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금속 나노입자를 포함하는 고분자 복합재 및 그의 합성방법

  • 기술번호 : KST2015127531
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 친수성 영역 및 소수성 영역으로 미세 상분리되어 있는 자기 조립형 고분자 매트릭스; 및 상기 고분자 매트릭스의 친수성 영역에 분산된 금속 나노입자를 포함하는 고분자 복합재 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 복합재에서는 친수성 및 소수성 영역으로 미세 상분리되어 있는 매트릭스의 친수성 영역에만 나노입자가 균일하게 분산되어 있다. 이에 따라 본 발명의 복합재에 포함되는 나노입자는 고분자 매트릭스와의 우수한 상용성을 나타내고, 열, 압력, 그리고 대기 등의 외부 조건에 의한 응집 현상이 없다. 이에 따라 본 발명의 복합재는 광학적, 자기적, 기계적 및 전기적 특성이 우수한 이점을 가진다. 또한, 본 발명의 제조 방법에 따르면, 나노입자의 응집체 등을 발생시키지 않고, 상기와 같은 고분자 복합재를 간단하고 효율적으로 제조할 수 있다.고분자 매트릭스, 친수성, 소수성, 금속 나노입자, 그래프트 중합체, 고분자 복합재
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) C08L 51/00 (2011.01) C08K 7/02 (2011.01)
CPC C08K 3/08(2013.01) C08K 3/08(2013.01) C08K 3/08(2013.01) C08K 3/08(2013.01) C08K 3/08(2013.01) C08K 3/08(2013.01) C08K 3/08(2013.01) C08K 3/08(2013.01) C08K 3/08(2013.01)
출원번호/일자 1020070086630 (2007.08.28)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0860506-0000 (2008.09.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080926) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.28)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종학 대한민국 서울 도봉구
2 이경주 대한민국 서울 강동구
3 박정태 대한민국 서울 강남구
4 김용우 대한민국 서울 성동구
5 민병렬 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤항식 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)(특허법인다나)
2 진희동 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)(특허법인다나)
3 연무식 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0626536-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2008-0018152-29
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0185443-76
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0394769-44
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0394767-53
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0459024-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사슬 모양의 탄화수소, 방향족 탄화수소, 할로겐화 알킬 및 유기 규소로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 함유하는 소수성 주쇄; 및 상기 소수성 주쇄에 그래프팅되고, 술포기, 카르복시기, 아미노기, 암모늄기, 히드록시기 및 -COOM(상기에서 M은 알칼리 금속 또는 NH4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 함유하는 친수성 측쇄를 가지는 고분자 매트릭스; 및 상기 고분자 매트릭스의 친수성 측쇄에 분산된 금속 나노입자를 포함하는 고분자 복합재
2 2
제 1 항에 있어서, 고분자 매트릭스는 할로겐화 고분자 주쇄에 친수성 단량체가 그래프팅된 고분자이고, 상기 할로겐화 고분자는 폴리비닐리덴 플루오라이드-co-클로로트리플루오로에틸렌, 폴리비닐클로라이드, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리디클로로디플루오로메탄, 폴리비닐리덴디클로라이드 또는 상기 중 2 이상의 공중합체이며, 상기 친수성 단량체가 폴리옥시에틸렌 (메타)아크릴레이트, 폴리(에틸렌글리콜) 메틸에테르 (메타)아크릴레이트, 히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 가수분해된 t-부틸 (메타)아크릴레이트, 아크릴아미드, N-비닐피롤리돈, 아미노스티렌, 스티렌 술폰산, 메틸프로펜 술폰산, 술포프로필 (메타)아크릴레이트, 술포에틸 (메타)아크릴레이트 및 술포부틸 (메타)아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 복합재
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 고분자 매트릭스의 친수성 측쇄 및 소수성 주쇄의 몰비가 10:90 내지 50:50인 것을 특징으로 하는 고분자 복합재
