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포토마스크의 세정방법

  • 기술번호 : KST2015125701
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 포토마스크의 세정방법은, 패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계; 및 기판 상에 음이온성 계면활성제가 20ppm 내지 500ppm의 농도로 첨가된 오존수 세정액을 공급하여 기판 상에 발생된 불순물을 제거하는 세정을 수행하는 단계를 포함한다.
Int. CL G03F 1/82 (2012.01) H01L 21/027 (2006.01) H01L 21/302 (2006.01)
CPC H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01)
출원번호/일자 1020100062237 (2010.06.29)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0005575 (2012.01.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동욱 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
2 임상우 대한민국 서울특별시 강남구
3 양자현 대한민국 경기도 김포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0420770-05
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073964-60
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0556028-28
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0077250-54
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0438962-94
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0764553-90
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0764554-35
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0602545-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계; 및상기 기판 상에 음이온성 계면활성제가 20ppm 내지 500ppm의 농도로 첨가된 오존수 세정액을 공급하여 상기 기판 상에 발생된 불순물을 제거하는 세정을 수행하는 단계를 포함하는 포토마스크의 세정방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 음이온성 계면활성제는 글리콜산 에톡시레이트 부틸페닐 에테르(Glycolic acid ethoxylate 4-tert-butylphenyl ether)인 포토마스크의 세정방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 음이온성 계면활성제는 상기 기판의 표면과 불순물 표면 사이의 전하를 변화시켜 상기 기판 상에 불순물이 부착되는 것을 방지하는 포토마스크의 세정방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 음이온성 계면활성제는 상기 기판의 표면과 불순물 표면 사이의 전하를 변화시켜 상기 불순물이 기판에 재부착되는 것을 방지하는 포토마스크의 세정방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 음이온성 계면활성제는 상기 오존 세정액내에 첨가되는 농도가 높아질수록 상기 오존 세정액의 pH를 변화시켜 상기 불순물의 기판 부착을 억제하는 포토마스크의 세정방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.