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화학기상증착 공정이 진행되는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 다이아몬드의 성장 공간을 제공하는 기판; 및상기 기판 상부의 이격된 위치에 구비되는 열차단 구조물을 포함하여 이루어지며, 상기 열차단 구조물은 전구체 가스가 이동될 수 있는 개구부를 구비하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성을 위한 화학기상증착 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 화학기상증착 장치는 HFCVD(hot filament CVD) 방식이며, 상기 챔버의 상부 공간에 고융점 필라멘트가 구비되고, 상기 열차단 구조물은 상기 고융점 필라멘트와 기판 사이의 공간에 구비되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성을 위한 화학기상증착 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 화학기상증착 장치는 PACVD(plasma assisted CVD) 방식이며, 상기 열차단 구조물은 플라즈마 발생장치와 기판 사이의 공간에 구비되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성을 위한 화학기상증착 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 열차단 구조물의 개구부는 일정 간격으로 이격되어 배치된 복수의 개구공을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성을 위한 화학기상증착 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 열차단 구조물의 개구부는 일정 폭과 길이를 갖는 단위 개구부가 반복, 배치되는 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성을 위한 화학기상증착 장치
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화학기상증착 챔버 내에 기판을 장착시키고, 상기 기판 상부의 이격된 위치에 열차단 구조물을 구비시킨 상태에서, 상기 챔버 내에 수소와 메탄의 혼합기체를 공급하여 상기 기판 상에 다이아몬드 박막을 성장시키며, 상기 열차단 구조물은 전구체 가스가 이동될 수 있는 개구부를 구비하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 기판은 900∼1000℃로 조절되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 챔버의 상부 공간에 고융점 필라멘트가 구비되고, 상기 열차단 구조물은 상기 고융점 필라멘트와 기판 사이의 공간에 구비되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 고융점 필라멘트와 기판 사이의 거리는 조절 가능하며, 상기 고융점 필라멘트와 기판 사이의 거리가 작을수록 다이아몬드 성장속도가 증가하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 열차단 구조물은 플라즈마 발생장치와 기판 사이의 공간에 구비되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 열차단 구조물의 개구부 면적은 조절 가능하며, 상기 개구부 면적과 기판 온도는 비례 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성 방법
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