6 6
제 1 항에 있어서, 금속 나노입자는 Au, Pt, Pd, Cu, Ag, Co, Fe, Ni, Mn, Sm, Nd, Pr, Gd, Ti, Zr, Si 및 In로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 금속, 상기 중 2 이상의 금속간 화합물, 합금 또는 혼합물인 것을 특징으로 하는 고분자 복합재
7 7
제 1 항에 있어서, 금속 나노입자는 고분자 매트릭스 100 중량부에 대하여 1 내지 50 중량부의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 고분자 복합재
8 8
사슬 모양의 탄화수소, 방향족 탄화수소, 할로겐화 알킬 및 유기 규소로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 함유하는 소수성 주쇄; 및 상기 소수성 주쇄에 그래프팅되고, 술포기, 카르복시기, 아미노기, 암모늄기, 히드록시기 및 -COOM(상기에서 M은 알칼리 금속 또는 NH4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 함유하는 친수성 측쇄를 가지는 고분자 매트릭스를 사용하여 캐스팅법으로 고분자 필름을 제조하는 제 1 단계; 고분자 필름을 금속 전구체 용액과 혼합하여, 금속 전구체를 친수성 측쇄에 도입하는 제 2 단계; 및 고분자 필름에 도입된 금속 전구체를 환원시키는 제 3 단계를 포함하는 고분자 복합재의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 제 1 단계는, a) 할로겐화 고분자, 친수성 단량체, 촉매 및 리간드를 혼합하는 단계; 및 b) 원자이동라디칼 중합을 통하여 상기 할로겐화 고분자에 친수성 단량체를 그래프팅하는 단계를 포함하되, 상기 할로겐화 고분자는 폴리비닐리덴 플루오라이드-co-클로로트리플루오로에틸렌, 폴리비닐클로라이드, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리디클로로디플루오로메탄, 폴리비닐리덴디클로라이드 또는 상기 중 2 이상의 공중합체이며, 상기 친수성 단량체가 폴리옥시에틸렌 (메타)아크릴레이트, 폴리(에틸렌글리콜) 메틸에테르 (메타)아크릴레이트, 히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 가수분해된 t-부틸 (메타)아크릴레이트, 아크릴아미드, N-비닐피롤리돈, 아미노스티렌, 스티렌 술폰산, 메틸프로펜 술폰산, 술포프로필 (메타)아크릴레이트, 술포에틸 (메타)아크릴레이트 및 술포부틸 (메타)아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 단계 a)의 촉매는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 제조 방법: [화학식 1] Mp-Yq 상기 식에서 M은 Cu0, Cu1+, Cu2+, Fe2+, Fe3+, Ru2+, Ru3+, Cr2+, Cr3+, Mo0, Mo1+, Mo2+, Mo3+, W2+, W3+, Rh3+, Rh4+, Co1+, Co2+, Re2+, Re3+, Ni0, Ni1+, Mn3+, Mn4+, V2+, V3+, Zn1+, Zn2+, Au1+, Au2+, Ag1+ 및 Ag2+로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 전이금속 이온을 나타내고, Y는 할로겐, 탄소수 1 내지 20의 알콕시, SO4, PO4, HPO4, H2PO4, 트리플레이트, 티오시아네이트, 헥사플로오로포스페이트, 알킬술포네이트, 벤젠술포네이트 및 톨루엔술포네이트로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로부터 형성된 음이온을 나타내며, p는 전이금속 이온의 수를 나타내고, q는 배위수를 나타낸다
11 11
제 9 항에 있어서, 리간드는 2,2-비피리딘, 트리페닐포스판, 알킬-2,2-비피리딘, 4,4-디(5-노닐)-2,2-비피리딘, 4,4-디(5-헵틸)-2,2-비피리딘, 트리스(2-아미노에틸)아민, N,N,N',N',N"-펜타메틸디에틸렌트리아민, 1,1,4,7,10,10-헥사메틸트리에틸렌테트라아민 및 테트라메틸에틸렌디아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 제조 방법
12 12
제 9 항에 있어서, 단계 b)는 80 내지 100℃의 온도에서 16 내지 20 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 제조 방법
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
제 8 항에 있어서, 제 3 단계의 금속 전구체의 환원은 광원 조사, 열처리 또는 화학적 처리에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
16 16
제 15 항에 있어서, 광원은 자외선, 가시광선, 전자빔, X 레이, 또는 감마선인 것을 특징으로 하는 방법
17 17
제 15 항에 있어서, 열처리는 50 내지 300℃의 온도에서 1 내지 48 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 제조 방법
18 18
제 15 항에 있어서, 화학적 처리는 수소, 수소 화합물, 저급 산화물, 저급 산소산 염, 황화 나트륨 및 붕소계 수소화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 처리제에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.