요약 | 수직자화 박막 구조체 및 그 제조 방법을 제공한다. 수직자화 박막 구조체는, i) 베이스층, ii) 베이스층 위에 위치하고, L10 결정 구조를 가지는 자성층, 및 iii) 자성층 위에 위치하는 금속 산화물층을 포함한다. |
---|---|
Int. CL | H01F 41/14 (2006.01) H01F 10/18 (2006.01) B32B 15/04 (2006.01) H01F 41/22 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020110120757 (2011.11.18) |
출원인 | 한국과학기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-1308105-0000 (2013.09.06) |
공개번호/일자 | 10-2013-0055165 (2013.05.28) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130912) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.11.18) |
심사청구항수 | 16 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술연구원 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 최경민 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
2 | 민병철 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
3 | 신경호 | 대한민국 | 서울 노원구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 유미특허법인 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술연구원 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.11.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0913208-21 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.02.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0010101-98 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.04.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0222624-19 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.05.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0487133-48 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.05.31 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0487134-94 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.09.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0613488-55 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 베이스층,상기 베이스층 위에 위치하는 절연층상기 절연층 위에 위치하고, L10 결정 구조를 가지는 자성층,상기 자성층 위에 위치하는 금속 산화물층, 및상기 금속 산화물층 위에 위치하는 전극층을 포함하고,상기 금속 산화물층의 두께는 상기 자성층의 두께보다 작은 수직자화 박막 구조체 |
2 |
2 제1항에 있어서,상기 금속 산화물층은 TiO2, Ta2O5, Al2O3, Cr2O3, ZrO2, ZnO, Cu2O 및 NiO로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속 산화물을 포함하는 수직자화 박막 구조체 |
3 |
3 제2항에 있어서,상기 자성층은 A100-xBx의 화학식을 가지는 화합물을 포함하고, 상기 A는 Fe(철), Co(코발트), Ni(니켈), Mn(망간) 및 Cr(크롬)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소이고, 상기 B는 Pt(백금), Pd(팔라듐), Ni(니켈), Rh(로듐), Au(금), Hg(수은) 및 Al(알루미늄)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소이며, 상기 x는 25 내지 75인 수직자화 박막 구조체 |
4 |
4 제3항에 있어서,상기 x는 40 내지 60인 수직자화 박막 구조체 |
5 |
5 제1항에 있어서,상기 자성층은 0보다 크고 50at% 이하의 B(Boron)를 포함하고, 상기 금속 산화물층은 B2O3를 포함하는 수직자화 박막 구조체 |
6 |
6 삭제 |
7 |
7 제1항에 있어서,상기 절연층은 MgO층을 포함하고, 상기 MgO층의 두께는 2nm 이하인 수직자화 박막 구조체 |
8 |
8 제1항에 있어서,상기 베이스층은 자성 재료를 포함하는 수직자화 박막 구조체 |
9 |
9 제8항에 있어서,상기 자성 재료는 FePtB 및 CoPtB로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 화합물로 형성된 수직자화 박막 구조체 |
10 |
10 제1항에 있어서,상기 절연층과 상기 자성층 사이에 위치하고, 체심입방(body centered cubic, BCC) 결정 구조를 가지며 |
11 |
11 삭제 |
12 |
12 베이스층을 제공하는 단계,상기 베이스층 위에 자성층을 제공하는 단계,상기 자성층 위에 금속층을 제공하는 단계, 및상기 베이스층, 상기 자성층 및 상기 금속층의 열처리 단계를 포함하고,상기 열처리 단계에서, 상기 자성층은 L10 결정 구조를 가지도록 변환되고, 상기 자성층의 c축은 상기 자성층의 판면이 뻗은 방향에 수직인 방향으로 정렬되며, 상기 금속층은 금속 산화물층으로 변환되는 수직자화 박막 구조체의 제조 방법 |
13 |
13 제12항에 있어서,상기 베이스층과 상기 자성층 사이에 절연층을 제공하는 단계를 더 포함하고,상기 열처리 단계에서, 상기 절연층을 상기 베이스층, 상기 자성층 및 상기 금속층과 함께 열처리하는 수직자화 박막 구조체의 제조 방법 |
14 |
14 제13항에 있어서,상기 절연층과 상기 금속층 사이에 또다른 자성층을 제공하는 단계를 더 포함하고,상기 열처리 단계에서, 상기 또다른 자성층을 상기 베이스층, 상기 절연층, 상기 자성층 및 상기 금속층과 함께 열처리하는 수직자화 박막 구조체의 제조 방법 |
