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시드층의 패터닝을 통한 선택적 산화아연 나노선의제조방법

  • 기술번호 : KST2015124986
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ⅰ) 나노임프린트 방법을 이용하여 실리콘 기판위에 패터닝된 포토레지스트층을 형성하는 패터닝 단계; ⅱ) 상기 단계 ⅰ)의 패터닝 단계가 종료된 후 산화아연 시드를 도포하여 산화아연 시드층을 형성시키는 단계; ⅲ) 상기 단계 ⅱ)이 종료된 후 포토레지스트층 및 포토레지스트층 상단에 형성된 시드층을 함께 제거하는 단계; 및 ⅳ) 상기 단계 ⅲ)가 종료된 후 실리콘 기판위에 도포된 산화아연 시드를 성장시키는 산화아연 성장 단계를 포함하는 산화아연 나노선의 제조방법을 제공한다. 산화아연, 나노선, 알루미늄, 패터닝, 용액법
Int. CL H01L 21/027 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020070050063 (2007.05.23)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0849685-0000 (2008.07.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080731) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.23)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상우 대한민국 서울 강남구
2 송재진 대한민국 서울 강서구
3 백성훈 대한민국 서울 서대문구
4 이종혁 대한민국 서울 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이세진 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)(특허법인다나)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0377048-66
2 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0372581-00
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ⅰ) 나노임프린트 방법을 이용하여 실리콘 기판위에 패터닝된 포토레지스트층을 형성하는 패터닝 단계; ⅱ) 상기 단계 ⅰ)의 패터닝 단계가 종료된 후 산화아연 시드를 도포하여 산화아연 시드층을 형성시키는 단계; ⅲ) 상기 단계 ⅱ)이 종료된 후 포토레지스트층 및 포토레지스트층 상단에 형성된 시드층을 함께 제거하는 단계; 및 ⅳ) 상기 단계 ⅲ)가 종료된 후 실리콘 기판위에 도포된 산화아연 시드를 성장시키는 산화아연 성장 단계를 포함하는 산화아연 나노선의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 단계 ⅱ)의 산화아연 시드층의 두께가 30 내지 1000nm인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 단계 ⅲ)의 포토레지스트층 및 포토레지스트층 상단에 형성된 시드층을 제거하는 것이 산화제인 오존을 이용하여 수용액상에서 용해된 오존의 산화반응으로 포토레지스트를 산화 및 용해시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 단계 ⅳ)의 산화아연 성장 단계가 산화아연 시드가 도포된 실리콘 기판을 40 내지 90℃의 온도를 갖는 pH 10 내지 13으로 유지되는 아연염, 수산화기 및 암모늄기를 포함하는 수용액에 5 내지 7시간 동안 침지하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 아연염, 수산화기 및 암모늄기를 포함하는 수용액이 전체 수용액 중량 기준으로 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.