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금속할로겐 나노입자를 함유한 고분자 복합재 및 그제조방법

  • 기술번호 : KST2015125309
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속할로겐 나노입자를 함유한 고분자 복합재 및 그 제조방법에 관한 것으로, 친수성 영역 및 소수성 영역으로 미세 상분리되어 있는 고분자 매트릭스의 친수성 영역과 소수성 영역에 각각 크기가 다른 금속할로겐 입자가 분산되어 있어 열, 압력, 대기 등의 외부 조건에 의한 나노입자의 응집 현상을 발생시키지 않으므로 광학적, 자기적, 기계적 및 전기적 특성이 우수하고, 간단하고 효율적으로 제조할 수 있는 고분자 복합재 및 그 제조방법에 관한 것이다. 금속할로겐, 나노입자, 고분자, 복합재
Int. CL C08K 7/18 (2011.01) C08F 271/00 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01) C08L 51/00 (2011.01)
CPC C08K 3/10(2013.01) C08K 3/10(2013.01) C08K 3/10(2013.01) C08K 3/10(2013.01) C08K 3/10(2013.01) C08K 3/10(2013.01) C08K 3/10(2013.01) C08K 3/10(2013.01)
출원번호/일자 1020080073450 (2008.07.28)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0961277-0000 (2010.05.26)
공개번호/일자 10-2010-0012191 (2010.02.08) 문서열기
공고번호/일자 (20100603) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.28)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종학 대한민국 서울특별시 도봉구
2 이경주 대한민국 서울특별시 강동구
3 고주환 대한민국 서울특별시 서초구
4 박정태 대한민국 서울특별시 강남구
5 민병렬 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0541001-14
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0881461-88
3 보정요구서
Request for Amendment		 2009.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0002564-82
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0023637-60
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0055272-46
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0483243-98
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0801075-48
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0801079-20
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0210812-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
친수성 영역 및 소수성 영역으로 미세 상분리되어 있는 고분자 매트릭스; 및 상기 고분자 매트릭스의 각 영역에 분산된 금속할로겐 나노입자를 포함하는 고분자 복합재
2 2
제1항에 있어서, 고분자 매트릭스는 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 반복단위를 포함하는 소수성 고분자의 주쇄에 아민기 함유 중합체인 친수성 고분자가 그래프팅된 것을 특징으로 하는 고분자 복합재: [화학식 1] [화학식 2] 상기 식에서, R1은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, R2는 시아노기, 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, 또는 -C(O)-X를 나타내며, 여기서 X는 탄소수 1 내지 8의 알콕시기 또는 아미노기를 나타내고, R3은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내며, n은 1 내지 4의 정수이다
3 3
삭제
4 4
제2항에 있어서, 소수성 고분자는 폴리스티렌, 폴리알킬스티렌, 폴리메타크릴레이트, 폴리아크릴레이트, 폴리이소프렌, 폴리부타디엔, 폴리아크릴아미드 및 폴리비닐에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 공중합체인 것을 특징으로 하는 고분자 복합재
5 5
삭제
6 6
제2항에 있어서, 아민기 함유 중합체는 폴리 4-비닐피리딘, 폴리 2-비닐피리딘, 폴리디에틸아미노에틸메타크릴레이트, 폴리디에틸아미노에틸아크릴레이트, 폴리도데실메타크릴아미드, 폴리2비닐피리딘옥사이드, 폴리아미노스티렌, 폴리알릴아민히드로클로라이드, 폴리메틸비닐아민 및 폴리에틸이민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 복합재
7 7
제1항에 있어서, 고분자 매트릭스의 친수성 영역 및 소수성 영역의 몰비가 20: 80 내지 80: 20인 것을 특징으로 하는 고분자 복합재
8 8
제1항에 있어서, 친수성 영역 및 소수성 영역에 존재하는 금속할로겐 나노입자의 평균 크기가 상이한 것을 특징으로 하는 고분자 복합재
9 9
제1항에 있어서, 친수성 영역에 존재하는 금속할로겐 나노입자의 평균 크기가 20 내지 50nm이고, 소수성 영역에 존재하는 금속할로겐 나노입자의 평균 크기가 1 내지 15nm인 것을 특징으로 하는 고분자 복합재
10 10
제1항에 있어서, 금속할로겐은 하기 화학식 3으로 표현되는 단위로 이루어진 것임을 특징으로 하는 고분자 복합재
11 11
제1항에 있어서, 금속할로겐 나노입자는 고분자 매트릭스 100 중량부에 대하여 1 내지 50 중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 고분자 복합재
12 12
하기 화학식 1 또는 화학식 2의 반복단위를 포함하는 소수성 고분자 및 아민기 함유 중합체인 친수성 고분자를 혼합하고, 라디칼 중합을 통해 소수성 고분자에 친수성 고분자를 그래프팅하여 친수성 영역 및 소수성 영역으로 미세 상분리되어 있는 고분자 매트릭스를 제조하는 단계; 상기 고분자 메트릭스와 할로겐화 알킬을 반응시켜 상기 고분자 메트릭스에 양전하 및 음이온을 도입하는 단계; 및 상기 양전하 및 음이온이 도입된 고분자 메트릭스를 금속할로겐 전구체 용액과 혼합하여 금속할로겐 나노입자를 상기 고분자 메트릭스에 도입하는 단계를 포함하는 고분자 복합재의 제조방법: [화학식 1] [화학식 2] 상기 식에서, R1은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, R2는 시아노기, 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, 또는 -C(O)-X를 나타내며, 여기서 X는 탄소수 1 내지 8의 알콕시기 또는 아미노기를 나타내고, R3은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내며, n은 1 내지 4의 정수이다
13 13
삭제
14 14
제12항에 있어서, 소수성 고분자에 친수성 고분자를 그래프팅하는 단계는 80 내지 100℃의 온도에서 16 내지 20 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 복합재의 제조방법
15 15
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과기부 연세대학교 산학협력단 한국과학재단 특정기초 자기조립형 야누스 나노구조체의 제조를 통한 고효율자가방전형 고체 광전변환 소자 개발