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정렬키, 정렬키 형성 방법 및 이를 이용한 레이저 결정화방법

  • 기술번호 : KST2015124800
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 제조공정 중에 수행되는 장비의 얼라인을 위해 형성되는 정렬키를 형성함에 있어서, 기판 상에 형성된 비정질 실리콘층 상에 레이저광을 조사하여 조사된 부위의 비정질 실리콘층이 어블레이션을 일으켜 형성되는 정렬키, 정렬키 형성 방법 및 이를 이용한 레이저 결정화 방법을 제공한다. 결정화, 레이저 어닐링, 정렬키
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC G03F 9/7073(2013.01) G03F 9/7073(2013.01) G03F 9/7073(2013.01) G03F 9/7073(2013.01) G03F 9/7073(2013.01)
출원번호/일자 1020060066550 (2006.07.14)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0782769-0000 (2007.11.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.14)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 최태창 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
3 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0505729-20
2 보정요구서
Request for Amendment		 2006.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0105699-60
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2006.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0551035-76
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0032379-70
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0410768-87
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0595004-15
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0595026-19
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0626486-61
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 소자 제조공정 중에 수행되는 장비의 얼라인을 위해 형성되는 정렬키에 있어서,기판 상에 형성된 비정질 실리콘층 상에 레이저광을 조사하여 형성되며, 노광 마스크를 이용하여 상기 레이저광이 상기 비정질 실리콘층의 소정 부위에 조사되어 어블레이션이 발생하여 타영역과 구별되어 형성된 것을 특징으로 하는 정렬키
2 2
제 1 항에 있어서,상기 레이저광의 에너지는 500 mJ/cm2이상 10 J/cm2 미만인 것을 특징으로 하는 정렬키
3 3
제 1 항에 있어서,상기 레이저광의 조사 기간은 10 내지 5000 ns인 것인 것을 특징으로 하는 정렬키
4 4
제 1 항에 있어서,상기 레이저광의 조사는 2회 이상의 멀티샷으로 진행되는 것을 특징으로 하는 정렬키
5 5
제 1 항에 있어서,상기 기판과 상기 비정질 실리콘층 사이에 절연층의 버퍼막이 추가로 게재되어 있는 것을 특징으로 하는 정렬키
6 6
삭제
7 7
기판 상에 정렬키 형성용 대상층을 형성하는 단계;레이저를 위한 챔버를 이용하여 상기 정렬키 형성용 대상층의 정렬키가 형성될 영역을 타영역과 광학적으로 구별되도록 상변화시키는 단계를 구비하며,상기 정렬키 형성용 대상층은 비정질 실리콘층이고,상기 상변화시키는 단계는 상기 비정질 실리콘층 상에 레이저 광을 조사하여 형성하되, 노광 마스크를 이용하여 상기 레이저 광이 소정 부위를 투과해 어블레이션을 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정렬키 형성 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 레이저광의 에너지는 500mJ/cm2이상 10J/cm2 이며, 레이저광의 조사 기간은 10 내지 5000 ns인 것을 특징으로 하는 정렬키 형성 방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 레이저광의 조사는 2회 이상의 멀티샷으로 진행되는 것을 특징으로 하는 정렬키 형성 방법
10 10
기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘층 상에 레이저 광을 조사하여 형성하되, 노광 마스크를 이용하여 상기 레이저광이 소정 부위를 투과해 어블레이션을 발생시켜 타영역과 구분되도록 하여 정렬키 형성하는 단계; 및상기 정렬키를 이용하여 레이저 어닐링 장비를 얼라인하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 레이저광의 조사는 2회 이상의 멀티샷으로 진행되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.