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나노와이어 소자를 임의 형태로 프린팅하여 나노 소자를 제조하는 방법 및 상기 방법에 사용되는 중간체 빌딩 블록

  • 기술번호 : KST2015125698
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 미리 디자인한 게이트 기판 상에 복수의 나노와이어 소자를 임의의 형태로 직접 프린팅하여, 나노 소자를 제조하는 방법이 제공되는데, 상기 방법은 (a) 나노와이어 용액을 준비하는 단계와; (b) 나노와이어 소자를 담지하여 상기 기판 위로의 전사 과정을 수행하기 위한 빌딩 블록을 준비하는 단계로서, 상기 빌딩 블록은 기판과 그 위의 나노와이어 소자 담지체를 포함하고, 복수 개의 빌딩 블록 유닛으로 구분되어 있으며, 각 빌딩 블록 유닛에는 나노 소자용 전극이 형성되어 있는 것인, 상기 빌딩 블록을 준비하는 단계와; (c) 상기 나노와이어 용액을 상기 각 빌딩 블록 유닛의 전극 사이로 떨어뜨린 후 유전영동(DEP) 프로세스를 수행하여, 각 빌딩 블록 유닛에서 전극을 나노와이어로 연결하여 나노와이어 소자를 형성하는 단계와; (d) 상기 유전영동 프로세스 수행 결과, 각 빌딩 블록 유닛의 전극 사이에 형성된 나노와이어 브릿지의 갯수를 시각적으로 검사하여, 그 갯수에 따라 각 빌딩 블록 유닛을 그룹화하는 단계와; (e) 상기 분류된 빌딩 블록 유닛을 상기 미리 디자인한 게이트 기판에 접촉시킨 후 떼어 내어, 각 빌딩 블록 유닛에 형성되어 있는 나노와이어 소자를 상기 게이트 기판 상에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020100058380 (2010.06.21)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1197037-0000 (2012.10.29)
공개번호/일자 10-2011-0138478 (2011.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (20121106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.21)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 명재민 대한민국 경기도 고양시 일산동구
2 백홍구 대한민국 서울특별시 강남구
3 이태일 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0395239-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0090425-59
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0229100-70
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0488901-30
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0489059-79
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0640385-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
미리 디자인한 게이트 기판 상에 복수의 나노와이어 소자를 임의의 형태로 직접 프린팅하여, 나노 소자를 제조하는 방법으로서, (a) 나노와이어 용액을 준비하는 단계와;(b) 나노와이어 소자를 담지하여 상기 기판 위로의 전사 과정을 수행하기 위한 빌딩 블록을 준비하는 단계로서, 상기 빌딩 블록은 기판과 그 위의 나노와이어 소자 담지체를 포함하고, 복수 개의 빌딩 블록 유닛으로 구분되어 있으며, 각 빌딩 블록 유닛에는 나노 소자용 전극이 형성되어 있는 것인, 상기 빌딩 블록을 준비하는 단계와;(c) 상기 나노와이어 용액을 상기 각 빌딩 블록 유닛의 전극 사이로 떨어뜨린 후 유전영동(DEP) 프로세스를 수행하여, 각 빌딩 블록 유닛에서 전극을 나노와이어로 연결하여 나노와이어 소자를 형성하는 단계와;(d) 상기 유전영동 프로세스 수행 결과, 각 빌딩 블록 유닛의 전극 사이에 형성된 나노와이어 브릿지의 갯수를 시각적으로 검사하여, 그 갯수에 따라 각 빌딩 블록 유닛을 그룹화하는 단계와;(e) 상기 분류된 빌딩 블록 유닛을 상기 미리 디자인한 게이트 기판에 접촉시킨 후 떼어 내어, 각 빌딩 블록 유닛에 형성되어 있는 나노와이어 소자를 상기 게이트 기판 상에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 빌딩 블록의 나노와이어 소자 담지체는 상기 각 빌딩 블록 유닛에 형성된 전극과의 adhesion이 불량한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조 방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 나노와이어 소자 담지체는 상기 전극이 접촉하는 표면이 소수성 표면 처리된 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조 방법
4 4
청구항 2에 있어서, 상기 전극은 금으로 이루어져 있고, 상기 나노와이어 소자 담지체는 PDMS로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조 방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 금 전극은 그 두께가 10~200 nm인 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조 방법
6 6