15 |
15 제12항에 있어서,상기 열처리 단계에서의 열처리 온도는 400℃ 내지 900℃인 수직자화 박막 구조체의 제조 방법 |
16 |
16 제15항에 있어서,상기 열처리 단계에서의 산소 분압은 1010 bar 내지 1 bar인 수직자화 박막 구조체의 제조 방법 |
17 |
17 제13항에 있어서,상기 열처리 단계 후에 상기 금속 산화물층의 두께를 줄이는 단계, 및상기 금속 산화물층 위에 전극층을 제공하는 단계를 더 포함하는 수직자화 박막 구조체의 제조 방법 |
18 |
18 제17항에 있어서,상기 금속 산화물층의 두께를 감소시키는 단계는 상기 금속 산화물층을 아르곤 이온 밀링(Ar ion milling), 반응성 이온 에칭(Reactive Ion Etching) 또는 화학기계적 평탄화(Chemical Mechanical Planarization)하여 상기 금속 산화물층을 부분적으로 제거하는 수직자화 박막 구조체의 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | EP02595164 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
2 | EP02595164 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
3 | US09355669 | US | 미국 | FAMILY |
4 | US20130130063 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | EP2595164 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
2 | EP2595164 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
3 | US2013130063 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
4 | US9355669 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1308105-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20111118 출원 번호 : 1020110120757 공고 연월일 : 20130912 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130902 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01F 10/18 발명의 명칭 : 수직자화 박막 구조체 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 334,500 원 | 2013년 09월 06일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2016년 09월 01일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2017년 08월 28일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 196,000 원 | 2018년 09월 03일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 354,000 원 | 2019년 09월 02일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 354,000 원 | 2020년 08월 26일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.11.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0913208-21 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2013.02.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0010101-98 |
4 | 의견제출통지서 | 2013.04.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0222624-19 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.05.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0487133-48 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.05.31 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0487134-94 |
7 | 등록결정서 | 2013.09.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0613488-55 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345197055 |
---|---|
세부과제번호 | 2E2273 |
연구과제명 | 차세대 신개념 전자소자 기술 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 기초기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201101~201312 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345199421 |
---|---|
세부과제번호 | 2011-0027905 |
연구과제명 | 나노 스핀트로닉스 신기능 RF 소자 기술 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201107~201702 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345143303 |
---|---|
세부과제번호 | 2E21670 |
연구과제명 | 정보기술용 나노 광/스핀 소자 기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 기초기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 201001~201312 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415115588 |
---|---|
세부과제번호 | KI002189 |
