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투광 기판 상에 위상 반전 패턴이 형성된 위상 반전 마스크에 있어서,상기 위상 반전 마스크 상에 N2O 플라즈마 처리, NH3 플라즈마 처리 및 NH3 어닐링으로부터 선택되는 적어도 하나의 공정을 수행하여 상기 위상 반전 패턴 및 상기 투광 기판의 노출된 표면을 개질하는 단계를 포함하는 위상 반전 마스크의 표면 개질 방법
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제1항에 있어서,상기 NH3 어닐링은 450 ~ 750 ℃에서 수행되는 위상 반전 마스크의 표면 개질 방법
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제2항에 있어서,상기 NH3 어닐링은 NH3 가스를 0
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제3항에 있어서,상기 NH3 어닐링은 상기 NH3 가스가 분당 0
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제1항에 있어서,상기 NH3 플라즈마 처리 또는 N2O 플라즈마 처리는 1 ~ 20 분 동안 수행되는 위상 반전 마스크의 표면 개질 방법
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제1항에 있어서,상기 위상 반전 패턴 및 상기 투광 기판의 노출된 표면을 개질하는 단계는 상기 위상 반전 마스크의 표면을 황산 또는 암모늄을 포함하는 용액으로 세정한 후 수행되는 위상 반전 마스크의 표면 개질 방법
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제6항에 있어서,상기 세정은 상온에서 수행되는 위상 반전 마스크의 표면 개질 방법
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제6항에 있어서,상기 위상 반전 마스크의 표면을 황산 또는 암모늄을 포함하는 용액으로 세정한 후 탈이온수로 적어도 1 회 린스한 뒤, 상기 상기 위상 반전 패턴 및 상기 투광 기판의 노출된 표면을 개질하는 단계가 수행되는 위상 반전 마스크의 표면 개질 방법
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투광 기판 상에 위상 반전 패턴이 형성된 위상 반전 마스크에 있어서,(a) 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따라 상기 위상 반전 패턴 및 상기 투광 기판의 노출된 표면을 개질하는 단계; 및(b) 상기 (a) 단계 후, 적어도 한 번의 세정 공정을 수행하는 단계;를 포함하는 위상 반전 마스크의 세정 방법
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제9항에 있어서,상기 (b) 단계는 황산 또는 암모늄을 포함하는 용액으로 상기 위상 반전 마스크를 세정하는 것인 위상 반전 마스크의 세정 방법
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제9항에 있어서,상기 (a) 단계에서 표면 개질된 위상 반전 마스크는 상기 (b) 단계의 세정 공정을 수행하는 동안 1 회의 세정 공정당 1 nm 이하의 임계치수(critical dimension) 손실이 발생하는 위상 반전 마스크의 세정 방법
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제9항에 있어서,상기 (a) 단계에서 NH3 어닐링 공정에 의해 표면 개질된 위상 반전 마스크는 상기 (b) 단계의 세정 공정을 수행하는 동안 0
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제9항에 있어서,상기 (a) 단계에서 NH3 어닐링 공정에 의해 표면 개질된 위상 반전 마스크는 상기 (b) 단계의 세정 공정을 수행하는 동안 5 회의 세정 공정당 1 nm 이하의 임계치수(critical dimension) 손실이 발생하는 위상 반전 마스크의 세정 방법
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제9항에 있어서,상기 (a) 단계에서 NH3 플라즈마 처리 또는 N2O 플라즈마 처리에 의해 표면 개질된 위상 반전 마스크는 상기 (b) 단계의 세정 공정을 수행하는 동안 0
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제9항에 있어서,상기 (a) 단계에서 NH3 플라즈마 처리 또는 N2O 플라즈마 처리에 의해 표면 개질된 위상 반전 마스크는 상기 (b) 단계의 세정 공정을 수행하는 동안 5 회의 세정 공정당 1
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