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비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015125545
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자가 제공되는데, 바닥 전극 역할을 하는 p형 Si 기판과; 상기 Si 기판 위에 형성되어, 비휘발성 메모리 소자의 동작 전압을 제어하고 전류의 ON/OFF 비를 증대시키는 절연층과; 상기 절연층 상에 형성되는 저항성 스위칭 거동층과; 상기 저항성 스위칭 거동층 상에 형성되는 금속층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090110061 (2009.11.16)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1081739-0000 (2011.11.03)
공개번호/일자 10-2011-0053508 (2011.05.24) 문서열기
공고번호/일자 (20111109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 명재민 대한민국 경기도 고양시 일산동구
2 최지혁 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 사친드라나스 다스 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0700131-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0021700-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0153688-43
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0359599-17
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0458224-56
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0549748-70
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0634515-11
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0634524-22
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0629615-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자로서, 바닥 전극 역할을 하는 p형 Si 기판과; 상기 Si 기판 위에 50 nm~300 nm의 두께로 형성되어, 비휘발성 메모리 소자의 동작 전압을 제어하고 전류의 ON/OFF 비를 증대시키는 절연층과; 상기 절연층 상에 형성되는 저항성 스위칭 거동층과; 상기 저항성 스위칭 거동층 상에 형성되는 금속층 을 포함하고, 상기 저항 스위칭 메모리 소자의 저항 스위칭 동작 중에 상기 절연층 내부에 상기 저항성 스위칭 거동층을 구성하는 금속 산화물의 금속에 의해 금속 경로가 형성되어, 상기 메모리 소자의 임의의 전압에서의 상기 ON/OFF 비를 증대시키며, 상기 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자의 동작 전압은 상기 절연층의 두께를 조절하여 제어되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자
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삭제
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청구항 1에 있어서, 상기 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자의 동작 전압은 상기 절연층의 두께가 증가함에 따라 증가하는 것인 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자
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청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 절연층은 SiO2로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자
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청구항 4에 있어서, 상기 저항성 스위칭 거동층은 NiO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자
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청구항 5에 있어서, 상기 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자의 임의의 전압에서의 ON/OFF 비는 105인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.