요약 | 본 발명은 PVDF/PMMA 복합 박막을 제조함에 있어서, 커패시터나 전계효과트랜지스터 등의 다양한 디바이스에 적합하도록 초저 표면 거칠기(surface roughness)를 갖으면서, 강유전성 β 결정을 갖도록 하는 PVDF/PMMA 복합 박막의 제조방법을 제공한다. 또한 상기 PVDF/PMMA 박막을 적용한 다양한 커패시터 및 전계효과트랜지스터의 제조방법을 제공한다. PVDF, PMMA, 박막, β 결정, 강유전성, 커패시터, 전계효과트랜지스터 |
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Int. CL | H01L 21/208 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) C08L 27/16 (2006.01) C08L 33/12 (2006.01) |
CPC | H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020090060214 (2009.07.02) |
출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1056867-0000 (2011.08.08) |
공개번호/일자 | 10-2011-0002641 (2011.01.10) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20110812) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2009.07.02) |
심사청구항수 | 4 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박철민 | 대한민국 | 서울특별시 마포구 |
2 | 강석주 | 대한민국 | 서울 서초구 |
3 | 박연정 | 대한민국 | 서울특별시 동작구 |
4 | 배인성 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김윤보 | 대한민국 | 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.07.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0405050-29 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.12.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0002282-20 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.02.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0091469-18 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0161017-24 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.03.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0161016-89 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.07.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0418020-69 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
번호 | 청구항 |
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9 상부전극/강유전체/하부전극으로 이루어진 커패시터의 제조방법에 있어서, 하부전극 위에 PVDF(poly(vinylidene fluoride))와 PMMA(poly(methylmethacrylate))의 혼합용액을 스핀코팅하는 단계(I); 상기 스핀코팅된 박막을 PVDF와 PMMA의 융점 이상의 온도에서 용융하는 단계(II); 상기 용융된 박막을 퀀칭(quenching)하는 단계(III); 상기 퀀칭된 박막을 어닐링하는 단계(IV); 및 상부전극을 형성하는 단계(V)를 포함하는 것을 특징으로 하는 RMS 표면거칠기(Root Mean Square Roughness) 0 |
10 |
10 제9항에서, 상기 단계(V)의 상부전극의 형성은 증착에 의하여 형성하는 것을 특징으로 하는 RMS 표면거칠기(Root Mean Square Roughness) 0 |
11 |
11 게이트전극과, 상기 게이트전극 상부의 PVDF/PMMA 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 상부의 단결정 TIPS-PEN 반도체층과, 상기 반도체층 상부의 소스전극 및 드레인전극을 갖는 전계효과트랜지스터(FeFET, Ferroelectric Field Effect Transistor)의 제조방법에 있어서, 상기 게이트전극 위에 PVDF(poly(vinylidene fluoride))와 PMMA(poly(methylmethacrylate))의 혼합용액을 스핀코팅하는 단계(I); 상기 스핀코팅된 박막을 PVDF와 PMMA의 융점 이상의 온도에서 용융하는 단계(II); 상기 용융된 박막을 퀀칭(quenching)하는 단계(III); 및 상기 퀀칭된 박막을 어닐링하는 단계(IV)를 포함하여 PVDF/PMMA 게이트 절연층을 제조하는 것을 특징으로 하는 RMS 표면거칠기(Root Mean Square Roughness) 0 |
12 |
12 제11항에서, 상기 게이트전극에 PVDF/PMMA 게이트 절연층을 형성하기 전에 상기 게이트전극 위에 스핀코팅을 통하여 PVP(poly(vinyl pyrrolidone))층을 먼저 형성하는 단계를 더 갖는 것을 특징으로 하는 RMS 표면거칠기(Root Mean Square Roughness) 0 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 한양대학교산학협력단 | 지식경제부 | 차세대신기술개발 | 고신뢰성 FFM 소자 개발 |
특허 등록번호 | 10-1056867-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20090702 출원 번호 : 1020090060214 공고 연월일 : 20110812 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110727 청구범위의 항수 : 4 유별 : H01L 21/208 발명의 명칭 : 초저 표면거칠기를 갖는 강유전성 PVDF/PMMA 박막을 적용한 비휘발성 메모리 디바이스의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 100,500 원 | 2011년 08월 08일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 89,600 원 | 2014년 05월 15일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 89,600 원 | 2015년 08월 11일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 92,280 원 | 2016년 08월 09일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 176,400 원 | 2017년 08월 04일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 126,000 원 | 2018년 08월 01일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 126,000 원 | 2019년 08월 05일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 236,900 원 | 2020년 08월 20일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.07.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0405050-29 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.12.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2011.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0002282-20 |
4 | 의견제출통지서 | 2011.02.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0091469-18 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0161017-24 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.03.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0161016-89 |
7 | 등록결정서 | 2011.07.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0418020-69 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1415109131 |
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세부과제번호 | 10030559 |
연구과제명 | 차세대 고성능 유기나노 소재 및 프린팅 공정기술 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200709~201108 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345096876 |
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세부과제번호 | 과C6A2005 |
연구과제명 | 휴먼트로닉스정보소재사업단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 연세대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | 기타 |
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