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (c) 단계에 있어서, 상기 유전영동 프로세스를 수행하면서 그 유전영동 프로세스 시간을 제어하여, 각 빌딩 블록 유닛에서 전극에 부착되는 나노와이어의 갯수를 제어하는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조 방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 (c) 단계에 있어서, 상기 유전영동 프로세스를 100 Hz~10 MHz의 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조 방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 (c) 단계에 있어서, 상기 유전영동 프로세스를 1 kHz~100kHz의 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조 방법
9 9
청구항 6에 있어서, 상기 (d) 단계에 있어서, 상기 나노와이어 브릿지의 갯수를 검사하여 그 갯수에 따라 각 빌딩 블록 유닛을 그룹화하는 것은 확대 렌즈를 갖고 있는 광학 현미경 또는 액정 디스플레이 패널 제조시 이용되는 광학 검사 장비를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조 방법
10 10
청구항 6에 있어서, 상기 미리 디자인한 게이트 기판은 기판과, 그 기판 상에 미리 원하는 형태로 패터닝된 게이트 전극과, 유전체 및 접착제층의 역할을 하는 상부층을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조 방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 상부층은 PVP, SiO2, Al2O3, ZrO 또는 HfO2로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조 방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 (e)의 단계에서 상기 나노와이어 소자는 상기 나노와이어 브릿지가 상기 게이트 기판의 상부층에 그 일부가 매립되면서 전사되는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조 방법
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 게이트 기판 상에 전사된 상기 나노와이어 소자는 그 소자를 구성하는 전극층이 상기 상부층에 일부가 매립된 나노와이어 브릿지의 형태를 감싸면서 상기 나노와이어 브릿지에 등각 접촉되는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조 방법
14 14
미리 디자인한 게이트 기판 상에 복수의 나노와이어 소자를 임의의 형태로 직접 프린팅하여 나노 소자를 제조하는 데에 사용하는 빌딩 블록으로서, 기판과, 상기 기판 상에 나노와이어 소자 담지체를 포함하고, 상기 빌딩 블록은 복수 개의 빌딩 블록 유닛으로 구분되어 있으며,상기 각각의 빌딩 블록 유닛에는 나노 소자용 전극과 이 전극 사이를 연결하는 나노와이어 브릿지를 포함하는 나노와이어 소자가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조용 빌딩 블록
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 빌딩 블록의 나노와이어 소자 담지체는 상기 각 빌딩 블록 유닛에 형성된 전극과의 adhesion이 불량한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조용 빌딩 블록
16 16
청구항 15에 있어서, 상기 나노와이어 소자 담지체는 상기 전극이 접촉하는 표면이 소수성 표면 처리된 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조용 빌딩 블록
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 전극은 금으로 이루어져 있고, 상기 나노와이어 소자 담지체는 PDMS로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조용 빌딩 블록
18 18
청구항 14 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서, 상기 빌딩 블록을 구성하는 각 빌딩 블록 유닛에 형성된 나노와이어 소자에 부착되는 나노와이어 브릿지는 그 갯수에 따라 복수 개의 그룹으로 분류할 수 있는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조용 빌딩 블록
19 19
청구항 14 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서, 상기 빌딩 블록을 구성하는 각 빌딩 블록 유닛에 형성된 나노와이어 소자에 부착되는 나노와이어 브릿지의 갯수는 하나의 그룹으로 분류할 수 있는 것을 특징으로 하는 나노 소자 제조용 빌딩 블록
20 20
전계 효과 트랜지스터(FET)에 있어서, 기판과, 상기 기판 상에 미리 원하는 형태로 형성된 게이트 패턴과, 유전체 및 접착제층의 역할을 하는 상부층과,소스 및 드레인을 포함하고,전극과 이들 전극 사이를 연결하는 나노와이어 브릿지를 포함하는 나노와이어 소자들이 상기 게이트 전극 패턴을 따라 임의의 형태로 프린팅되어 있으며,상기 나노와이어 브릿지는 그 일부가 상기 상부층에 매립되어 있고,상기 나노와이어 소자의 전극은 상기 상부층에 일부가 매립된 나노와이어 브릿지의 형태를 감싸면서 상기 나노와이어 브릿지에 등각 접촉되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
21 21
청구항 20에 있어서, 상기 상부층은 PVP, SiO2, Al2O3, ZrO 또는 HfO2로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08399334 US 미국 FAMILY
2 US20110309323 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011309323 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8399334 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.