
| 5 | 지정기간연장신청서 | 2006.01.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0055408-02 |
| 6 | 의견서 | 2006.02.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0112123-66 |
| 7 | 명세서등보정서 | 2006.02.15 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0112124-12 |
| 8 | 등록결정서 | 2006.05.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0272914-18 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5247056-16 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
| 기술번호 | KST2014000414 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국과학기술연구원 |
| 기술명 | 반도체 나노선 광센서를 이용한 고감도 신속진단 바이오칩 |
| 기술개요 |
본 발명은 특정 파장의 빛에 의하여 나노선의 저항이 감소하는 현상을 이용한 나노선 광센서에 관한 것이다. 또한, 나노선 광센서와 화학형광 및 화학발광을 이용하는 면역분석 (immunoassay) 원리를 결합한 면역분석용 신속 진단 키트를 제공한다. 또한, 나노선 광센서를 마이크로 어레이화하여 화학형광 및 화학발광을 검출방법으로 사용하는 나노선 단백질 칩과 유전자칩을 제공한다. |
| 개발상태 | 시제품단계 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 심혈관계 질환인 급성심근경색 진단 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스 |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1090002270 |
|---|---|
| 세부과제번호 | kist2E17740 |
| 연구과제명 | 나노구조제어및나노재료기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 국무총리실 |
| 연구관리전문기관명 | 국무조정실 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
| 성과제출연도 | 2003 |
| 연구기간 | 200301~200312 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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