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플라스틱 기판 상단에 소자격리층, 불순물접합층, 하부절연막이 형성된 강유전 캐패시터의 제조방법에 있어서, 상기 하부절연막 상단 일측에 전자빔 감응성 졸을 코팅하고 전자빔을 조사하여 패턴함으로써 확산방지막을 형성하는 단계; 상기 확산방지막 상단에 전극물질을 포함하는 전자빔 감응성 졸을 코팅하고 전자빔을 조사하여 패턴함으로써 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상단 일측에 강유전 물질을 포함하는 전자빔 감응성 졸을 코팅하고 전자빔을 조사하여 패턴함으로써 강유전막을 형성하는 단계; 상기 강유전막 상단 일측에 전극물질을 포함하는 전자빔 감응성 졸을 증착시킨 후 전자빔을 조사하여 패턴함으로써 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전 캐패시터의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 하부절연막 상단에 확산방지막, 하부전극, 강유전막 및 상부전극을 둘러싸며, 상부전극 및 불순물접합층 일부가 노출되도록 콘택홀이 형성된 상부절연막이 형성되는 단계와 상기 상부전극 및 상기 불순물접합층의 콘택홀을 연결하는 금속 콘택이 형성되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 강유전 캐패시터의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 전자빔을 조사하는 것이 국부적 전자빔 전사방식 또는 전자빔 마스크를 이용한 스칼펠 전사방식인 것을 특징으로 하는 강유전 캐패시터의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 폴리카보네이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리노르보넨, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐알콜, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르설폰 및 투명 폴리머 중 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전 캐패시터의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 확산방지막은 산화티타늄을 포함하는 졸을 산소 분위기로 전자빔을 조사하여 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전 캐패시터의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 하부전극 및 상부전극은 백금, 산화이리듐 또는 산화루테늄이 포함되는 전자빔 감응성 졸을 사용하고, 상기 백금이 포함되는 졸은 진공상태로 전자빔을 조사하고, 산화이리듐 및 산화루테늄이 포함되는 졸은 산소 또는 대기분위기로 전자빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 강유전 캐패시터의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 강유전막은 PZT, PLZT, BLT, BST 또는 SBT 중 어느 하나를 코팅한 후, 전자빔을 조사하여 패턴함으로써 강유전막이 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전 캐패시터의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 PZT는 [Pb(ZrxTi1-x)O3]로 0
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제 1항에 있어서, 상기 확산방지막, 하부전극, 강유전상 또는 상부전극에 포함되는 전자빔 반응성 졸은 에틸헥사노에이트, 아세틸아세토네이트, 디알킬이소카바메이트, 카복실 액시드, 카복실 레이트, 파라딘, 디아민, 아라신, 디아라신, 포스핀, 디포스핀, 아레네스 또는 베타-디케토네이트의 유기물 리간드가 사용되는 것을 특징으로 하는 강유전 캐패시터의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 전자빔 반응성 졸이 Pb, Zr, Ti 금속원소에 유기물 리간드가 결합하여 강유전 금속-유기물 전구체로 제조되고, 상기 강유전 금속-유기물 전구체는 핵산, 케톤, 메틸 이소부틸 케톤 또는 메틸 에틸 케톤의 용매에 용해되어 전자빔 감응성 코팅액이 제조되는 것을 특징으로 하는 강유전 캐패시터의 제조방법
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제 1항 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서, 직접패턴과 동시 상형성을 유도하기 위해서 전자빔의 가속에너지는 20 내지 500 kV, 스팟 사이즈는 1 내지 7, 드웰 타임은 5 내지 500 μsec 또는 전자빔 조사시간은 1초 내지 3시간으로 전자빔 조사조건 조절을 통해 박막의 형성을 유도하는 것을 특징으로 하는 강유전 캐패시터의 제조방법
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제 1항 또는 제 5항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 졸이 스핀코팅, 딥코팅, 스프레이 코팅을 이용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 강유전체 캐패시터 제조방법
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