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반도체 가스센서

  • 기술번호 : KST2015125341
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 반도체 가스센서는, 기판에 형성된 센서전극과; 상기 센서전극 위에 형성되는 감지막과; 상기 감지막이 형성된 상기 기판 면의 반대 면에 형성된 히터부와; 상기 히터부와 동일 면에 형성되어 온도를 측정하는 온도센서를 포함한다. 본 발명의 실시예에 따르면, 히터의 구동효율을 향상시키고 설계공간을 절약할 수 있는 반도체 가스센서를 제공할 수 있다. 가스센서, 질소, 히터
Int. CL H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01L 21/67248(2013.01) H01L 21/67248(2013.01) H01L 21/67248(2013.01) H01L 21/67248(2013.01)
출원번호/일자 1020080119469 (2008.11.28)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0060740 (2010.06.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영남 대한민국 대구광역시 달성
2 김덕남 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 김용준 대한민국 서울특별시 용산구
4 조성은 대한민국 인천광역시 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0822081-14
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0178905-92
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2010.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0012459-06
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-1089648-48
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0058008-14
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.02.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0137013-83
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0137012-37
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0240939-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 형성된 센서전극과; 상기 센서전극 위에 형성되는 감지막과; 상기 감지막이 형성된 상기 기판 면의 반대 면에 형성된 히터부와; 상기 히터부와 동일 면에 형성되어 온도를 측정하는 온도센서를 포함하는 반도체 가스센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 센서전극은 인터디지탈변환기(IDT; Inter Digital Transducer) 패턴으로 형성되는 반도체 가스센서
3 3
제1항에 있어서, 상기 감지막은, 질소산화물(NOx)과 접촉하는 경우 저항이 변화하는 반도체 가스센서
4 4
제1항에 있어서, 상기 히터부는 상기 기판의 중앙영역에 다수 회 절곡된 미앤더(meander) 형태로 패터닝되고; 상기 온도센서는 상기 히터부의 외각을 둘러싸는 미앤더 형상으로 패터닝되어, 상기 히터부 및 기판의 온도를 감지하는 반도체 가스센서
5 5
제1항에 있어서, 상기 히터부 및 온도센서는, Pt, Cu, Ag, Au 중 적어도 어느 하나로 구성되는 반도체 가스센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.