요약 | 일 실시 예에 따른 가스 감지용 박막 제조 방법에 있어서, 우선 기판 상에 주석 박막을 형성한다. 상기 주석 박막을 양극 산화하여 다공성 비정질 주석 산화물 박막을 형성한다. 상기 다공성 비정질 주석 산화물 박막을 열처리하여 다공성 결정질 주석 산화물 박막을 형성한다. 이로써 소정의 가스와의 반응도가 향상된 가스 감지용 박막을 획득할 수 있다. |
---|---|
Int. CL | C23C 14/08 (2006.01.01) C23C 14/22 (2006.01.01) C23C 14/24 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01) C25D 11/34 (2006.01.01) C23C 14/58 (2006.01.01) G01N 27/12 (2006.01.01) |
CPC | C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020090026894 (2009.03.30) |
출원인 | 서울대학교산학협력단, 고려대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2010-0108732 (2010.10.08) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 거절 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | 심판사항 |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2009.03.30) |
심사청구항수 | 6 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
2 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 홍성현 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
2 | 유현삼 | 대한민국 | 서울특별시 광진구 |
3 | 이종흔 | 대한민국 | 경기도 과천시 별양로 ** |
4 | 전정훈 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 남정길 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
최종권리자 정보가 없습니다 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.03.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0189723-36 |
2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2009.04.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2009-0024433-14 |
3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2009.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0281152-13 |
4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2009.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0281352-37 |
5 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2009.06.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0362366-09 |
6 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.03.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
7 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.04.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0023867-21 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.03.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0136763-26 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.05.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0323863-89 |
11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.05.02 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0323864-24 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
13 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2011.11.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0653981-11 |
14 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.12.16 | 보정각하 (Rejection of amendment) | 1-1-2011-1001789-68 |
15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.12.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-1001801-29 |
16 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2012.05.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0279906-68 |
17 | 보정각하결정서 Decision of Rejection for Amendment |
2012.05.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0279865-84 |
18 | 명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2012.06.18 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2012-0029247-85 |
19 | 심사전치출원의 심사결과통지서 Notice of Result of Reexamination |
2012.08.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0473140-08 |
20 | 심사관의견요청서 Request for Opinion of Examiner |
2012.09.25 | 수리 (Accepted) | 7-8-2012-0032035-92 |
21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
23 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
24 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
25 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
26 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
27 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
28 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
29 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
30 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 가스 감지용 박막 형성 방법에 있어서, (a) 기판 상에 주석 박막을 형성하는 공정; (b) 상기 주석 박막을 양극 산화하여 다공성 비정질 주석 산화물 박막을 형성하는 공정; (c) 상기 다공성 비정질 주석 산화물 박막을 열처리하여 다공성 결정질 주석 산화물 박막을 형성하는 공정을 포함하는 가스 감지용 박막 형성 방법 |
2 |
2 제1 항의 (a) 공정에 있어서, 상기 주석 박막은, 열 증발법(evaporation), 스퍼터링법 또는 이온빔 증착법에 의하여 증착되는 가스 감지용 박막 형성 방법 |
3 |
3 제1 항의 (c) 공정에 있어서, 상기 다공성 결정질 주석 산화물 박막은 채널형 세공을 포함하는 가스 감지용 박막 형성 방법 |
4 |
4 제3 항에 있어서, 상기 채널형 세공은 실질적으로 상기 다공성 결정질 주석 산화물 박막의 두께 방향으로 형성되는 가스 감지용 박막 형성 방법 |
5 |
5 제1 항의 (c) 단계에 있어서, 상기 열처리는 500℃ 내지 700℃ 에서 진행되는 가스 감지용 박막 형성 방법 |
6 |
6 제1 항의 (c) 단계에 있어서, 상기 열처리는 확산로(furnace) 열처리 또는 램프가열처리(Rapid Thermal Process)인 가스 감지용 박막 형성 방법 |
7 |
7 가스 센서에 있어서, 가스 감지용 박막; 상기 가스 감지용 박막에 전위차를 발생시키는 제1 전극 및 제2 전극; 및 상기 가스 감지용 박막의 전기적 특성을 측정하는 계측기를 포함하되, 상기 가스 감지용 박막은 다공성 결정질 주석 산화물 박막인 가스 센서 |
8 |
8 제 7항에 있어서, 상기 다공성 결정질 주석 산화물 박막은 실질적으로 두께 방향으로 형성된 채널형 세공을 구비하는 가스센서 |
9 |
9 제8 항에 있어서, 상기 채널형 세공의 지름은 약 50 nm 이하이며, 복수의 상기 채널형 세공들 사이의 간격은 약 20 nm 이하인 가스 센서 |
10 |
10 제7 항에 있어서, 상기 다공성 결정질 주석 산화물 박막은 약 600 nm 이하인 가스 센서 |
11 |
11 제7 항에 있어서, 상기 다공성 결정질 주석 산화물 박막은 주석 박막을 양극 산화하여 다공성 비정질 주석 산화물 박막을 형성하고 상기 다공성 비정질 주석 산화물을 결정화함으로써 형성되는 가스 센서 |
12 |
12 제7 항에 있어서, 상기 가스 센서는 수소, 암모니아 또는 일산화탄소를 감지하는 가스 센서 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식경제부 | 고려대학교 | 소재원천 기술개발 사업(In-situ공정에 의한 나노구조체 지능형 소재기술) | 실시간 가스 감응 세라믹 나노구조체 소재기술 |
등록사항 정보가 없습니다 |
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번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.03.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0189723-36 |
2 | 보정요구서 | 2009.04.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2009-0024433-14 |
3 | [출원서등 보정]보정서 | 2009.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0281152-13 |
4 | [출원서등 보정]보정서 | 2009.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0281352-37 |
5 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2009.06.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0362366-09 |
6 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.03.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
7 | 선행기술조사보고서 | 2010.04.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0023867-21 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
9 | 의견제출통지서 | 2011.03.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0136763-26 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.05.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0323863-89 |
11 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.05.02 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0323864-24 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
13 | 최후의견제출통지서 | 2011.11.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0653981-11 |
14 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.12.16 | 보정각하 (Rejection of amendment) | 1-1-2011-1001789-68 |
15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.12.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-1001801-29 |
16 | 거절결정서 | 2012.05.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0279906-68 |
17 | 보정각하결정서 | 2012.05.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0279865-84 |
18 | 명세서 등 보정서(심사전치) | 2012.06.18 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2012-0029247-85 |
19 | 심사전치출원의 심사결과통지서 | 2012.08.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0473140-08 |
20 | 심사관의견요청서 | 2012.09.25 | 수리 (Accepted) | 7-8-2012-0032035-92 |
21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
23 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
24 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
25 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
26 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
27 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
28 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
29 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
30 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345100293 |
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세부과제번호 | 2008-0060083 |
연구과제명 | 나노계층구조소재설계및에너지/환경응용기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 고려대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200806~201305 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1415100343 |
---|---|
세부과제번호 | K0004114 |
연구과제명 | In-situ공정에의한나노구조체지능형소재기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200807~201206 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
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1 | 2013201002002 | 2013허원2002 | 2012원5613 (2009 년 특허출원 제 0026894호 거절결정불복심판) 소 | 2013.03.07 | 2013.09.06 |
2 | 2012101005613 | 2012원5613 | 2009년 특허출원 제0026894호 거절결정불복 | 2012.06.11 | 2013.02.05 |