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코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015127337
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어 제조방법이 제공된다. 본 발명은, 그 상부에 산화층을 갖는 기판상에 스퍼터링법으로 Bi 박막을 형성하는 공정; 상기 Bi 박막이 형성된 기판을 열처리함으로써 압축응력을 이용하여 Bi 단결정 나노와이어를 성장시키는 공정; 상기 열처리된 기판을 상온으로 냉각하는 공정; 및 상기 형성된 Bi 나노와이어상에 열전재료를 이용하여 스퍼터링함으로써 Bi/열전재료 코어/쉘구조를 갖는 열전 나노와이어를 제조하는 공정;을 포함하는 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어 제조방법에 관한 것이다. 나노와이어, 코어/쉘, Bi 단결정, 열전재료
Int. CL H01L 35/14 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) H01L 35/16 (2006.01)
CPC H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01)
출원번호/일자 1020090098284 (2009.10.15)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1047610-0000 (2011.07.01)
공개번호/일자 10-2011-0041214 (2011.04.21) 문서열기
공고번호/일자 (20110707) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.15)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이우영 대한민국 서울특별시 마포구
2 강주훈 대한민국 서울특별시 서대문구
3 함진희 대한민국 서울특별시 양천구
4 김은경 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0632516-62
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0640257-74
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0044064-69
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0389021-53
5 등록결정서
Decision to grant
2011.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0334181-53
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그 상부에 산화층을 갖는 기판상에 스퍼터링법으로 Bi 박막을 형성하는 공정; 상기 Bi 박막이 형성된 기판을 열처리함으로써 압축응력을 이용하여 Bi 단결정 나노와이어를 성장시키는 공정; 상기 열처리된 기판을 상온으로 냉각하는 공정; 및 상기 형성된 Bi 나노와이어상에 열전재료를 이용하여 스퍼터링함으로써 Bi/열전재료 코어/쉘구조를 갖는 열전 나노와이어를 제조하는 공정;을 포함하는 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 열전재료는 Te, Bi2Te3, PbTe, Sb, S중에서 선택된 1종임을 특징으로 하는 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 열전 나노와이어를 이루는 열전재료층인 쉘의 두께는 코어인 Bi 나노와이어 직경의 절반임을 특징으로 하는 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 단결정 Bi 나노와이어는 50-1000nm의 직경을 가짐을 특징으로 하는 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 산화층은 SiO2, BeO, Mg2Al4Si5O18 중 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 열처리온도를 200~270℃로 함을 특징으로 하는 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 제조된 코어/쉘 열전 나노와이어를 최종 열처리하는 공정;을 추가로 포함하는 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 최종 열처리온도는 Bi 융점이하나, Bi 융점이상 열전재료 융점이하 중 어느 하나의 온도범위인 것을 특징으로 하는 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 / 학술진흥재단 연세대학교 산학협력단 / 연세대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(2006년 기술기반구축사업) / 중점연구소지원 나노기술을 이용한 바이오 융합산업혁신클러스터 / 나노융합 그린에너지 원천기술개발