연구과제명 | 30nm급 수직자화형 고집적 STT-MRAM |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한양대학교산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200903~201302 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
[1020130095587] | 다중대역 주파수와 진폭을 동시에 변조하는 스핀트로닉스 무선통신 시스템 | 새창보기 |
---|---|---|
[1020130030978] | 능동형 스핀 RFID 태그 | 새창보기 |
[1020130029983] | 산화그래핀의 환원 방법, 상기 방법으로 얻어진 환원 산화그래핀 및 상기 환원 산화그래핀을 포함하는 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
[1020130004469] | 파장 선택적 광 감지 센서 및 이를 이용한 센싱 방법 | 새창보기 |
[1020120149337] | 태양광 집광 장치 | 새창보기 |
[1020120147963] | 자기장 제어 가변형 논리 소자 및 그 제어 방법 | 새창보기 |
[1020120140275] | 스핀토크를 이용한 측면형 스핀 소자 | 새창보기 |
[1020120123478] | 내산화성 구리 나노 입자의 제조방법 및 내산화성 구리 나노 입자 | 새창보기 |
[1020120119805] | 고밀도와 고강도를 가진 그린시트의 제조방법, 그린시트 제조용 세라믹 슬러리, 및 그린시트 | 새창보기 |
[1020120117042] | 산화물 센서 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020120110684] | 나노 결정질 다이아몬드를 이용한 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서 및 나노 결정질 다이아몬드로 이루어진 도파로의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020120105356] | 면내 전류와 전기장을 이용한 수평형 자기메모리 소자 | 새창보기 |
[1020120105355] | 면내 전류와 전기장을 이용한 자기메모리 소자 | 새창보기 |
[1020120095763] | 나노 입자 제조 방법, 나노 입자 및 이를 포함하는 유기 발광 소자, 태양 전지, 인쇄용 잉크, 바이오 이미지 장치 및 센서 | 새창보기 |
[1020120093800] | 전도성 이온 잉크 조성물, 그 제조방법 및 이를 이용한 고전도성 패턴 또는 막의 형성방법 | 새창보기 |
[1020120090297] | 산화물 전자소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020120087797] | 무동력 태양광 추적기능이 구비된 집광형 태양광 발전장치 | 새창보기 |
[1020120084553] | 롤투롤 패턴 형성 장치 및 롤투롤 패턴 형성 방법 | 새창보기 |
[1020120070120] | 광자 검출 장치 및 방법 | 새창보기 |
[1020120059373] | 다이아몬드결정의 입자크기 제어방법 및 장치 | 새창보기 |
[1020120052679] | P-형 투명 산화물 반도체, 이를 포함하는 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020120024055] | 수처리용 분리막 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020120022507] | 그래핀 제조 방법 및 그에 따라 제조되는 그래핀, 그 그래핀을 포함하는 전자 소자 | 새창보기 |
[1020120020971] | 엠램 식각 방법 | 새창보기 |
[1020120020794] | 브릴루앙 이득 및 손실 동시 측정을 이용한 분포형 광섬유 센서 및 센싱 방법 | 새창보기 |
[1020120015294] | 금속-유기 구조체를 포함하는 수처리용 분리막 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[1020120010308] | 자기 메모리 장치 | 새창보기 |
[1020110140562] | 산화물/질화물계 강자성 다층박막, 이를 이용하는 자성소자 및 산화물/질화물계 강자성 다층박막의 제조방법 | 새창보기 |
[1020110120757] | 수직자화 박막 구조체 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020110081384] | 알칸계 혼합가스를 이용한 자성박막의 식각방법 | 새창보기 |
[1020110045840] | 유체 유동 시뮬레이션 방법 및 이를 수행하기 위한 기록 매체 | 새창보기 |
[1020110044587] | 자기 공명 세차 현상을 이용한 스핀전달토크 자기 메모리 소자 | 새창보기 |
[1020110031375] | 전류 보상을 이용한 기준 전원 발생기 | 새창보기 |
[1020110022775] | 마그네틱 도메인의 이동을 이용하는 마그네틱 메모리 및 동작방법 | 새창보기 |
[1020100105510] | 적외선 램프를 구비한 물질층 결정화 장치와 이를 이용한 물질층의 결정화 방법 및 이 방법을 이용한 전자소자의 제조방법 | 새창보기 |
[1020100105509] | 산화막 제거 방법과 이 방법에 사용된 스퍼터링 장치, 산화막 제거 방법을 이용한 전자소자의 제조방법 및 산화막 제거 방법이 적용되어 형성된 전자소자 | 새창보기 |
[1020100065694] | 2형 양자우물을 포함하는 p형 반도체 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020100046364] | n-과 p-타입의 이중 전하 공급층 구조를 이용한 스핀 트랜지스터 | 새창보기 |
[1020100044330] | 상보성 스핀 트랜지스터 논리회로 | 새창보기 |
[1020100003615] | 수직자기이방성을 가지는 코발트-철-보론 박막 제조 방법 및 이를 이용하여 제조한 자기 랜덤 액세스 메모리 | 새창보기 |
[1020090099432] | 수직 자화 자성층을 갖는 자기 터널 접합 구조 | 새창보기 |
[1020090068608] | 갭리스 반도체 박막의 형성 방법(FORMING METHOD OF GAPLESS SEMICONDUCTOR THIN FILM) | 새창보기 |
[KST2015122608][한국과학기술연구원] | 플라즈모닉 나노 칼라 코팅층 및 이의 형성 방법 | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2014036480][한국과학기술연구원] | 자성 박막 부재 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
---|