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격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015121586
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Si 기판 상에 AlAsSb층을 형성하는 단계, 상기 AlAsSb층 상에 AlAs층을 형성하는 단계 및 상기 AlAs층 상에 GaAs층을 형성하는 단계를 포함하는 Sb계열의 격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 제조방법 및 이 제조방법을 이용하여 제조된 화합물 반도체 기판이 개시된다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02466(2013.01) H01L 21/02466(2013.01) H01L 21/02466(2013.01) H01L 21/02466(2013.01)
출원번호/일자 1020130018424 (2013.02.21)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1388523-0000 (2014.04.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140424) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송진동 대한민국 서울특별시 성북구
2 이은혜 대한민국 서울 강남구
3 배민환 대한민국 충남 금산군
4 최원준 대한민국 서울 강북구
5 한일기 대한민국 서울 노원구
6 오현지 대한민국 경기 의정부시 평화로*

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0156144-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0076708-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0026685-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0229212-18
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0229208-24
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0257710-81
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Si 기판 상에 형성되고, 복수의 AlAsxSb1-x층을 포함하는 AlAsSb층; 상기 AlAsSb층 상에 형성된 AlAs층; 및상기 AlAs층 상에 형성된 GaAs층을 포함하되,상기 복수의 AlAsxSb1-x층 각각은 각 층에서 서로 다른 x값을 가지며, 상기 x의 범위는 0이상, 1미만이고, x 값은 각 층의 높이가 높아질수록 증가하는 것을 특징으로 하는 Sb계열의 격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판
2 2
제1항에 있어서,상기 Si 기판 상에 형성된 AlSb층을 더 포함하되,상기 AlAsSb층은 상기 AlSb층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 Sb계열의 격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
Si 기판 상에 AlAsSb층을 형성하는 단계; 상기 AlAsSb층 상에 AlAs층을 형성하는 단계; 및상기 AlAs층 상에 GaAs층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 Si기판 상에 AlAsSb층을 형성하는 단계는, 상기 Si기판 상에 AlSb층을 형성하는 단계; 및 상기 AlSb층 상에 상기 AlAsSb층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 AlSb층 상에 상기 AlAsSb층을 형성하는 단계는, 상기 AlSb층 상에 As를 주입하여 상기 AlAsSb층을 형성하되, 주입되는 As의 양을 10분 간격으로 3x10-7, 5x10-7, 1x10-6, 2x10-6, 3x10-6 Torr로 조절하여, 상기 AlAsSb층을 스텝형태로 형성하고, 스텝형태로 형성된 상기 AlAsSb층은, 복수의 AlAsxSb1-x층을 포함하되, 상기 복수의 AlAsxSb1-x층 각각은 서로 다른 x값을 가지며, 상기 x의 범위는 0 이상, 1 미만이고, 상기 복수의 AlAsxSb1-x층 각각에 대한 x 값은 각 층의 높이가 높아질수록 증가하는 것을 특징으로 하는 Sb계열의 격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제5항에 있어서,상기 Si기판 상에 AlAsSb층을 형성하는 단계는,500℃ 내지 600℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 Sb계열의 격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 제조방법
9 9
삭제
10 10
삭제
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